圖9.5是采用功率開關(guān)用SN74HC241N器件-N溝MOSFET 2SK612(NEC)的源極接地型開關(guān)電路。這個電路只是改換了圖9.1中的FET(漏極負載電阻的值不同)。照片9.5是給這個電路輸入lkHz、8Vp-p正弦波時的輸入輸出波形�？梢钥闯霎斴斎胄盘柕碾娖匠^+1. 6V時輸出波形為OV。這是因為當FET的柵極電位超過+1. 6V時輸入信號被反相放大的緣故（認為臨界電壓為+1.6V）。
    圖9.6是2SK612的傳輸特性。這種MOSFET是增強型器件，所以從曲線圖可以看出當柵極電位相對于源極為OV時器件截止，達到+3V以上時完全導(dǎo)通(根據(jù)圖9.6，柵極一源極間電壓VG。=+3V時，ID能夠超過2A)。在圖9.5的電路中，由于漏極電流的設(shè)定值�。↖D一5mA），所以如照片9.5所示，柵極電壓在+1.6V時導(dǎo)通。
    與JFET不同，對于MOSFET來說柵極與溝道間只有絕緣層，并不存在二極管（參見圖9.7），所以即使輸入信號變?yōu)樨撝禃r波形也不會被削掉。