非向量測(cè)試技術(shù)
發(fā)布時(shí)間:2012/10/13 19:57:06 訪(fǎng)問(wèn)次數(shù):1020
邊界掃描技術(shù)作為一種測(cè)試方法,的確能解決P4080PSE1MZA許多測(cè)試方面的問(wèn)題,在全世界得到了廣泛的應(yīng)用,但它的實(shí)施需要設(shè)計(jì)部門(mén)的積極參與,但如今有很多不是邊界掃描單元的器件或僅部分帶有邊界掃描功能的器件仍不能用此技術(shù)來(lái)進(jìn)行測(cè)試,因此20世紀(jì)90年代中期,又出現(xiàn)了非向量測(cè)試技術(shù)(Veclorless Test)。在ICT測(cè)試原理中,數(shù)字電路測(cè)試向量指的是由激勵(lì)電路輸入端和輸出端響應(yīng),是按一定順序排列的二進(jìn)制數(shù)據(jù),對(duì)于一般中小規(guī)模IC,在分析其邏輯功能的基礎(chǔ)上不難以手工編排出向量集,但是對(duì)超大規(guī)模的IC來(lái)說(shuō),尤其是對(duì)ASIC器件,這需要相當(dāng)?shù)挠布蛙浖约跋喈?dāng)?shù)膶?zhuān)業(yè)人員花費(fèi)很多時(shí)間才能完成。對(duì)于沒(méi)有任何實(shí)質(zhì)性資料的大規(guī)模ASIC,特別是有時(shí)對(duì)不同廠(chǎng)家生產(chǎn)的ASIC,一般用戶(hù)幾乎不可能編排出向量集,而新一代的非向量測(cè)試技術(shù)是吸取MDA的原理并結(jié)合ICT的手段,即帶電測(cè)試,它不要求圖形向量就能檢測(cè)出器件的工藝故陣。常用的方法有電容耦合測(cè)試(Frame Scan)、模擬結(jié)測(cè)試(Delta Scan)、頻率電感耦合測(cè)試(Wave Scan),現(xiàn)將它們的原理介紹如下。
電容耦合測(cè)試(Frame Scan)
這種方法不僅能檢查出多種IC封裝器件的開(kāi)路、橋連缺陷,如PLCC、QFP、DIP,還可以發(fā)現(xiàn)組件中非硅元器件中的連接開(kāi)路,它的原理是:在被測(cè)器件上放置一塊金屬片感應(yīng)器,器件引腳架、金屬片感應(yīng)器及封裝材料三者就形成一個(gè)電容,然后每一個(gè)引腳依次加入AC激勵(lì),同時(shí)接收耦合到該IC頂部金屬片感應(yīng)器的感應(yīng)信號(hào)(典型值為8~50mV),如圖15.85所示。
邊界掃描技術(shù)作為一種測(cè)試方法,的確能解決P4080PSE1MZA許多測(cè)試方面的問(wèn)題,在全世界得到了廣泛的應(yīng)用,但它的實(shí)施需要設(shè)計(jì)部門(mén)的積極參與,但如今有很多不是邊界掃描單元的器件或僅部分帶有邊界掃描功能的器件仍不能用此技術(shù)來(lái)進(jìn)行測(cè)試,因此20世紀(jì)90年代中期,又出現(xiàn)了非向量測(cè)試技術(shù)(Veclorless Test)。在ICT測(cè)試原理中,數(shù)字電路測(cè)試向量指的是由激勵(lì)電路輸入端和輸出端響應(yīng),是按一定順序排列的二進(jìn)制數(shù)據(jù),對(duì)于一般中小規(guī)模IC,在分析其邏輯功能的基礎(chǔ)上不難以手工編排出向量集,但是對(duì)超大規(guī)模的IC來(lái)說(shuō),尤其是對(duì)ASIC器件,這需要相當(dāng)?shù)挠布蛙浖约跋喈?dāng)?shù)膶?zhuān)業(yè)人員花費(fèi)很多時(shí)間才能完成。對(duì)于沒(méi)有任何實(shí)質(zhì)性資料的大規(guī)模ASIC,特別是有時(shí)對(duì)不同廠(chǎng)家生產(chǎn)的ASIC,一般用戶(hù)幾乎不可能編排出向量集,而新一代的非向量測(cè)試技術(shù)是吸取MDA的原理并結(jié)合ICT的手段,即帶電測(cè)試,它不要求圖形向量就能檢測(cè)出器件的工藝故陣。常用的方法有電容耦合測(cè)試(Frame Scan)、模擬結(jié)測(cè)試(Delta Scan)、頻率電感耦合測(cè)試(Wave Scan),現(xiàn)將它們的原理介紹如下。
電容耦合測(cè)試(Frame Scan)
這種方法不僅能檢查出多種IC封裝器件的開(kāi)路、橋連缺陷,如PLCC、QFP、DIP,還可以發(fā)現(xiàn)組件中非硅元器件中的連接開(kāi)路,它的原理是:在被測(cè)器件上放置一塊金屬片感應(yīng)器,器件引腳架、金屬片感應(yīng)器及封裝材料三者就形成一個(gè)電容,然后每一個(gè)引腳依次加入AC激勵(lì),同時(shí)接收耦合到該IC頂部金屬片感應(yīng)器的感應(yīng)信號(hào)(典型值為8~50mV),如圖15.85所示。
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