負反饋回路
發(fā)布時間:2012/11/2 20:54:15 訪問次數(shù):1393
對于電壓串聯(lián)負反饋電路而言,負反ECJ0EB1C333K饋電路的阻抗愈小,加到VT1發(fā)射極上的負反饋信號電壓愈大,如圖1-132所示。從圖中可以看出,R4和C4串聯(lián)后的總阻抗與R3構(gòu)成對輸出電壓砜的分壓電路,在R3阻值一定時,R4和C4串聯(lián)電路阻抗大,加到VT1發(fā)射極上的負反饋信號電壓坼就。籖4和C4串聯(lián)電路阻抗小,加到VT1發(fā)射極上的負反饋信號電壓坼就大。
電壓串聯(lián)負反饋電路中,加到VT1發(fā)射極上的反饋信號電壓愈大,其負反饋量愈大,放大器的放大倍數(shù)愈;加到VT1發(fā)射極上的反饋信號電壓愈小,其負反饋量愈小,放大器的放大倍數(shù)愈大。
從電路中可以看出這一點,由于負反饋電壓加到VT1發(fā)射極,VT1是NPN型三極管,當(dāng)發(fā)射極電壓增大時會使其基極電流減小,發(fā)射極電壓愈高,其基極電流愈小。
R4和C4是RC串聯(lián)電路,圖1-133所示是它的阻抗特性曲線,x軸是頻率y軸是RC串聯(lián)電路的阻抗Z。從曲線可以看出,它有一個轉(zhuǎn)折頻率fo,當(dāng)頻率高于轉(zhuǎn)折頻率fo時,R4和C4串聯(lián)電路的阻抗大小不變,且等于皿i對頻率低于轉(zhuǎn)折頻率fo的低頻段信號,R4和C4串聯(lián)電路的阻杭大小在變化,且頻率愈低阻抗愈大,這是因為電容C4的容抗隨著頻率的下降而增大。
對于電壓串聯(lián)負反饋電路而言,負反ECJ0EB1C333K饋電路的阻抗愈小,加到VT1發(fā)射極上的負反饋信號電壓愈大,如圖1-132所示。從圖中可以看出,R4和C4串聯(lián)后的總阻抗與R3構(gòu)成對輸出電壓砜的分壓電路,在R3阻值一定時,R4和C4串聯(lián)電路阻抗大,加到VT1發(fā)射極上的負反饋信號電壓坼就。籖4和C4串聯(lián)電路阻抗小,加到VT1發(fā)射極上的負反饋信號電壓坼就大。
電壓串聯(lián)負反饋電路中,加到VT1發(fā)射極上的反饋信號電壓愈大,其負反饋量愈大,放大器的放大倍數(shù)愈。患拥絍T1發(fā)射極上的反饋信號電壓愈小,其負反饋量愈小,放大器的放大倍數(shù)愈大。
從電路中可以看出這一點,由于負反饋電壓加到VT1發(fā)射極,VT1是NPN型三極管,當(dāng)發(fā)射極電壓增大時會使其基極電流減小,發(fā)射極電壓愈高,其基極電流愈小。
R4和C4是RC串聯(lián)電路,圖1-133所示是它的阻抗特性曲線,x軸是頻率y軸是RC串聯(lián)電路的阻抗Z。從曲線可以看出,它有一個轉(zhuǎn)折頻率fo,當(dāng)頻率高于轉(zhuǎn)折頻率fo時,R4和C4串聯(lián)電路的阻抗大小不變,且等于皿i對頻率低于轉(zhuǎn)折頻率fo的低頻段信號,R4和C4串聯(lián)電路的阻杭大小在變化,且頻率愈低阻抗愈大,這是因為電容C4的容抗隨著頻率的下降而增大。
上一篇:負反饋式低頻補償電路
上一篇:LC電路參與的負反饋電路
熱門點擊
- 典型的RC并聯(lián)電路
- 串聯(lián)負反饋對信號源內(nèi)阻要求
- 可焊性測試標(biāo)準(zhǔn)
- 阻尼比
- 錫銅界面合金層
- 錫鉛焊料焊接無鉛BGA的峰值溫度如何定
- 鐵磁體變?yōu)轫槾朋w時所產(chǎn)生的特定溫度
- 什么是底部填充膠
- Ag含量對Sn-Ag-Cu可靠性的影響
- 輸出端無耦合電容
推薦技術(shù)資料
- 聲道前級設(shè)計特點
- 與通常的Hi-Fi前級不同,EP9307-CRZ這臺分... [詳細]
- CV/CC InnoSwitch3-AQ 開
- URF1DxxM-60WR3系
- 1-6W URA24xxN-x
- 閉環(huán)磁通門信號調(diào)節(jié)芯片NSDRV401
- SK-RiSC-SOM-H27X-V1.1應(yīng)
- RISC技術(shù)8位微控制器參數(shù)設(shè)
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究