晶體三極管的極限參數(shù)
發(fā)布時間:2012/12/16 19:42:16 訪問次數(shù):2894
晶體管工作時,加在晶體管上的電壓和通過晶體管的電流是有一定限度的,超過限度將使晶體管損壞或者影響它的正常性能。晶體管的極限參數(shù)就是用來說明這種限制的,晶體管的極限參數(shù)主要有下面三種:
1.集電極最大允許電流ICM
當集電極電流J。超過一定值時,晶體管的M29F040B70N6E參數(shù)開始發(fā)生變化,犄別是電流放大系數(shù)p要下降。一般規(guī)定』8值下降到原來數(shù)值的1/2(或l/3)時的集電極電流,叫做集電極最大允許電流,用ICM表示。
在使用晶體管時,集電極電流Ic超過ICM并不一定會使晶體管損壞,然而它是以降低p值為代價的。
2.集電極一發(fā)射極擊穿電壓B VCEO
當基極開路時,加在集電極和發(fā)射極之間的最大允許電壓,叫做集電極一發(fā)射極擊穿電壓B V(:EO(對NPN型管來說,集電極接正極、發(fā)射極接負極,PNP型管的電壓極性則相反)。當集電極一發(fā)射極間電壓VCE大于B Vc EO時,流經(jīng)晶體管的電流將突然增加很多,晶體管就被擊穿。
在手冊中給出的B Vceo,值一般是常溫(25℃)下的值,晶體管在高溫下使用時,其允許電壓要比常溫下的數(shù)值低得多。所以在高溫情況下使用晶體管時,要留有一定的耐壓余量。
1.集電極最大允許電流ICM
當集電極電流J。超過一定值時,晶體管的M29F040B70N6E參數(shù)開始發(fā)生變化,犄別是電流放大系數(shù)p要下降。一般規(guī)定』8值下降到原來數(shù)值的1/2(或l/3)時的集電極電流,叫做集電極最大允許電流,用ICM表示。
在使用晶體管時,集電極電流Ic超過ICM并不一定會使晶體管損壞,然而它是以降低p值為代價的。
2.集電極一發(fā)射極擊穿電壓B VCEO
當基極開路時,加在集電極和發(fā)射極之間的最大允許電壓,叫做集電極一發(fā)射極擊穿電壓B V(:EO(對NPN型管來說,集電極接正極、發(fā)射極接負極,PNP型管的電壓極性則相反)。當集電極一發(fā)射極間電壓VCE大于B Vc EO時,流經(jīng)晶體管的電流將突然增加很多,晶體管就被擊穿。
在手冊中給出的B Vceo,值一般是常溫(25℃)下的值,晶體管在高溫下使用時,其允許電壓要比常溫下的數(shù)值低得多。所以在高溫情況下使用晶體管時,要留有一定的耐壓余量。
晶體管工作時,加在晶體管上的電壓和通過晶體管的電流是有一定限度的,超過限度將使晶體管損壞或者影響它的正常性能。晶體管的極限參數(shù)就是用來說明這種限制的,晶體管的極限參數(shù)主要有下面三種:
1.集電極最大允許電流ICM
當集電極電流J。超過一定值時,晶體管的M29F040B70N6E參數(shù)開始發(fā)生變化,犄別是電流放大系數(shù)p要下降。一般規(guī)定』8值下降到原來數(shù)值的1/2(或l/3)時的集電極電流,叫做集電極最大允許電流,用ICM表示。
在使用晶體管時,集電極電流Ic超過ICM并不一定會使晶體管損壞,然而它是以降低p值為代價的。
2.集電極一發(fā)射極擊穿電壓B VCEO
當基極開路時,加在集電極和發(fā)射極之間的最大允許電壓,叫做集電極一發(fā)射極擊穿電壓B V(:EO(對NPN型管來說,集電極接正極、發(fā)射極接負極,PNP型管的電壓極性則相反)。當集電極一發(fā)射極間電壓VCE大于B Vc EO時,流經(jīng)晶體管的電流將突然增加很多,晶體管就被擊穿。
在手冊中給出的B Vceo,值一般是常溫(25℃)下的值,晶體管在高溫下使用時,其允許電壓要比常溫下的數(shù)值低得多。所以在高溫情況下使用晶體管時,要留有一定的耐壓余量。
1.集電極最大允許電流ICM
當集電極電流J。超過一定值時,晶體管的M29F040B70N6E參數(shù)開始發(fā)生變化,犄別是電流放大系數(shù)p要下降。一般規(guī)定』8值下降到原來數(shù)值的1/2(或l/3)時的集電極電流,叫做集電極最大允許電流,用ICM表示。
在使用晶體管時,集電極電流Ic超過ICM并不一定會使晶體管損壞,然而它是以降低p值為代價的。
2.集電極一發(fā)射極擊穿電壓B VCEO
當基極開路時,加在集電極和發(fā)射極之間的最大允許電壓,叫做集電極一發(fā)射極擊穿電壓B V(:EO(對NPN型管來說,集電極接正極、發(fā)射極接負極,PNP型管的電壓極性則相反)。當集電極一發(fā)射極間電壓VCE大于B Vc EO時,流經(jīng)晶體管的電流將突然增加很多,晶體管就被擊穿。
在手冊中給出的B Vceo,值一般是常溫(25℃)下的值,晶體管在高溫下使用時,其允許電壓要比常溫下的數(shù)值低得多。所以在高溫情況下使用晶體管時,要留有一定的耐壓余量。
上一篇:晶體三極管的主要參數(shù)
上一篇:集電極最大允許耗散功率PCM
熱門點擊
- 典型檢波電路工作原理分析
- AFC電路
- 晶體三極管的主要參數(shù)
- 晶體三極管的極限參數(shù)
- ANC電路
- 壓電陶瓷片的圖形符號、文字符號和標注
- 交流電流測量
- 克服空翻的方法
- 中放AGC電路
- 直放式收音機與超外差式收音機
推薦技術(shù)資料
- 繪制印制電路板的過程
- 繪制印制電路板是相當重要的過程,EPL2010新穎的理... [詳細]
- CV/CC InnoSwitch3-AQ 開
- URF1DxxM-60WR3系
- 1-6W URA24xxN-x
- 閉環(huán)磁通門信號調(diào)節(jié)芯片NSDRV401
- SK-RiSC-SOM-H27X-V1.1應(yīng)
- RISC技術(shù)8位微控制器參數(shù)設(shè)
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究