下面具體設(shè)計(jì)圖13.6的電路。這個(gè)電CD4028BCN路的設(shè)計(jì)指標(biāo)如下：模擬開關(guān)電路的設(shè)計(jì)指標(biāo)

    這個(gè)電路是用CMOS邏輯電路（4000B系列或者74HC，74AC系列）輸出的OV／+5V信號(hào)對(duì)2VP-P的模擬信號(hào)進(jìn)行開關(guān)的電路。
    所謂導(dǎo)通電阻RON是指開關(guān)接通時(shí)輸入輸出間的電阻值，理想值是0Q。機(jī)械開關(guān)中RON≈0Q（m\Q數(shù)量級(jí)），模擬開關(guān)器件是以半導(dǎo)體為開關(guān)器件串聯(lián)接入的，所以不是0\Q。一般來說，JFET開關(guān)器件的導(dǎo)通電阻為數(shù)歐至數(shù)百歐，使用MOS-FET時(shí)可以降低到0.OIQ至數(shù)歐。
    開關(guān)用FET的選擇
    開關(guān)器件可以使用JFET也可以使用MOSFET，N溝、P溝器件都可以。不過這里考慮到容易獲得以及價(jià)格因素，選擇N溝JFET 2SK330（東芝）。
    關(guān)于2SK330的電學(xué)特性請(qǐng)參看表3.2。
    目前還無法確定電源電壓和電路結(jié)構(gòu)。不過從設(shè)計(jì)指標(biāo)酌輸入信號(hào)和控制信號(hào)電平等來考慮，選擇柵極一源極間最大額定值VGDS一- 50V的2SK330在耐壓方面是足夠了（當(dāng)然在確定電路的電源電壓時(shí)應(yīng)該在不超過V GDS的范圍）。
    使用FET模擬開關(guān)時(shí)的導(dǎo)通電阻是器件跨導(dǎo)g。。的倒數(shù)(注意：gm的單位是Q的倒數(shù)S)。由表3.2可知，2SK330的gm等于正向傳輸導(dǎo)納I yf。l，最小為1.5ms。
    因此在使用gm一1.5ms的器件的場合，這個(gè)電路的導(dǎo)通電阻RON約為670Q(約Ims／l.5ms)。能夠滿足設(shè)計(jì)指標(biāo)中RON <lkQ的要求。如果希望RON更小些，就要選擇g。更大的器件。一般來說MOSFET的gm要比JFET大，所以使用MOSFET可以作出RON小的模擬開關(guān)。在JFET的場合，由于IDSS愈大g。．也就愈大，所以即使同樣的器件，也應(yīng)該選用IDSS大的檔次。