集電極最大允許耗散功率PCM
發(fā)布時間:2012/12/16 19:43:35 訪問次數(shù):8029
晶體管在正常工作時，集電結(jié)上加的MBRF1635是反向電壓，電流經(jīng)過集電結(jié)時將產(chǎn)生大量的熱，使集電結(jié)溫度升高。如果集電極電流過大，集電結(jié)將因過熱而燒壞或者使晶體管性能發(fā)生很大變化。
集電極最大允許耗散功率P。：M，就是使晶體管因受熱而引起的參數(shù)變化不超過允許值時，集電極所消耗的最大功率。在這個耗散功率下，晶體管仍能正常地、安全地工作。
晶體管的實際耗散功率等于集電極直流電壓和電流的乘積，即Pc：一VCE×Ic，使用時應(yīng)該使PC<PCM。
晶體管的最大允許耗散功率主要受PN結(jié)溫度（簡稱結(jié)溫，用Tj表示）的限制，通常鍺管的工作溫度上限是70℃～90 0C，硅管可達(dá)150℃，在使用時應(yīng)加以注意。
特別要提請注意的是，晶體管工作時集電極最大允許電流ICM和集電極一發(fā)射極擊穿電壓B V(:EO不允許同時達(dá)到，否則將大大超過PCM值。同時，還要考慮環(huán)境溫度的影響，因為手冊上所列的PCM值一般都是常溫下的數(shù)值。
PCM與散熱條件有關(guān)．增加散熱片可提高PCM。
晶體三極管的分類
晶體管三極管的種類和型號有很多，它們各有不同的用途。按照材料可以將晶體管分為鍺晶體管和硅晶體管；按照極性可以分為PNP型晶體管和NPN型晶體管；按照頻率特性可以分為低頻晶體管和高頻晶體管；按照功率大小可以分為小功率管、中功率管和大功率管；按照用途可以分為普通管、變頻管、高頻管、中放管、低噪聲放大管、功率放大管、開關(guān)管等。
集電極最大允許耗散功率P。：M，就是使晶體管因受熱而引起的參數(shù)變化不超過允許值時，集電極所消耗的最大功率。在這個耗散功率下，晶體管仍能正常地、安全地工作。
晶體管的實際耗散功率等于集電極直流電壓和電流的乘積，即Pc：一VCE×Ic，使用時應(yīng)該使PC<PCM。
晶體管的最大允許耗散功率主要受PN結(jié)溫度（簡稱結(jié)溫，用Tj表示）的限制，通常鍺管的工作溫度上限是70℃～90 0C，硅管可達(dá)150℃，在使用時應(yīng)加以注意。
特別要提請注意的是，晶體管工作時集電極最大允許電流ICM和集電極一發(fā)射極擊穿電壓B V(:EO不允許同時達(dá)到，否則將大大超過PCM值。同時，還要考慮環(huán)境溫度的影響，因為手冊上所列的PCM值一般都是常溫下的數(shù)值。
PCM與散熱條件有關(guān)．增加散熱片可提高PCM。
晶體三極管的分類
晶體管三極管的種類和型號有很多，它們各有不同的用途。按照材料可以將晶體管分為鍺晶體管和硅晶體管；按照極性可以分為PNP型晶體管和NPN型晶體管；按照頻率特性可以分為低頻晶體管和高頻晶體管；按照功率大小可以分為小功率管、中功率管和大功率管；按照用途可以分為普通管、變頻管、高頻管、中放管、低噪聲放大管、功率放大管、開關(guān)管等。
晶體管在正常工作時，集電結(jié)上加的MBRF1635是反向電壓，電流經(jīng)過集電結(jié)時將產(chǎn)生大量的熱，使集電結(jié)溫度升高。如果集電極電流過大，集電結(jié)將因過熱而燒壞或者使晶體管性能發(fā)生很大變化。
集電極最大允許耗散功率P。：M，就是使晶體管因受熱而引起的參數(shù)變化不超過允許值時，集電極所消耗的最大功率。在這個耗散功率下，晶體管仍能正常地、安全地工作。
晶體管的實際耗散功率等于集電極直流電壓和電流的乘積，即Pc：一VCE×Ic，使用時應(yīng)該使PC<PCM。
晶體管的最大允許耗散功率主要受PN結(jié)溫度（簡稱結(jié)溫，用Tj表示）的限制，通常鍺管的工作溫度上限是70℃～90 0C，硅管可達(dá)150℃，在使用時應(yīng)加以注意。
特別要提請注意的是，晶體管工作時集電極最大允許電流ICM和集電極一發(fā)射極擊穿電壓B V(:EO不允許同時達(dá)到，否則將大大超過PCM值。同時，還要考慮環(huán)境溫度的影響，因為手冊上所列的PCM值一般都是常溫下的數(shù)值。
PCM與散熱條件有關(guān)．增加散熱片可提高PCM。
晶體三極管的分類
晶體管三極管的種類和型號有很多，它們各有不同的用途。按照材料可以將晶體管分為鍺晶體管和硅晶體管；按照極性可以分為PNP型晶體管和NPN型晶體管；按照頻率特性可以分為低頻晶體管和高頻晶體管；按照功率大小可以分為小功率管、中功率管和大功率管；按照用途可以分為普通管、變頻管、高頻管、中放管、低噪聲放大管、功率放大管、開關(guān)管等。
集電極最大允許耗散功率P。：M，就是使晶體管因受熱而引起的參數(shù)變化不超過允許值時，集電極所消耗的最大功率。在這個耗散功率下，晶體管仍能正常地、安全地工作。
晶體管的實際耗散功率等于集電極直流電壓和電流的乘積，即Pc：一VCE×Ic，使用時應(yīng)該使PC<PCM。
晶體管的最大允許耗散功率主要受PN結(jié)溫度（簡稱結(jié)溫，用Tj表示）的限制，通常鍺管的工作溫度上限是70℃～90 0C，硅管可達(dá)150℃，在使用時應(yīng)加以注意。
特別要提請注意的是，晶體管工作時集電極最大允許電流ICM和集電極一發(fā)射極擊穿電壓B V(:EO不允許同時達(dá)到，否則將大大超過PCM值。同時，還要考慮環(huán)境溫度的影響，因為手冊上所列的PCM值一般都是常溫下的數(shù)值。
PCM與散熱條件有關(guān)．增加散熱片可提高PCM。
晶體三極管的分類
晶體管三極管的種類和型號有很多，它們各有不同的用途。按照材料可以將晶體管分為鍺晶體管和硅晶體管；按照極性可以分為PNP型晶體管和NPN型晶體管；按照頻率特性可以分為低頻晶體管和高頻晶體管；按照功率大小可以分為小功率管、中功率管和大功率管；按照用途可以分為普通管、變頻管、高頻管、中放管、低噪聲放大管、功率放大管、開關(guān)管等。
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