純凈的半導(dǎo)體導(dǎo)電能力較差，但如果DAC0800LCM在純凈的半導(dǎo)體（鍺和硅）中摻人5價(jià)雜質(zhì)元素，如磷，銻，砷等，就會(huì)使半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能顯著增加。磷原子的最外層有5個(gè)電子，如果被摻人到“純硅”中后，當(dāng)一個(gè)磷原子取代一個(gè)硅原子時(shí)，其外層的4個(gè)價(jià)電子與4個(gè)相鄰磷原子形成共價(jià)鍵，第5個(gè)價(jià)電子不在共價(jià)鍵中，成了自由電子，如圖4.3(a)所示。通過摻雜可使自由電子的數(shù)量猛增，遠(yuǎn)比因?yàn)闇囟壬咚a(chǎn)生的自由電子（稱熱激發(fā)）多。這樣電子與空穴的復(fù)合率勢必提高，也就是說空穴的數(shù)量要大為減少。在摻雜5價(jià)雜質(zhì)元素的情況下，導(dǎo)電主要靠自由電子，所以稱這種半導(dǎo)體為電子半導(dǎo)體，簡稱“N型”半導(dǎo)體。5價(jià)元素原子由于處于晶格的位置上，且釋放了1個(gè)電子而成為不能移動(dòng)的正離子，其等效結(jié)構(gòu)圖如圖4.3(b)所示。

            
    按以上方法，在純凈硅中摻雜3價(jià)雜質(zhì)元素，如硼、錫、銦等，可以得到空穴半導(dǎo)體。因?yàn)榕鹪拥淖钔鈱佑?個(gè)電子，當(dāng)1個(gè)硼原子取代1個(gè)硅原子時(shí)，只形成了3個(gè)共價(jià)鍵，第4個(gè)由于缺少1個(gè)電子而形成1個(gè)空穴，如圖4.4(a)所示。
    像這樣，每摻人1個(gè)硼原子就能提供1個(gè)空穴，從而可使空穴的數(shù)量遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過白由電子。因此，這種半導(dǎo)體的導(dǎo)電主要靠空穴，稱為空穴半導(dǎo)體，簡稱“P型”半導(dǎo)體。3價(jià)元素原子由于處于晶格的位置上，且吸收了1個(gè)電子而成為不能移動(dòng)的負(fù)離子，其等效結(jié)構(gòu)圖如圖4.4(b)所示。