圖4.21是將迭林頓連接的晶體管TC4053BP用于射極跟隨器使用的例子。達(dá)林頓連接是前級(jí)晶體管Tr，的發(fā)射極電流全部成為后級(jí)晶體管Tr。的基極電流，所以為hFEl×hFE2 (hFEl：Tr．的hFE，hFE2：Tr2的矗FE)。因此，Tri的基極電流可以變得非常
小。
    但是，晶體管是由基極電流控制集電極電流的電流控制器件，必須有基極電流，所以器件的輸入阻抗不可能很大。

    圖4.22是前級(jí)使用IFET，后級(jí)采用晶體管的混合達(dá)林頓連接的源極跟隨器（射極跟隨器？）電路。這個(gè)電路是Tri的源極電流全部成為T(mén)r2的基極電流，所以是達(dá)林頓連接形式。
    由于前級(jí)采用輸入電流幾乎為零的FET(JFET的輸入電流約為pA～nA量級(jí))，所以電路的輸入阻抗可以作的非常大。而且由于Trz使用晶體管，所以對(duì)發(fā)射極電流也沒(méi)有限制(JFET的源極跟隨器的輸出電流不超過(guò)IDSS)。就是說(shuō)，這個(gè)電路是一個(gè)兼?zhèn)淞薋ET的高輸入阻抗特性和晶體管的大輸出電流特性的電路。

    這個(gè)電路是N溝JFET與NPN晶體管，P溝JFET與PNP晶體管組合，所以JFET的VGS與晶體管的VBE極性相反，相互抵消。Tr2的發(fā)射極電位與Tri的柵極電位相同，其值接近OV。實(shí)際的電路中，晶體管的hFE稍大些，所以Tr2的基極電流一Tri的源極電流，其值小，Tri是在VGS接近夾斷電壓的值下工作。
   發(fā)射極電阻RE可以在Tr2的發(fā)射極電位為OV的情況下計(jì)算得到。圖4.22的電路中，發(fā)射極電流設(shè)定為50mA，所以RE =100Q(一5V／50mA)。
    由于JFET的VGS具有分散性，不能確定源極電位究竟是正還是負(fù)(VGS<0.6V時(shí)為負(fù)，VGS>O. 6V時(shí)為正)，所以從Tr：的發(fā)射極取出輸出所用耦合電容必須采用無(wú)極性電容器。
    Tri使用的JFET選用柵極一漏極間電壓的最大額定值GDS大于電源電壓的器件。不過(guò)由于Tri的源極電流成為T(mén)r。的基極電流，所以JFET必須選擇IDSS大于Tr2所必要的最大基極電流（發(fā)射極電流/hFE）的器件。
    對(duì)于Tr2，應(yīng)該選擇集電極一基極間電壓和集電極一發(fā)射極電壓的最大額定值VCBO、CEO高于電源電壓，而且集電極電流最大額定值大于設(shè)定的發(fā)射極電流值（近似集電極電流）的晶體管。不論哪個(gè)檔次的hFE都可以。