但是2SK241是耗盡型MOSFET，所以對輸入信號的振幅沒有限制。
    由于是在VGS—O狀態(tài)下，所以這時的漏極電流就是IDSS.2SK241的I檔IDSs=3.0～7．OmA，所以漏極電流分散在3.0～7．OmA的范圍之內(nèi)。
    由于是源極直接接地，所以電路的增益為gM×RD。這個電路中．RD是諧振電路的阻抗。
    并聯(lián)共振電路的阻抗在共振頻率處為無窮大，所以理論上增益也是無窮大，不過實際電路的增益約為20dB。其原因是FET的源極內(nèi)部等效電阻不等于零，而且諧振電路的阻抗也并不是無窮大。但是，電路的增益與所使用FET的g。（也有作為正向傳輸導(dǎo)納數(shù)據(jù)提供）成比例。
    制作這個電路時，為了從諧振電路獲得足夠的增益，器件的選擇是十分重要的。諧振電路中使用的線圈應(yīng)該在諧振頻率下具有足夠高的Q值(Q值是表征線圈質(zhì)量優(yōu)劣的參數(shù)，如果串聯(lián)電阻為R,圖3.34的電路中，使用的是用聲一0.8的粗鍍錫線繞成的線圈。
    為了使頻率特性向高頻方向延伸，電路的布線方法是非常重要的。如照片3.8所示，各部分的布線都應(yīng)該粗而短（特別應(yīng)該注意電源的連接線），盡量降低GND的阻抗。