圖3. 36是N溝JFET與晶體管組M27C512-12F1合放大電路。原理上采用輸入阻抗高的FET作為初級(jí)源極接地放大電路，第2級(jí)采用能夠提高放大倍數(shù)的雙極晶體管發(fā)射極接地放大電路。電路的總增益通過輸出端向初級(jí)源極施加的反饋來固定。了用一個(gè)電阻偏置為OV的簡單電路結(jié)構(gòu)。而且由于使用的是FET，所以能夠增大柵極偏置電阻的數(shù)值（因?yàn)镕ET沒有柵極電流流動(dòng)，即使偏置電阻的值很大，在輸入端也不會(huì)產(chǎn)生直流電壓）。

    圖3.36的電路中，柵極偏置使用了lOMfl的電阻，設(shè)定電路的輸入阻抗值非常高(電路的輸入阻抗高達(dá)10MCl)。另外，由于柵極電位偏置為OV，所以輸入端就沒有必要插入耦合電容。
    第2級(jí)的發(fā)射極接地放大電路中由于發(fā)射極電阻被電容旁路，所以該級(jí)的增益很大。
    電路的總增益A由初級(jí)的源極電阻R。和反饋電阻Rf決定。在這個(gè)電路中，RS=loOfl,Rf =lokCZ，所以A≈100=40dB.
    當(dāng)需要改變電路的增益時(shí)，可以只改變R。和Rf值。不過由于初級(jí)使用的是JFET，它本身的增益比雙極晶體管小，所以40dB的水平就是增益的上限。
    當(dāng)希望提高增益時(shí)，如圖3.37所示，可以將第2級(jí)達(dá)林頓連接以提高視在的FE，使得提高整個(gè)電路施加負(fù)反饋之前的增益。這樣，增益的上限差不多能夠提高到50～60dB。