MOS集成電路有PMOS集成電路、NMOS集成電路和CMOS集成電路等。與雙極型集成電路相比，其HK14FD-DC24V-SHG結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，價(jià)格便宜，而且正在進(jìn)行高密度化、高速化的開(kāi)發(fā)。NMOS集成電路N型溝道的載流子是電子，其遷移率比P型溝道的空穴大，可以在高速下工作，使用比PMOS廣泛。
    如圖2. 44所示，CMOS集成電路是使P型溝道和N型溝道的兩個(gè)晶體管相組合的倒相電路。CMOS集成電路比NMOS集成電路面積性能比大，制造工序多，它具有超低耗電、抗噪聲能力強(qiáng)特點(diǎn)。

    混合集成電路。混合集成電路是在薄膜集成電路或厚膜集成電路等的襯底上用印制法或蒸鍍法制造電阻器或電容器，再在上面配置半導(dǎo)體集成電路而構(gòu)成的。圖2. 45是在薄膜集成電路上配置了半導(dǎo)體集成電路的晶體管芯片從而構(gòu)成的混合集成電路。由此可知，用薄膜集成電路無(wú)法得到晶體管等有源元件一體化，超小型化。圖2. 46是薄膜集成電路的一個(gè)例子。
    集成電路按功能分類。對(duì)集成電路按功能分類，有數(shù)字鐘表等數(shù)字電路中使用的數(shù)字集成電路( digital  IC)和電視接收機(jī)等放大電路中使用的線性集成電路(linear IC)。圖2.47中示出集成電路按功能和結(jié)構(gòu)的分類。
    一般，雙極型集成電路主要用于高速數(shù)字工作和線性工作領(lǐng)域，MOS集成電路用于中低速、低耗電的數(shù)字工作領(lǐng)域。