相對(duì)于磁帶或磁盤(pán)等，存儲(chǔ)器用集成電路HK19F-DC12V-SHG一般稱(chēng)為半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，在各種計(jì)算機(jī)的有儲(chǔ)裝置和家用電器等產(chǎn)品中得到廣泛的應(yīng)用。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器有RAM(random access memory)和ROM( read onlymemory)。

            
    RAM。像磁帶錄音機(jī)那樣可以自由地存儲(chǔ)或擦掉，即可以隨機(jī)存取的存儲(chǔ)器，有動(dòng)態(tài)RAM(DRAM)和靜態(tài)RAM( SRAM)。

    現(xiàn)在256M位DRAM正在成為主流以代替64M位，而且把集成度提高到幾吉位以上也是可能的，以適應(yīng)大容量化，但每隔一定周期必須進(jìn)行保持存儲(chǔ)操作。
    圖2. 48是DRAM的結(jié)構(gòu)和等效電路。寫(xiě)入時(shí)，將FET保持導(dǎo)通狀態(tài)，這期間從位線(xiàn)加對(duì)應(yīng)于“1”或“0”信息的低或高的電壓，形成在電容C上積聚電荷或不積聚電荷的狀態(tài)。讀出時(shí)，再使FET導(dǎo)通，通過(guò)位線(xiàn)讀出在C上有電荷或沒(méi)有電荷。

    SRAM具有讀出寫(xiě)入簡(jiǎn)單、速度高的優(yōu)點(diǎn)，但其缺點(diǎn)是耗電大、集成度比不上DRAM。