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柵極接地電路的設(shè)計(jì)

發(fā)布時(shí)間:2012/8/19 16:00:44 訪問次數(shù):1030

    圖6.1電路的設(shè)計(jì)指VIPER22A標(biāo)如下表所示。為了便于對(duì)電路本身的性能進(jìn)行比較,這些指標(biāo)與第3章源極接地放大電路的設(shè)計(jì)指標(biāo)相同。

                       

    電源電壓與FET的選擇
    與源極接地電路相同,電源電壓取值應(yīng)該比最大輸出電壓十源極電阻(本電路中是Rs+R。)上的電壓降(最低1~2V)之和大。在這個(gè)電路中還要加上OP放大器的電源電壓,所以取VDD =15V。
    為了便于分析源極接地與柵極接地電路結(jié)構(gòu)的性能差別,F(xiàn)ET也選用與源極接地電路相同的N溝JFET 2SK184GR。
    柵極接地電路中選擇FET的基準(zhǔn)也與源極接地電路相同:柵極一漏極間電壓的最大額定值VGDS高于電源電壓(在本電路中VGDs>VDD一15V),漏極飽和電流IDSS要比電路中設(shè)定的漏極電流大(關(guān)于漏極電流,在選定FET后可以設(shè)定低于IDSS)。當(dāng)然,使用MOSFET時(shí)就沒有必要考慮IDSS了。

    圖6.1電路的設(shè)計(jì)指VIPER22A標(biāo)如下表所示。為了便于對(duì)電路本身的性能進(jìn)行比較,這些指標(biāo)與第3章源極接地放大電路的設(shè)計(jì)指標(biāo)相同。

                       

    電源電壓與FET的選擇
    與源極接地電路相同,電源電壓取值應(yīng)該比最大輸出電壓十源極電阻(本電路中是Rs+R。)上的電壓降(最低1~2V)之和大。在這個(gè)電路中還要加上OP放大器的電源電壓,所以取VDD =15V。
    為了便于分析源極接地與柵極接地電路結(jié)構(gòu)的性能差別,F(xiàn)ET也選用與源極接地電路相同的N溝JFET 2SK184GR。
    柵極接地電路中選擇FET的基準(zhǔn)也與源極接地電路相同:柵極一漏極間電壓的最大額定值VGDS高于電源電壓(在本電路中VGDs>VDD一15V),漏極飽和電流IDSS要比電路中設(shè)定的漏極電流大(關(guān)于漏極電流,在選定FET后可以設(shè)定低于IDSS)。當(dāng)然,使用MOSFET時(shí)就沒有必要考慮IDSS了。

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