為了使晶體管導(dǎo)通，必須有CD4031BE極電流流過(guò)。圖12.5使用晶體管的開(kāi)關(guān)電源電路中，開(kāi)關(guān)晶體管的基極電流是無(wú)用電流（不是提供給負(fù)載的電流），所以基極電流降低了電路的效率。
    基極電流導(dǎo)致效率的降低給這里設(shè)計(jì)的小規(guī)模電源中帶來(lái)很大的影響。所以在希望提高小規(guī)模電源效率的場(chǎng)合，應(yīng)該采用MOSFET開(kāi)關(guān)器件。MOSFET沒(méi)有柵極電流流動(dòng)，所以為使開(kāi)關(guān)器件導(dǎo)通而損耗的功率非常小，從而提高了電路的效率。
    圖12.13是將圖12.5中Tri換為P溝MOSFET的電路（其他部分與圖12.5相同）。MOSFET的柵偏壓由IC1的4號(hào)管腳提供，所以沒(méi)有必要使用柵偏壓電阻（圖12.5的R3、R4）。
    選擇MOSFET的方法與使用晶體管的場(chǎng)合完全相同，在這個(gè)電路中，選擇ID≥210mA，VDSS≥15. 3V的器件。圖12.13中選用的是最大額定值ID=8A，VDSs=100V的2SJ128(NEC)。