為了使FET工作，必須A5W-K在各電極上加電壓。對于N型溝道，結(jié)型及耗盡型如圖2. 36 (a)所示，漏極D對源極S的電位為正，G對S的電位為負(fù)。增強(qiáng)型如圖2. 36(b)所示，D、G對S的電位均為正。對于P型溝道，加上與N型溝道時極性相反的電壓。此外，耗盡型的情況，有時N型溝道、P型溝道都使G、S成為同電位使用。
       

    FET的用途.晶體管的輸入阻抗大致為幾十kQ，而FET的輸入阻抗則為幾Mfl以上。因此，F(xiàn)ET具有輸入阻抗非常高的特征，用于需要高輸入阻抗的測量儀器或電容式話筒等輸入部分的放大電路中。由于柵壓的作用，F(xiàn)ET還具有導(dǎo)通狀態(tài)或截止?fàn)顟B(tài)的開關(guān)作用，因此用于計算機(jī)的邏輯電路中。
    場效應(yīng)晶體管的主要參數(shù).飽和漏電流IDSS.當(dāng)柵源間電壓為零時，漏極電流的飽和值稱為飽和漏電流。
    柵源截止電壓UGS.使漏電流接近于零時，此時柵極上所加的偏壓就稱為柵源截止電壓，此參數(shù)是對耗盡型而言。
    夾斷電壓UP.在結(jié)型場效應(yīng)管或耗盡型絕緣柵管中，當(dāng)柵源間反向偏壓足夠大時，溝道兩邊的耗盡層充分?jǐn)U展，從而夾斷溝道，此時的柵源電壓稱為夾斷電壓。
    開啟電壓U.在增強(qiáng)型絕緣柵場效應(yīng)管中，使漏、源極間剛剛導(dǎo)通的最小電壓稱為開啟電壓。
    跨導(dǎo)g。它是漏電流的變化量和引起這個變化量的柵源電壓變化量之比，是反映場效應(yīng)晶體管的放大能力的重要參數(shù)。
    最大耗散功率PSM.是指場效應(yīng)管性能不變壞時所允許的最大漏源耗散功率。場效應(yīng)管實際功率應(yīng)小于最大耗散功率并留有一定余量。
    最大漏源電流ISM.是指場效應(yīng)管正常工作時，漏源間所允許通過的最大電流。場效應(yīng)管的工作電流不應(yīng)超過最大漏源電流。