晶體三極管的極限參數(shù)
發(fā)布時(shí)間:2012/12/16 19:42:16 訪問(wèn)次數(shù):2913
晶體管工作時(shí)，加在晶體管上的電壓和通過(guò)晶體管的電流是有一定限度的，超過(guò)限度將使晶體管損壞或者影響它的正常性能。晶體管的極限參數(shù)就是用來(lái)說(shuō)明這種限制的，晶體管的極限參數(shù)主要有下面三種：
1．集電極最大允許電流ICM
當(dāng)集電極電流J。超過(guò)一定值時(shí)，晶體管的M29F040B70N6E參數(shù)開(kāi)始發(fā)生變化，犄別是電流放大系數(shù)p要下降。一般規(guī)定』8值下降到原來(lái)數(shù)值的1／2（或l／3）時(shí)的集電極電流，叫做集電極最大允許電流，用ICM表示。
在使用晶體管時(shí)，集電極電流Ic超過(guò)ICM并不一定會(huì)使晶體管損壞，然而它是以降低p值為代價(jià)的。
2．集電極一發(fā)射極擊穿電壓B VCEO
當(dāng)基極開(kāi)路時(shí)，加在集電極和發(fā)射極之間的最大允許電壓，叫做集電極一發(fā)射極擊穿電壓B V(:EO(對(duì)NPN型管來(lái)說(shuō)，集電極接正極、發(fā)射極接負(fù)極，PNP型管的電壓極性則相反)。當(dāng)集電極一發(fā)射極間電壓VCE大于B Vc EO時(shí)，流經(jīng)晶體管的電流將突然增加很多，晶體管就被擊穿。
在手冊(cè)中給出的B Vceo，值一般是常溫(25℃)下的值，晶體管在高溫下使用時(shí)，其允許電壓要比常溫下的數(shù)值低得多。所以在高溫情況下使用晶體管時(shí)，要留有一定的耐壓余量。
1．集電極最大允許電流ICM
當(dāng)集電極電流J。超過(guò)一定值時(shí)，晶體管的M29F040B70N6E參數(shù)開(kāi)始發(fā)生變化，犄別是電流放大系數(shù)p要下降。一般規(guī)定』8值下降到原來(lái)數(shù)值的1／2（或l／3）時(shí)的集電極電流，叫做集電極最大允許電流，用ICM表示。
在使用晶體管時(shí)，集電極電流Ic超過(guò)ICM并不一定會(huì)使晶體管損壞，然而它是以降低p值為代價(jià)的。
2．集電極一發(fā)射極擊穿電壓B VCEO
當(dāng)基極開(kāi)路時(shí)，加在集電極和發(fā)射極之間的最大允許電壓，叫做集電極一發(fā)射極擊穿電壓B V(:EO(對(duì)NPN型管來(lái)說(shuō)，集電極接正極、發(fā)射極接負(fù)極，PNP型管的電壓極性則相反)。當(dāng)集電極一發(fā)射極間電壓VCE大于B Vc EO時(shí)，流經(jīng)晶體管的電流將突然增加很多，晶體管就被擊穿。
在手冊(cè)中給出的B Vceo，值一般是常溫(25℃)下的值，晶體管在高溫下使用時(shí)，其允許電壓要比常溫下的數(shù)值低得多。所以在高溫情況下使用晶體管時(shí)，要留有一定的耐壓余量。
晶體管工作時(shí)，加在晶體管上的電壓和通過(guò)晶體管的電流是有一定限度的，超過(guò)限度將使晶體管損壞或者影響它的正常性能。晶體管的極限參數(shù)就是用來(lái)說(shuō)明這種限制的，晶體管的極限參數(shù)主要有下面三種：
1．集電極最大允許電流ICM
當(dāng)集電極電流J。超過(guò)一定值時(shí)，晶體管的M29F040B70N6E參數(shù)開(kāi)始發(fā)生變化，犄別是電流放大系數(shù)p要下降。一般規(guī)定』8值下降到原來(lái)數(shù)值的1／2（或l／3）時(shí)的集電極電流，叫做集電極最大允許電流，用ICM表示。
在使用晶體管時(shí)，集電極電流Ic超過(guò)ICM并不一定會(huì)使晶體管損壞，然而它是以降低p值為代價(jià)的。
2．集電極一發(fā)射極擊穿電壓B VCEO
當(dāng)基極開(kāi)路時(shí)，加在集電極和發(fā)射極之間的最大允許電壓，叫做集電極一發(fā)射極擊穿電壓B V(:EO(對(duì)NPN型管來(lái)說(shuō)，集電極接正極、發(fā)射極接負(fù)極，PNP型管的電壓極性則相反)。當(dāng)集電極一發(fā)射極間電壓VCE大于B Vc EO時(shí)，流經(jīng)晶體管的電流將突然增加很多，晶體管就被擊穿。
在手冊(cè)中給出的B Vceo，值一般是常溫(25℃)下的值，晶體管在高溫下使用時(shí)，其允許電壓要比常溫下的數(shù)值低得多。所以在高溫情況下使用晶體管時(shí)，要留有一定的耐壓余量。
1．集電極最大允許電流ICM
當(dāng)集電極電流J。超過(guò)一定值時(shí)，晶體管的M29F040B70N6E參數(shù)開(kāi)始發(fā)生變化，犄別是電流放大系數(shù)p要下降。一般規(guī)定』8值下降到原來(lái)數(shù)值的1／2（或l／3）時(shí)的集電極電流，叫做集電極最大允許電流，用ICM表示。
在使用晶體管時(shí)，集電極電流Ic超過(guò)ICM并不一定會(huì)使晶體管損壞，然而它是以降低p值為代價(jià)的。
2．集電極一發(fā)射極擊穿電壓B VCEO
當(dāng)基極開(kāi)路時(shí)，加在集電極和發(fā)射極之間的最大允許電壓，叫做集電極一發(fā)射極擊穿電壓B V(:EO(對(duì)NPN型管來(lái)說(shuō)，集電極接正極、發(fā)射極接負(fù)極，PNP型管的電壓極性則相反)。當(dāng)集電極一發(fā)射極間電壓VCE大于B Vc EO時(shí)，流經(jīng)晶體管的電流將突然增加很多，晶體管就被擊穿。
在手冊(cè)中給出的B Vceo，值一般是常溫(25℃)下的值，晶體管在高溫下使用時(shí)，其允許電壓要比常溫下的數(shù)值低得多。所以在高溫情況下使用晶體管時(shí)，要留有一定的耐壓余量。
上一篇：晶體三極管的主要參數(shù)
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