為了使FET工作，必須A5W-K在各電極上加電壓。對(duì)于N型溝道，結(jié)型及耗盡型如圖2. 36 (a)所示，漏極D對(duì)源極S的電位為正，G對(duì)S的電位為負(fù)。增強(qiáng)型如圖2. 36(b)所示，D、G對(duì)S的電位均為正。對(duì)于P型溝道，加上與N型溝道時(shí)極性相反的電壓。此外，耗盡型的情況，有時(shí)N型溝道、P型溝道都使G、S成為同電位使用。
       

    FET的用途.晶體管的輸入阻抗大致為幾十kQ，而FET的輸入阻抗則為幾Mfl以上。因此，F(xiàn)ET具有輸入阻抗非常高的特征，用于需要高輸入阻抗的測(cè)量?jī)x器或電容式話筒等輸入部分的放大電路中。由于柵壓的作用，F(xiàn)ET還具有導(dǎo)通狀態(tài)或截止?fàn)顟B(tài)的開(kāi)關(guān)作用，因此用于計(jì)算機(jī)的邏輯電路中。
    場(chǎng)效應(yīng)晶體管的主要參數(shù).飽和漏電流IDSS.當(dāng)柵源間電壓為零時(shí)，漏極電流的飽和值稱為飽和漏電流。
    柵源截止電壓UGS.使漏電流接近于零時(shí)，此時(shí)柵極上所加的偏壓就稱為柵源截止電壓，此參數(shù)是對(duì)耗盡型而言。
    夾斷電壓UP.在結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管或耗盡型絕緣柵管中，當(dāng)柵源間反向偏壓足夠大時(shí)，溝道兩邊的耗盡層充分?jǐn)U展，從而夾斷溝道，此時(shí)的柵源電壓稱為夾斷電壓。
    開(kāi)啟電壓U.在增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中，使漏、源極間剛剛導(dǎo)通的最小電壓稱為開(kāi)啟電壓。
    跨導(dǎo)g。它是漏電流的變化量和引起這個(gè)變化量的柵源電壓變化量之比，是反映場(chǎng)效應(yīng)晶體管的放大能力的重要參數(shù)。
    最大耗散功率PSM.是指場(chǎng)效應(yīng)管性能不變壞時(shí)所允許的最大漏源耗散功率。場(chǎng)效應(yīng)管實(shí)際功率應(yīng)小于最大耗散功率并留有一定余量。
    最大漏源電流ISM.是指場(chǎng)效應(yīng)管正常工作時(shí)，漏源間所允許通過(guò)的最大電流。場(chǎng)效應(yīng)管的工作電流不應(yīng)超過(guò)最大漏源電流。