MOS非門電路
發(fā)布時(shí)間:2012/12/6 20:17:10 訪問次數(shù):3336
圖8-14(a)和圖8-14(b)都是耗盡型MOS管,它們的導(dǎo)通和2SC4901YK-TR-E-Q截止判斷方法同三極管一樣。如圖8-14(a)所示,MOS管箭頭向里、柵極為低電平(G=0)時(shí),管子導(dǎo)通,可理解成柵極低電平、箭頭向里有利于電流流動(dòng),所以管子導(dǎo)通;當(dāng)G=1時(shí),由于柵極為高電平,不利于電流流動(dòng),所以此時(shí)管子截止。如圖8-14(b)所示,管子箭頭向外,當(dāng)G=O時(shí)不利于電流的流動(dòng),所以管子截止:當(dāng)G=1時(shí),有利于電流流動(dòng),此時(shí)管子導(dǎo)通。
如圖8--14(c)和圖8-14(d)所示,它們都是增強(qiáng)型MOS管,對(duì)它們的導(dǎo)通、截止判斷方法與前面正好相反。如圖8-14(c)所示,當(dāng)G=O時(shí),以箭頭上判斷是有利于電流流動(dòng)的,管子應(yīng)該導(dǎo)通,但判斷方法同上恰好相反,此時(shí)管子應(yīng)截止;同樣的道理,當(dāng)G=1時(shí),管子導(dǎo)通。如圖8-14(d)所示,當(dāng)G=O時(shí),管子導(dǎo)通;當(dāng)G=l時(shí),管子截止。
MOS非門電路的優(yōu)點(diǎn)是輸入端是絕緣的,即直流電阻很大,這樣對(duì)直流電源的消耗很小,功耗很小。此外,直流工作電壓范圍較寬,可達(dá)3~12V。
MOS非門電路都已集成電路化,在使用MOS集成電路時(shí)要注意幾點(diǎn):輸入端不能懸空,因?yàn)閼铱蘸筝斎攵藭?huì)感應(yīng)靜電,擊穿柵極而損壞集成電路,同時(shí)也會(huì)受到干擾而造成邏輯混亂,對(duì)于不使用的引腳根據(jù)邏輯功能接高電平(如與非門電路),或是接低電平(如或門電路、或非門電路)。另外,在使用中集成電路的電源切不可接反。
圖8-14(a)和圖8-14(b)都是耗盡型MOS管,它們的導(dǎo)通和2SC4901YK-TR-E-Q截止判斷方法同三極管一樣。如圖8-14(a)所示,MOS管箭頭向里、柵極為低電平(G=0)時(shí),管子導(dǎo)通,可理解成柵極低電平、箭頭向里有利于電流流動(dòng),所以管子導(dǎo)通;當(dāng)G=1時(shí),由于柵極為高電平,不利于電流流動(dòng),所以此時(shí)管子截止。如圖8-14(b)所示,管子箭頭向外,當(dāng)G=O時(shí)不利于電流的流動(dòng),所以管子截止:當(dāng)G=1時(shí),有利于電流流動(dòng),此時(shí)管子導(dǎo)通。
如圖8--14(c)和圖8-14(d)所示,它們都是增強(qiáng)型MOS管,對(duì)它們的導(dǎo)通、截止判斷方法與前面正好相反。如圖8-14(c)所示,當(dāng)G=O時(shí),以箭頭上判斷是有利于電流流動(dòng)的,管子應(yīng)該導(dǎo)通,但判斷方法同上恰好相反,此時(shí)管子應(yīng)截止;同樣的道理,當(dāng)G=1時(shí),管子導(dǎo)通。如圖8-14(d)所示,當(dāng)G=O時(shí),管子導(dǎo)通;當(dāng)G=l時(shí),管子截止。
MOS非門電路的優(yōu)點(diǎn)是輸入端是絕緣的,即直流電阻很大,這樣對(duì)直流電源的消耗很小,功耗很小。此外,直流工作電壓范圍較寬,可達(dá)3~12V。
MOS非門電路都已集成電路化,在使用MOS集成電路時(shí)要注意幾點(diǎn):輸入端不能懸空,因?yàn)閼铱蘸筝斎攵藭?huì)感應(yīng)靜電,擊穿柵極而損壞集成電路,同時(shí)也會(huì)受到干擾而造成邏輯混亂,對(duì)于不使用的引腳根據(jù)邏輯功能接高電平(如與非門電路),或是接低電平(如或門電路、或非門電路)。另外,在使用中集成電路的電源切不可接反。
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