晶體三極管的主要參數(shù)
發(fā)布時(shí)間:2012/12/16 19:32:28 訪問(wèn)次數(shù):3487
晶體管的BP3102參數(shù)比較多，這些參數(shù)可以從晶體管手冊(cè)里查到，下面介紹幾個(gè)主要參數(shù)。
1．共發(fā)射極交流電流放大系數(shù)p(hf。)
我們已經(jīng)知道，晶體管最重要的特點(diǎn)就是具有電流放大作用，當(dāng)基極電流Ib有微小的變化時(shí)，就會(huì)引起集電極電流很大的變化。
共發(fā)射極接法時(shí)，集電極輸出交流電流的變化量AIc:與基極輸入交流電流的變化量AIB的比值，就叫做電流放大系數(shù)，用字母p表示：
p一輸出電流的變化量／輸入電流的變化量—AIC/AIB
由于制造工藝和原材料不可能完全相同，即使同一型號(hào)的管子，其p值也有相當(dāng)大的差別，晶體管的p值一般在幾十到幾百之間。p值太小，電流放大作用就差，但口值太大也并非好事，它可能使晶體管性能不穩(wěn)定，在使用時(shí)應(yīng)該加以注意在晶體管手冊(cè)中，常用hf這個(gè)符號(hào)代表p值。
2．共發(fā)射極直流電流放大系數(shù)矗FE
hFE是共發(fā)射極接法時(shí)．集電極輸出的直流電流與基極輸入的直流流的比值，即：
hFE—IC/IB
FE值和p(hf。)值不完全相同，但是比較接近。
由于測(cè)量Alc和AIB的手續(xù)比較繁瑣，為了簡(jiǎn)化測(cè)試，有時(shí)就直接用IC和工。的比值（即矗FE）來(lái)衡量管子的電流放大能力。
3．集電極反向飽和電流ICBO
當(dāng)發(fā)射極開(kāi)路時(shí)，在基極和集電極之間加上規(guī)定的反向電壓這時(shí)流經(jīng)集電結(jié)的反向電流叫做集電極反向飽和電流，用ICB()表示。
ICB()說(shuō)明集電結(jié)的質(zhì)量，良好的晶體管ICBO很小，在常溫下，小功率鍺管的ICB(，大約10 ptA左右，小功率硅管的IC:BO在1pA以下，甚至更低。大功率鍺管的ICBO要大得多，可以達(dá)到幾mA。而硅管的I(-RO只有同功率鍺管的百分之幾。ICBO的數(shù)值受溫度的影響很大，當(dāng)環(huán)境溫度升高時(shí)迅速增大。
4．集電極一發(fā)射極反向電流（穿透電流）ICE()
這是基極開(kāi)路時(shí)，在集電極和發(fā)射極之間加上規(guī)定的反向電壓V。。時(shí)的集電極電流，常常稱為穿透電流。
穿透電流ICEO和集電極反向飽和電流ICBO之間有一定的關(guān)系，即：
ICE()≈（1+B）ICBO
式中，口是晶體管的電流放大系數(shù)
ICBO和ICE()受溫度影響極大，它們是衡量管子熱穩(wěn)定性的重要參數(shù)，其值越小，性能越穩(wěn)定。
5．特征頻率fT
fT是全面地反映晶體管的高頻放大性能的重要參數(shù)。因?yàn)楫?dāng)頻率廠上升時(shí)，晶體管的盧就會(huì)下降，當(dāng)盧下降到1時(shí)，所對(duì)應(yīng)的f稱為特征頻率。它反映了晶體管的高頻放大性能。
1．共發(fā)射極交流電流放大系數(shù)p(hf。)
我們已經(jīng)知道，晶體管最重要的特點(diǎn)就是具有電流放大作用，當(dāng)基極電流Ib有微小的變化時(shí)，就會(huì)引起集電極電流很大的變化。
共發(fā)射極接法時(shí)，集電極輸出交流電流的變化量AIc:與基極輸入交流電流的變化量AIB的比值，就叫做電流放大系數(shù)，用字母p表示：
p一輸出電流的變化量／輸入電流的變化量—AIC/AIB
由于制造工藝和原材料不可能完全相同，即使同一型號(hào)的管子，其p值也有相當(dāng)大的差別，晶體管的p值一般在幾十到幾百之間。p值太小，電流放大作用就差，但口值太大也并非好事，它可能使晶體管性能不穩(wěn)定，在使用時(shí)應(yīng)該加以注意在晶體管手冊(cè)中，常用hf這個(gè)符號(hào)代表p值。
