用指針式萬用表測試大功率晶體管
發(fā)布時間:2012/12/23 12:34:18 訪問次數(shù):1364
大功率晶體三CP82C88極管的ICBO(集電極一基極反向截止電流)和ICEO(穿透電流)都比較大,如果仍然用R×lk或者R×100擋去測量正、反向電阻,就會發(fā)現(xiàn)電阻值都很小,會造成判斷困難甚至判斷失誤。因此應(yīng)該用萬用表的低電阻擋來測量,一般用R×10或者R×1擋。另外,測試放大能力時,集電極C與基極B之間所跨接的電阻器也應(yīng)該減小為500fl~lkQ左右。
用hFE插座測量三極管直流電流放大系數(shù)
如果你的萬用電表有測量晶體三極管直流電流放大系數(shù)hFE的功能,可以方便的測量晶體三極管的直流電流放大系數(shù)。以MF47型萬用表為例,先將選擇開關(guān)置于ADJ(調(diào)節(jié))擋,把兩支表筆短路,這時萬用表指針向右邊偏轉(zhuǎn),調(diào)整歐姆調(diào)零旋鈕,使指針對準(zhǔn)300hFE刻度線,如圖4.59所示。
然后松開兩支表筆,轉(zhuǎn)動選擇開關(guān)到hFE擋,把待測晶體三極管的三個管腳分別插入萬用表面板上的晶體管測試插座的C、B、E孔中,指針在hFE刻度尺(綠色)上所指示的數(shù)值就是該晶體三極管的hFE值。特別需要注意的是,NPN型和PNP墅晶體三極管要插入不同的插孔,在萬用表面板上的插孔下面有明確的N、P標(biāo)記,NPN型晶體管應(yīng)插入N側(cè)的插孔,PNP型晶體管應(yīng)插入P側(cè)的插孔,如圖4.60所示。
大功率晶體三CP82C88極管的ICBO(集電極一基極反向截止電流)和ICEO(穿透電流)都比較大,如果仍然用R×lk或者R×100擋去測量正、反向電阻,就會發(fā)現(xiàn)電阻值都很小,會造成判斷困難甚至判斷失誤。因此應(yīng)該用萬用表的低電阻擋來測量,一般用R×10或者R×1擋。另外,測試放大能力時,集電極C與基極B之間所跨接的電阻器也應(yīng)該減小為500fl~lkQ左右。
用hFE插座測量三極管直流電流放大系數(shù)
如果你的萬用電表有測量晶體三極管直流電流放大系數(shù)hFE的功能,可以方便的測量晶體三極管的直流電流放大系數(shù)。以MF47型萬用表為例,先將選擇開關(guān)置于ADJ(調(diào)節(jié))擋,把兩支表筆短路,這時萬用表指針向右邊偏轉(zhuǎn),調(diào)整歐姆調(diào)零旋鈕,使指針對準(zhǔn)300hFE刻度線,如圖4.59所示。
然后松開兩支表筆,轉(zhuǎn)動選擇開關(guān)到hFE擋,把待測晶體三極管的三個管腳分別插入萬用表面板上的晶體管測試插座的C、B、E孔中,指針在hFE刻度尺(綠色)上所指示的數(shù)值就是該晶體三極管的hFE值。特別需要注意的是,NPN型和PNP墅晶體三極管要插入不同的插孔,在萬用表面板上的插孔下面有明確的N、P標(biāo)記,NPN型晶體管應(yīng)插入N側(cè)的插孔,PNP型晶體管應(yīng)插入P側(cè)的插孔,如圖4.60所示。
熱門點擊
- 典型檢波電路工作原理分析
- AFC電路
- 晶體三極管的主要參數(shù)
- 晶體三極管的極限參數(shù)
- 壓電陶瓷片的圖形符號、文字符號和標(biāo)注
- 交流電流測量
- 克服空翻的方法
- 中放AGC電路
- 直放式收音機與超外差式收音機
- 壓電陶瓷片
推薦技術(shù)資料
- 繪制印制電路板的過程
- 繪制印制電路板是相當(dāng)重要的過程,EPL2010新穎的理... [詳細(xì)]
- AMOLED顯示驅(qū)動芯片關(guān)鍵技
- CMOS圖像傳感器技術(shù)參數(shù)設(shè)計
- GB300 超級芯片應(yīng)用需求分
- 4NP 工藝NVIDIA Bl
- GB300 芯片、NVL72
- 首個最新高端芯片人工智能服務(wù)器
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究