晶體的主要參數(shù)有標(biāo)4N35M稱頻率正、負(fù)載電容C。和激勵(lì)電平等。
    1．標(biāo)稱頻率
    標(biāo)稱頻率正是指晶體的振蕩頻率，通常直接標(biāo)注在晶體的外殼上，一般用帶有小數(shù)點(diǎn)的幾位數(shù)字來(lái)表示，單位為MHz或kHz，如圖6-73所示。標(biāo)注有效數(shù)字位數(shù)較多的晶體，其標(biāo)稱頻率的精度較高。
    圖6-73  晶體的標(biāo)示

             
    2．負(fù)載電容
    負(fù)載電容C．是指晶體組成振蕩電路時(shí)所需配接的外部電容。負(fù)載電容C。是參與決定振蕩頻率的因素之一，在規(guī)定的C。下晶體的振蕩頻率即為標(biāo)稱頻率工。使用晶體時(shí)必須按要求接人規(guī)定的C才能保證振蕩頻率符合該晶體的標(biāo)稱頻率。
    3．激勵(lì)電平
    激勵(lì)電平是指晶體正常工作時(shí)所消耗的有效功率，常用的標(biāo)稱值有0.ImW、0.5mW、ImW、2mW等。激勵(lì)電平的大小關(guān)系到電路工作的穩(wěn)定和可靠。激勵(lì)電平過(guò)大會(huì)使頻率穩(wěn)定度下降，甚至造成晶體損壞。激勵(lì)電平過(guò)小會(huì)使振蕩幅度變小和不穩(wěn)定，甚至不能起振。一般應(yīng)將激勵(lì)電平控制在其標(biāo)稱值的50% N100%。