集成電路
發(fā)布時(shí)間:2012/9/4 20:09:19 訪問(wèn)次數(shù):767
集成電路(Integrated Circuit),簡(jiǎn)稱為IC,是采用AAT1115C-Q4-T一定的工藝,把一個(gè)電路中所需的晶體管、電阻器和電容器等元件及布線互連,制作在一小塊或幾小塊半導(dǎo)體晶片或介質(zhì)基片上,然后封裝在一個(gè)管殼內(nèi)制作而成的具有所需電路功能的微型結(jié)構(gòu),其中所有元件在結(jié)構(gòu)上已組成一個(gè)整體,這樣,整個(gè)電路的體積大大縮小,且引出線和焊接點(diǎn)的數(shù)目也大為減少,從而使電子元件向微小型化、低功耗和高可靠性方面邁進(jìn)了一大步。如圖13-1所示為電路中常見(jiàn)的集成電路。
集成電路具有體積小、重量輕、引出線和焊接點(diǎn)少、壽命長(zhǎng)、可靠性高以及性能好等優(yōu)點(diǎn),同時(shí)成本低,便于大規(guī)模生產(chǎn)。它不僅在工、民用電子設(shè)備,如收錄機(jī)、電視機(jī)、計(jì)算機(jī)等方面得到廣泛的應(yīng)用,同時(shí)在軍事、通信、遙控等方面也得到廣泛的應(yīng)用。用集成電路來(lái)裝配電子設(shè)備,其裝配密度可比晶體管提高幾十倍至幾千倍,設(shè)備的穩(wěn)定工作時(shí)間也可大大提高。
與分立元器件電阻器、電容器等相比,集成電路元器件有以下特點(diǎn):
①單個(gè)元器件的精度不高,受溫度影響也較大,但在同一硅片上周相同工藝制造出來(lái)的元器件性能比較一致,對(duì)稱性好,相鄰元器件的溫度差別小,因而同一類元器件溫度特性也基本一致。
②集成電阻器及電容的數(shù)值范圍窄,數(shù)值較大的電阻器、電容器占用硅片面積大。集成電阻器一般在幾十歐到幾十千歐范圍內(nèi),電容器一般為幾十皮法。由于集成電路內(nèi)制作晶體管比制作電阻器節(jié)省硅片且工藝簡(jiǎn)單,故集成電路中晶體管用得多,而電阻用得少。
③元器件性能參數(shù)的絕對(duì)誤差比較大,而同類元器件性能參數(shù)之比值比較精確。
④縱向NPN管屆值較大,占用硅片面積小,容易制造。而橫向PNP管的盧值很小,但其PN結(jié)的耐壓高。
集成電路(Integrated Circuit),簡(jiǎn)稱為IC,是采用AAT1115C-Q4-T一定的工藝,把一個(gè)電路中所需的晶體管、電阻器和電容器等元件及布線互連,制作在一小塊或幾小塊半導(dǎo)體晶片或介質(zhì)基片上,然后封裝在一個(gè)管殼內(nèi)制作而成的具有所需電路功能的微型結(jié)構(gòu),其中所有元件在結(jié)構(gòu)上已組成一個(gè)整體,這樣,整個(gè)電路的體積大大縮小,且引出線和焊接點(diǎn)的數(shù)目也大為減少,從而使電子元件向微小型化、低功耗和高可靠性方面邁進(jìn)了一大步。如圖13-1所示為電路中常見(jiàn)的集成電路。
集成電路具有體積小、重量輕、引出線和焊接點(diǎn)少、壽命長(zhǎng)、可靠性高以及性能好等優(yōu)點(diǎn),同時(shí)成本低,便于大規(guī)模生產(chǎn)。它不僅在工、民用電子設(shè)備,如收錄機(jī)、電視機(jī)、計(jì)算機(jī)等方面得到廣泛的應(yīng)用,同時(shí)在軍事、通信、遙控等方面也得到廣泛的應(yīng)用。用集成電路來(lái)裝配電子設(shè)備,其裝配密度可比晶體管提高幾十倍至幾千倍,設(shè)備的穩(wěn)定工作時(shí)間也可大大提高。
與分立元器件電阻器、電容器等相比,集成電路元器件有以下特點(diǎn):
①單個(gè)元器件的精度不高,受溫度影響也較大,但在同一硅片上周相同工藝制造出來(lái)的元器件性能比較一致,對(duì)稱性好,相鄰元器件的溫度差別小,因而同一類元器件溫度特性也基本一致。
②集成電阻器及電容的數(shù)值范圍窄,數(shù)值較大的電阻器、電容器占用硅片面積大。集成電阻器一般在幾十歐到幾十千歐范圍內(nèi),電容器一般為幾十皮法。由于集成電路內(nèi)制作晶體管比制作電阻器節(jié)省硅片且工藝簡(jiǎn)單,故集成電路中晶體管用得多,而電阻用得少。
③元器件性能參數(shù)的絕對(duì)誤差比較大,而同類元器件性能參數(shù)之比值比較精確。
④縱向NPN管屆值較大,占用硅片面積小,容易制造。而橫向PNP管的盧值很小,但其PN結(jié)的耐壓高。
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