圖5.7所介紹的功率放大UUC3843BN電路中，當(dāng)必須的輸出電流超過(guò)輸出級(jí)所用MOS-FET的額定值時(shí)，如圖5.19所示，可以將多個(gè)源極跟隨器并聯(lián)接續(xù)，由各源極跟隨器分散提供電流。
    圖5.19的電路只畫(huà)出了并聯(lián)推挽源極跟隨器的部分。從這種電路中取出的電流可以比圖5.7電路中輸出電流多2倍。
    源極跟隨器并聯(lián)接續(xù)時(shí)必須注意的問(wèn)題是并聯(lián)接續(xù)FET的VGS要一致（圖5.19中的Tr1與Tr3、Tr2與Tr4的VG。）。否則的話，就不能從各器件中流過(guò)均等的源極電流。特別是由于FET的VG。與晶體管的VBE不同，分散性很大，所以并聯(lián)接續(xù)的FET不僅要求器件VG。的檔次相同（功率MOS中不是按照IDSS而是按照VGS分檔的），而且必須在mV量級(jí)上一致。

    而且如圖5. 20所示當(dāng)并聯(lián)接續(xù)的源極跟隨器數(shù)目較多時(shí)，不僅要求VGS -致，還必須強(qiáng)化驅(qū)動(dòng)MOSFET的電路。功率放大用MOSFET的輸入電容很大，如果并聯(lián)接續(xù)的器件多，那么用簡(jiǎn)單的電路就難以驅(qū)動(dòng)MOSFET的輸入電容。
    圖5.20的電路中，在OP放大器后面插入了射極跟隨器以強(qiáng)化對(duì)MOSFET的驅(qū)動(dòng)能力。