下面具體設計圖13.6的電路。這個電CD4028BCN路的設計指標如下：模擬開關電路的設計指標

    這個電路是用CMOS邏輯電路（4000B系列或者74HC，74AC系列）輸出的OV／+5V信號對2VP-P的模擬信號進行開關的電路。
    所謂導通電阻RON是指開關接通時輸入輸出間的電阻值，理想值是0Q。機械開關中RON≈0Q（m\Q數(shù)量級），模擬開關器件是以半導體為開關器件串聯(lián)接入的，所以不是0\Q。一般來說，JFET開關器件的導通電阻為數(shù)歐至數(shù)百歐，使用MOS-FET時可以降低到0.OIQ至數(shù)歐。
    開關用FET的選擇
    開關器件可以使用JFET也可以使用MOSFET，N溝、P溝器件都可以。不過這里考慮到容易獲得以及價格因素，選擇N溝JFET 2SK330（東芝）。
    關于2SK330的電學特性請參看表3.2。
    目前還無法確定電源電壓和電路結構。不過從設計指標酌輸入信號和控制信號電平等來考慮，選擇柵極一源極間最大額定值VGDS一- 50V的2SK330在耐壓方面是足夠了（當然在確定電路的電源電壓時應該在不超過V GDS的范圍）。
    使用FET模擬開關時的導通電阻是器件跨導g。。的倒數(shù)(注意：gm的單位是Q的倒數(shù)S)。由表3.2可知，2SK330的gm等于正向傳輸導納I yf。l，最小為1.5ms。
    因此在使用gm一1.5ms的器件的場合，這個電路的導通電阻RON約為670Q(約Ims／l.5ms)。能夠滿足設計指標中RON <lkQ的要求。如果希望RON更小些，就要選擇g。更大的器件。一般來說MOSFET的gm要比JFET大，所以使用MOSFET可以作出RON小的模擬開關。在JFET的場合，由于IDSS愈大g。．也就愈大，所以即使同樣的器件，也應該選用IDSS大的檔次。