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低噪聲高輸入阻抗放大電路

發(fā)布時間:2012/8/19 20:51:08 訪問次數(shù):2658

    圖6.18是柵一陰放大連接TLC7226CN自舉化的N溝JFET差動放大電路與OP放大器組合的低噪聲高輸入阻抗放大電路。
    差動放大電路也能夠柵一陰放大連接自舉化。如圖6.18所示,在連接OP放大器加負(fù)反饋時,由于柵一陰放大連接自舉化使差動放大電路的頻率特性得到改善,電路的工作穩(wěn)定,相位補償也變得容易。

                    

    使用JFET使差動放大電路柵一陰放大連接自舉化時應(yīng)該注意的是,不只是差動放大的輸入部分采用單片雙器件,作為柵極接地工作的上側(cè)的JFET(參見圖6. 18的Trz)也要采用單片雙FET器件。
    否則的話,由于差動輸入部分FET的漏極一源極間電壓出現(xiàn)了大的差值(柵極接地部分使用的兩個FET的VGS差值原封不動地變成差動輸入部分漏極一源極間電壓的差值),差動輸入部分的輸入電容CiSS出現(xiàn)了大的差值,在高頻范圍CMRR(共態(tài)抑制比,表征能夠在多大程度上排除加到兩個輸入端上的同一信號成分的特性)將變壞。
    當(dāng)然,如圖6. 9所示,使用晶體管的基極接地也能夠使差動放大電路柵一陰放大連接自舉化。不過如圖6. 17所說明的那樣,偏置電路將變得復(fù)雜化。

              

    圖6.18是柵一陰放大連接TLC7226CN自舉化的N溝JFET差動放大電路與OP放大器組合的低噪聲高輸入阻抗放大電路。
    差動放大電路也能夠柵一陰放大連接自舉化。如圖6.18所示,在連接OP放大器加負(fù)反饋時,由于柵一陰放大連接自舉化使差動放大電路的頻率特性得到改善,電路的工作穩(wěn)定,相位補償也變得容易。

                    

    使用JFET使差動放大電路柵一陰放大連接自舉化時應(yīng)該注意的是,不只是差動放大的輸入部分采用單片雙器件,作為柵極接地工作的上側(cè)的JFET(參見圖6. 18的Trz)也要采用單片雙FET器件。
    否則的話,由于差動輸入部分FET的漏極一源極間電壓出現(xiàn)了大的差值(柵極接地部分使用的兩個FET的VGS差值原封不動地變成差動輸入部分漏極一源極間電壓的差值),差動輸入部分的輸入電容CiSS出現(xiàn)了大的差值,在高頻范圍CMRR(共態(tài)抑制比,表征能夠在多大程度上排除加到兩個輸入端上的同一信號成分的特性)將變壞。
    當(dāng)然,如圖6. 9所示,使用晶體管的基極接地也能夠使差動放大電路柵一陰放大連接自舉化。不過如圖6. 17所說明的那樣,偏置電路將變得復(fù)雜化。

              

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