2．共發(fā)射極直流電流放大系數(shù)矗FE
hFE是共發(fā)射極接法時(shí)．集電極輸出的直流電流與基極輸入的直流流的比值，即：
hFE—IC/IB
FE值和p(hf。)值不完全相同，但是比較接近。
由于測(cè)量Alc和AIB的手續(xù)比較繁瑣，為了簡(jiǎn)化測(cè)試，有時(shí)就直接用IC和工。的比值（即矗FE）來(lái)衡量管子的電流放大能力。
3．集電極反向飽和電流ICBO
當(dāng)發(fā)射極開(kāi)路時(shí)，在基極和集電極之間加上規(guī)定的反向電壓這時(shí)流經(jīng)集電結(jié)的反向電流叫做集電極反向飽和電流，用ICB()表示。
ICB()說(shuō)明集電結(jié)的質(zhì)量，良好的晶體管ICBO很小，在常溫下，小功率鍺管的ICB(，大約10 ptA左右，小功率硅管的IC:BO在1pA以下，甚至更低。大功率鍺管的ICBO要大得多，可以達(dá)到幾mA。而硅管的I(-RO只有同功率鍺管的百分之幾。ICBO的數(shù)值受溫度的影響很大，當(dāng)環(huán)境溫度升高時(shí)迅速增大。
4．集電極一發(fā)射極反向電流（穿透電流）ICE()
這是基極開(kāi)路時(shí)，在集電極和發(fā)射極之間加上規(guī)定的反向電壓V。。時(shí)的集電極電流，常常稱為穿透電流。
穿透電流ICEO和集電極反向飽和電流ICBO之間有一定的關(guān)系，即：
ICE()≈（1+B）ICBO
式中，口是晶體管的電流放大系數(shù)
ICBO和ICE()受溫度影響極大，它們是衡量管子熱穩(wěn)定性的重要參數(shù)，其值越小，性能越穩(wěn)定。
5．特征頻率fT
fT是全面地反映晶體管的高頻放大性能的重要參數(shù)。因?yàn)楫?dāng)頻率廠上升時(shí)，晶體管的盧就會(huì)下降，當(dāng)盧下降到1時(shí)，所對(duì)應(yīng)的f稱為特征頻率。它反映了晶體管的高頻放大性能。
晶體管的BP3102參數(shù)比較多，這些參數(shù)可以從晶體管手冊(cè)里查到，下面介紹幾個(gè)主要參數(shù)。
1．共發(fā)射極交流電流放大系數(shù)p(hf。)
我們已經(jīng)知道，晶體管最重要的特點(diǎn)就是具有電流放大作用，當(dāng)基極電流Ib有微小的變化時(shí)，就會(huì)引起集電極電流很大的變化。
共發(fā)射極接法時(shí)，集電極輸出交流電流的變化量AIc:與基極輸入交流電流的變化量AIB的比值，就叫做電流放大系數(shù)，用字母p表示：
p一輸出電流的變化量／輸入電流的變化量—AIC/AIB
由于制造工藝和原材料不可能完全相同，即使同一型號(hào)的管子，其p值也有相當(dāng)大的差別，晶體管的p值一般在幾十到幾百之間。p值太小，電流放大作用就差，但口值太大也并非好事，它可能使晶體管性能不穩(wěn)定，在使用時(shí)應(yīng)該加以注意在晶體管手冊(cè)中，常用hf這個(gè)符號(hào)代表p值。
2．共發(fā)射極直流電流放大系數(shù)矗FE
hFE是共發(fā)射極接法時(shí)．集電極輸出的直流電流與基極輸入的直流流的比值，即：
hFE—IC/IB
FE值和p(hf。)值不完全相同，但是比較接近。
由于測(cè)量Alc和AIB的手續(xù)比較繁瑣，為了簡(jiǎn)化測(cè)試，有時(shí)就直接用IC和工。的比值（即矗FE）來(lái)衡量管子的電流放大能力。
3．集電極反向飽和電流ICBO
當(dāng)發(fā)射極開(kāi)路時(shí)，在基極和集電極之間加上規(guī)定的反向電壓這時(shí)流經(jīng)集電結(jié)的反向電流叫做集電極反向飽和電流，用ICB()表示。
ICB()說(shuō)明集電結(jié)的質(zhì)量，良好的晶體管ICBO很小，在常溫下，小功率鍺管的ICB(，大約10 ptA左右，小功率硅管的IC:BO在1pA以下，甚至更低。大功率鍺管的ICBO要大得多，可以達(dá)到幾mA。而硅管的I(-RO只有同功率鍺管的百分之幾。ICBO的數(shù)值受溫度的影響很大，當(dāng)環(huán)境溫度升高時(shí)迅速增大。
