除了PNP型鍺材料BL-HZ336G-L8-TRB三極管、NPN型硅材料三極管，常見的還有PNP型硅材料三極管（如3CG系列）和NPN型鍺材料三極管（如3BX系列）。PNP型硅材料三極管的檢測可將萬用表置R×lok擋，參照PNP型鍺材料三極管的檢測進行。NPN型鍺材料三極管的檢測可將萬用表置R×lk擋，參照NPN型硅材料三極管的檢測進行。
    需要說明的是，上述檢測過程所給的測量電阻值只供參考。因不同型號的三極管，極間的電阻值不同，即使同一型號的三極管，極間電阻值也有差異。對同一個三極管來說，極間電阻值不是常數(shù)，用不同的電阻擋測量的電阻值差異也很大。
    場效應(yīng)晶體管簡稱FET，是一種具有PN結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件，但它與普通半導(dǎo)體三極管的不同之處在于它是電壓控制器件。場效應(yīng)晶體管的輸入阻抗高、噪聲小、熱穩(wěn)定性好、便于集成，但是容易擊穿。

    場效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)和圖形符號.場效應(yīng)晶體管(FET:field-effect transistor)是由電場控制載流子移動的器件。FET大致可以分為結(jié)型FET和MOS型FET(圖2.33)，它們各有三個電極：源極(S：source)、漏極(D: drain)和柵極(G:gate)。

    結(jié)型FET.如圖2. 33(a)所示，結(jié)型FET是在有源極和漏極兩個電極的N型半導(dǎo)體中，形成有柵極的P型半導(dǎo)體而構(gòu)成的。其中，在源極和柵極之間流過電流，把此通路稱為溝道。因此，把源極和柵極之間的電流在N型半導(dǎo)體中流動的情況稱為N型溝道。
    此外，還有源極和漏極之間為P型，柵極為N型的結(jié)型FET。這時，由于電流的通路為P型半導(dǎo)體，所以稱為P型溝道。
    MOS型FET.如圖2. 33(b)所示，MOS型FET是在P型半導(dǎo)俸中形成兩個N型半導(dǎo)體，將表面氧化形成絕緣良好的氧化絕緣膜，再在其上安裝金屬作為柵極而構(gòu)成的。因此，此FET在結(jié)構(gòu)上依次形成金屬(metal)、氧化物(oxide)、半導(dǎo)體(semiconductor)，取其首字母稱為MOS型。   

    由此，如圖2. 33(b)所示，在漏極和源極之間加電壓時，由于反向電壓加在PN結(jié)上而形成耗盡層。這時在柵極和P型襯底之間加正電壓時，由于柵極的正電壓，在下側(cè)靠近柵極的耗盡層內(nèi)，因靜電感應(yīng)而生成電子。它成為載流子，并形成了電流的通路。這時電子構(gòu)成溝
道，所以稱為N型溝道。襯底使用N型半導(dǎo)體時，空穴構(gòu)成溝道，所以稱為P型溝道。而且，MOS型FET有兩種類型：一種是柵極上即使不加電壓，漏極和源極之間也有電流流動的耗盡型；另一種是如果柵極上不加電壓，漏極和源極之間就沒有電流流動的增強型。表2. 18中示出各種FET的名稱和圖形符號。