實(shí)驗(yàn)電路
發(fā)布時(shí)間:2012/9/12 20:20:10 訪問(wèn)次數(shù):721
(1)用示波器測(cè)量信號(hào)發(fā)生A007-EW830-P3器輸出波形,得到頻率為1kHz,Vpf=4V的矩形波。
(2)實(shí)驗(yàn)電路如圖3.20所示,取L=2.5mH,C=0.01UF,R用20kC1電位器,改變R的阻值,使電路分別處于振蕩和非振蕩狀態(tài)。
(3)信號(hào)發(fā)生器接電路輸入端作為電路的輸入信號(hào),用示波器觀察電容器兩端波形,改變R的值,分別繪出電路在振蕩和非振蕩狀態(tài)下的波形,分析電路參數(shù)對(duì)二階電路過(guò)渡過(guò)程的影響。
(4)測(cè)出處于振蕩狀態(tài)下的WO和6值,并與理論值比較。
2)實(shí)驗(yàn)步驟
(1)建立如圖3.20所示的實(shí)驗(yàn)電路圖,單擊仿真開(kāi)關(guān),進(jìn)行電路分析。
(2)根據(jù)實(shí)驗(yàn)電路圖3.20,取L=2.5 mH,C=0.01UF.尺用20Ul電位器,分析電路處于振蕩和非振蕩狀態(tài)的波形變化。
(3)根據(jù)實(shí)驗(yàn)電路的輸入,用示波器觀察電容器兩端波形,改變尺的值,分別繪出電路在振蕩和非振蕩狀態(tài)下的波形,分析電路參數(shù)對(duì)二階電路過(guò)渡過(guò)程的影響。
(4)測(cè)量在振蕩狀態(tài)下的WO和6值,并與理論值進(jìn)行比較,有什么區(qū)別?
(5)計(jì)算相關(guān)的數(shù)據(jù)和記錄有關(guān)波形。
4.實(shí)驗(yàn)總結(jié)與分析
(1)按實(shí)驗(yàn)內(nèi)容,畫(huà)出過(guò)阻尼、臨界阻尼和欠阻尼各種波形,并測(cè)試各項(xiàng)參數(shù)。
(2)計(jì)算電路中的甜。和6值,與實(shí)測(cè)值比較,分析產(chǎn)生誤差的原因。
(1)用示波器測(cè)量信號(hào)發(fā)生A007-EW830-P3器輸出波形,得到頻率為1kHz,Vpf=4V的矩形波。
(2)實(shí)驗(yàn)電路如圖3.20所示,取L=2.5mH,C=0.01UF,R用20kC1電位器,改變R的阻值,使電路分別處于振蕩和非振蕩狀態(tài)。
(3)信號(hào)發(fā)生器接電路輸入端作為電路的輸入信號(hào),用示波器觀察電容器兩端波形,改變R的值,分別繪出電路在振蕩和非振蕩狀態(tài)下的波形,分析電路參數(shù)對(duì)二階電路過(guò)渡過(guò)程的影響。
(4)測(cè)出處于振蕩狀態(tài)下的WO和6值,并與理論值比較。
2)實(shí)驗(yàn)步驟
(1)建立如圖3.20所示的實(shí)驗(yàn)電路圖,單擊仿真開(kāi)關(guān),進(jìn)行電路分析。
(2)根據(jù)實(shí)驗(yàn)電路圖3.20,取L=2.5 mH,C=0.01UF.尺用20Ul電位器,分析電路處于振蕩和非振蕩狀態(tài)的波形變化。
(3)根據(jù)實(shí)驗(yàn)電路的輸入,用示波器觀察電容器兩端波形,改變尺的值,分別繪出電路在振蕩和非振蕩狀態(tài)下的波形,分析電路參數(shù)對(duì)二階電路過(guò)渡過(guò)程的影響。
(4)測(cè)量在振蕩狀態(tài)下的WO和6值,并與理論值進(jìn)行比較,有什么區(qū)別?
(5)計(jì)算相關(guān)的數(shù)據(jù)和記錄有關(guān)波形。
4.實(shí)驗(yàn)總結(jié)與分析
(1)按實(shí)驗(yàn)內(nèi)容,畫(huà)出過(guò)阻尼、臨界阻尼和欠阻尼各種波形,并測(cè)試各項(xiàng)參數(shù)。
(2)計(jì)算電路中的甜。和6值,與實(shí)測(cè)值比較,分析產(chǎn)生誤差的原因。
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