4．集電極一發(fā)射極反向電流（穿透電流）ICE()
這是基極開(kāi)路時(shí)，在集電極和發(fā)射極之間加上規(guī)定的反向電壓V。。時(shí)的集電極電流，常常稱為穿透電流。
穿透電流ICEO和集電極反向飽和電流ICBO之間有一定的關(guān)系，即：
ICE()≈（1+B）ICBO
式中，口是晶體管的電流放大系數(shù)
ICBO和ICE()受溫度影響極大，它們是衡量管子熱穩(wěn)定性的重要參數(shù)，其值越小，性能越穩(wěn)定。
5．特征頻率fT
fT是全面地反映晶體管的高頻放大性能的重要參數(shù)。因?yàn)楫?dāng)頻率廠上升時(shí)，晶體管的盧就會(huì)下降，當(dāng)盧下降到1時(shí)，所對(duì)應(yīng)的f稱為特征頻率。它反映了晶體管的高頻放大性能。
1．共發(fā)射極交流電流放大系數(shù)p(hf。)
我們已經(jīng)知道，晶體管最重要的特點(diǎn)就是具有電流放大作用，當(dāng)基極電流Ib有微小的變化時(shí)，就會(huì)引起集電極電流很大的變化。
共發(fā)射極接法時(shí)，集電極輸出交流電流的變化量AIc:與基極輸入交流電流的變化量AIB的比值，就叫做電流放大系數(shù)，用字母p表示：
p一輸出電流的變化量／輸入電流的變化量—AIC/AIB
由于制造工藝和原材料不可能完全相同，即使同一型號(hào)的管子，其p值也有相當(dāng)大的差別，晶體管的p值一般在幾十到幾百之間。p值太小，電流放大作用就差，但口值太大也并非好事，它可能使晶體管性能不穩(wěn)定，在使用時(shí)應(yīng)該加以注意在晶體管手冊(cè)中，常用hf這個(gè)符號(hào)代表p值。
2．共發(fā)射極直流電流放大系數(shù)矗FE
hFE是共發(fā)射極接法時(shí)．集電極輸出的直流電流與基極輸入的直流流的比值，即：
hFE—IC/IB
FE值和p(hf。)值不完全相同，但是比較接近。
由于測(cè)量Alc和AIB的手續(xù)比較繁瑣，為了簡(jiǎn)化測(cè)試，有時(shí)就直接用IC和工。的比值（即矗FE）來(lái)衡量管子的電流放大能力。
3．集電極反向飽和電流ICBO
當(dāng)發(fā)射極開(kāi)路時(shí)，在基極和集電極之間加上規(guī)定的反向電壓這時(shí)流經(jīng)集電結(jié)的反向電流叫做集電極反向飽和電流，用ICB()表示。
ICB()說(shuō)明集電結(jié)的質(zhì)量，良好的晶體管ICBO很小，在常溫下，小功率鍺管的ICB(，大約10 ptA左右，小功率硅管的IC:BO在1pA以下，甚至更低。大功率鍺管的ICBO要大得多，可以達(dá)到幾mA。而硅管的I(-RO只有同功率鍺管的百分之幾。ICBO的數(shù)值受溫度的影響很大，當(dāng)環(huán)境溫度升高時(shí)迅速增大。
4．集電極一發(fā)射極反向電流（穿透電流）ICE()
這是基極開(kāi)路時(shí)，在集電極和發(fā)射極之間加上規(guī)定的反向電壓V。。時(shí)的集電極電流，常常稱為穿透電流。
穿透電流ICEO和集電極反向飽和電流ICBO之間有一定的關(guān)系，即：
ICE()≈（1+B）ICBO
式中，口是晶體管的電流放大系數(shù)
ICBO和ICE()受溫度影響極大，它們是衡量管子熱穩(wěn)定性的重要參數(shù)，其值越小，性能越穩(wěn)定。
5．特征頻率fT
fT是全面地反映晶體管的高頻放大性能的重要參數(shù)。因?yàn)楫?dāng)頻率廠上升時(shí)，晶體管的盧就會(huì)下降，當(dāng)盧下降到1時(shí)，所對(duì)應(yīng)的f稱為特征頻率。它反映了晶體管的高頻放大性能。
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