為使電路正常工作所加入的各元件
發(fā)布時間:2012/8/18 13:22:02 訪問次數(shù):606
C3、C4是OP放大器的電源去UC3458P耦電容器。這里采用C3=C4=lOruF/25V的電解電容器。
C5和C6是防止三端穩(wěn)壓電源發(fā)生振蕩所接入的電容。三端穩(wěn)壓電源也可以認為是與OP放大器相同的負反饋放太電路，為了不發(fā)生振蕩同樣也需要有電源去耦電容器。這里使用的疊層陶瓷電容器。
R7和R8是防止MOSFET發(fā)生振蕩的重要電阻。由于MOSFET的柵極輸入阻抗非常高，所以給柵極串聯(lián)一個小的電阻不會產(chǎn)生不利影響。但是在高頻范圍MOSFET的輸入阻抗將降低。而且在某一頻率范圍往往會成為負阻——其大小是負值的電阻成分，會發(fā)生振蕩（關(guān)于負阻與振蕩的關(guān)系將在第14章介紹）。
在FET的柵極插入電阻的作用就是抵消負阻成分防止振蕩的發(fā)生。這個電阻通常取數(shù)十至數(shù)百歐。在這里取值為R7 =R8 =lOOfl。
C7的作用是對Tr1．交流旁路，使得從Tr2、Tr3的柵極看進去的阻抗相等。這樣能夠使MOSFET的輸入電容與前級輸出阻抗形成的低通濾波器的截止頻率在Tr：一側(cè)和Tr3 -側(cè)基本相等。其結(jié)果，在高頻范圍能夠使Tr2和Tr。正確地互補工作，改善失真率。
C7的值愈大愈好。不過過于大的話電容器的體積也會增大，所以取C7=0.lUF的薄層電容器。
C5和C6是防止三端穩(wěn)壓電源發(fā)生振蕩所接入的電容。三端穩(wěn)壓電源也可以認為是與OP放大器相同的負反饋放太電路，為了不發(fā)生振蕩同樣也需要有電源去耦電容器。這里使用的疊層陶瓷電容器。
R7和R8是防止MOSFET發(fā)生振蕩的重要電阻。由于MOSFET的柵極輸入阻抗非常高，所以給柵極串聯(lián)一個小的電阻不會產(chǎn)生不利影響。但是在高頻范圍MOSFET的輸入阻抗將降低。而且在某一頻率范圍往往會成為負阻——其大小是負值的電阻成分，會發(fā)生振蕩（關(guān)于負阻與振蕩的關(guān)系將在第14章介紹）。
在FET的柵極插入電阻的作用就是抵消負阻成分防止振蕩的發(fā)生。這個電阻通常取數(shù)十至數(shù)百歐。在這里取值為R7 =R8 =lOOfl。
C7的作用是對Tr1．交流旁路，使得從Tr2、Tr3的柵極看進去的阻抗相等。這樣能夠使MOSFET的輸入電容與前級輸出阻抗形成的低通濾波器的截止頻率在Tr：一側(cè)和Tr3 -側(cè)基本相等。其結(jié)果，在高頻范圍能夠使Tr2和Tr。正確地互補工作，改善失真率。
C7的值愈大愈好。不過過于大的話電容器的體積也會增大，所以取C7=0.lUF的薄層電容器。
C3、C4是OP放大器的電源去UC3458P耦電容器。這里采用C3=C4=lOruF/25V的電解電容器。
C5和C6是防止三端穩(wěn)壓電源發(fā)生振蕩所接入的電容。三端穩(wěn)壓電源也可以認為是與OP放大器相同的負反饋放太電路，為了不發(fā)生振蕩同樣也需要有電源去耦電容器。這里使用的疊層陶瓷電容器。
R7和R8是防止MOSFET發(fā)生振蕩的重要電阻。由于MOSFET的柵極輸入阻抗非常高，所以給柵極串聯(lián)一個小的電阻不會產(chǎn)生不利影響。但是在高頻范圍MOSFET的輸入阻抗將降低。而且在某一頻率范圍往往會成為負阻——其大小是負值的電阻成分，會發(fā)生振蕩（關(guān)于負阻與振蕩的關(guān)系將在第14章介紹）。
在FET的柵極插入電阻的作用就是抵消負阻成分防止振蕩的發(fā)生。這個電阻通常取數(shù)十至數(shù)百歐。在這里取值為R7 =R8 =lOOfl。
C7的作用是對Tr1．交流旁路，使得從Tr2、Tr3的柵極看進去的阻抗相等。這樣能夠使MOSFET的輸入電容與前級輸出阻抗形成的低通濾波器的截止頻率在Tr：一側(cè)和Tr3 -側(cè)基本相等。其結(jié)果，在高頻范圍能夠使Tr2和Tr。正確地互補工作，改善失真率。
C7的值愈大愈好。不過過于大的話電容器的體積也會增大，所以取C7=0.lUF的薄層電容器。
C5和C6是防止三端穩(wěn)壓電源發(fā)生振蕩所接入的電容。三端穩(wěn)壓電源也可以認為是與OP放大器相同的負反饋放太電路，為了不發(fā)生振蕩同樣也需要有電源去耦電容器。這里使用的疊層陶瓷電容器。
R7和R8是防止MOSFET發(fā)生振蕩的重要電阻。由于MOSFET的柵極輸入阻抗非常高，所以給柵極串聯(lián)一個小的電阻不會產(chǎn)生不利影響。但是在高頻范圍MOSFET的輸入阻抗將降低。而且在某一頻率范圍往往會成為負阻——其大小是負值的電阻成分，會發(fā)生振蕩（關(guān)于負阻與振蕩的關(guān)系將在第14章介紹）。
在FET的柵極插入電阻的作用就是抵消負阻成分防止振蕩的發(fā)生。這個電阻通常取數(shù)十至數(shù)百歐。在這里取值為R7 =R8 =lOOfl。
C7的作用是對Tr1．交流旁路，使得從Tr2、Tr3的柵極看進去的阻抗相等。這樣能夠使MOSFET的輸入電容與前級輸出阻抗形成的低通濾波器的截止頻率在Tr：一側(cè)和Tr3 -側(cè)基本相等。其結(jié)果，在高頻范圍能夠使Tr2和Tr。正確地互補工作，改善失真率。
C7的值愈大愈好。不過過于大的話電容器的體積也會增大，所以取C7=0.lUF的薄層電容器。
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相關(guān)技術(shù)資料- 8-18為使電路正常工作所加入的各元件
- 相關(guān)IC型號
- UC3458P
- UC342H391J
- UC34G3097
- UC34G3098
公網(wǎng)安備44030402000607
