采用JFET設計源極跟隨器型開關SN74HCT08N電路時，與源極接地型開關電路相同，必須注意，D的設定值與器件的IDSS。這是因為對于JFET來說不能夠取出大于IDSS的漏極電流。
    電路中使用的JFET應該選擇漏極一源極間耐壓高于電源電壓，IDSS大于FET導通時流過的漏極電流（流過RD的電流十由輸出端向外部提供的電流）的器件。
    一般來說，像源極跟隨器型開關電路這樣的應用中經(jīng)常要求取出大電流，所以與漏極電流受到IDSS限制的JFET相比，使用更多的是MOSFET或者雙極晶體管（射極跟隨器型開關電路）。
    設計使用MOSFET的電路與JFET不同的是漏極電流不受限制，所以應該選擇漏極一源極間電壓的最大額定值V DSS與柵極一源極間電壓的最大額定值VGSS大于電源電壓，漏極電流ID的最大額定值大于流過電路的漏極電流（流過RD的電流+．由輸出端向外部提供的電流）的器件。但是在使用MOSFET的場合，為了防止器件的靜電擊穿必須設置柵極偏置電阻Rc。