石英晶體振蕩器的主要參數(shù)
發(fā)布時間:2013/3/22 20:38:01 訪問次數(shù):1080
石英晶體振蕩器與陶瓷LF50CDT-TR諧振元器件的識別與檢測
石英晶體振蕩器的主要參數(shù)
石英晶體振蕩器的主要參數(shù)有標稱頻率、負載電容、激勵電平、工作溫度范圍及溫度頻差、長期穩(wěn)定性等參數(shù)。
>標稱頻率f 是指在規(guī)定的負載電容下晶振的振蕩頻率即為標稱頻率，通常標識在晶振外殼上。
晶振外殼所標注的頻率，既不是串聯(lián)諧振頻率也不是并聯(lián)諧振頻率，而是在外接負載電容時測定的頻率，數(shù)值界于串聯(lián)諧振頻率與并聯(lián)諧振頻率之間。相同兩個晶振外殼所標注的頻率一樣，在實際工作中頻率也會有偏差。
>調(diào)整頻差 是指在規(guī)定條件下，基準溫度(25±2)℃時工作頻率相對于標稱頻率所允許的偏差。
>溫度頻差 是指溫度頻差是指在規(guī)定條件下，在工作溫度范圍內(nèi)相對于基準溫度(25±2)℃時工作頻率的允許偏差。
>老化率是指在規(guī)定條件下，允許的晶振工作頻率隨時間的相對變化。以年為時間單位，此時稱為年老化率。
>靜電容是指等效電路中與串聯(lián)臂并接的電容，稱為并電容，通常用CO表示。
石英晶體振蕩器的主要參數(shù)
石英晶體振蕩器的主要參數(shù)有標稱頻率、負載電容、激勵電平、工作溫度范圍及溫度頻差、長期穩(wěn)定性等參數(shù)。
>標稱頻率f 是指在規(guī)定的負載電容下晶振的振蕩頻率即為標稱頻率，通常標識在晶振外殼上。
晶振外殼所標注的頻率，既不是串聯(lián)諧振頻率也不是并聯(lián)諧振頻率，而是在外接負載電容時測定的頻率，數(shù)值界于串聯(lián)諧振頻率與并聯(lián)諧振頻率之間。相同兩個晶振外殼所標注的頻率一樣，在實際工作中頻率也會有偏差。
>調(diào)整頻差 是指在規(guī)定條件下，基準溫度(25±2)℃時工作頻率相對于標稱頻率所允許的偏差。
>溫度頻差 是指溫度頻差是指在規(guī)定條件下，在工作溫度范圍內(nèi)相對于基準溫度(25±2)℃時工作頻率的允許偏差。
>老化率是指在規(guī)定條件下，允許的晶振工作頻率隨時間的相對變化。以年為時間單位，此時稱為年老化率。
>靜電容是指等效電路中與串聯(lián)臂并接的電容，稱為并電容，通常用CO表示。
石英晶體振蕩器與陶瓷LF50CDT-TR諧振元器件的識別與檢測
石英晶體振蕩器的主要參數(shù)
石英晶體振蕩器的主要參數(shù)有標稱頻率、負載電容、激勵電平、工作溫度范圍及溫度頻差、長期穩(wěn)定性等參數(shù)。
>標稱頻率f 是指在規(guī)定的負載電容下晶振的振蕩頻率即為標稱頻率，通常標識在晶振外殼上。
晶振外殼所標注的頻率，既不是串聯(lián)諧振頻率也不是并聯(lián)諧振頻率，而是在外接負載電容時測定的頻率，數(shù)值界于串聯(lián)諧振頻率與并聯(lián)諧振頻率之間。相同兩個晶振外殼所標注的頻率一樣，在實際工作中頻率也會有偏差。
>調(diào)整頻差 是指在規(guī)定條件下，基準溫度(25±2)℃時工作頻率相對于標稱頻率所允許的偏差。
>溫度頻差 是指溫度頻差是指在規(guī)定條件下，在工作溫度范圍內(nèi)相對于基準溫度(25±2)℃時工作頻率的允許偏差。
>老化率是指在規(guī)定條件下，允許的晶振工作頻率隨時間的相對變化。以年為時間單位，此時稱為年老化率。
>靜電容是指等效電路中與串聯(lián)臂并接的電容，稱為并電容，通常用CO表示。
石英晶體振蕩器的主要參數(shù)
石英晶體振蕩器的主要參數(shù)有標稱頻率、負載電容、激勵電平、工作溫度范圍及溫度頻差、長期穩(wěn)定性等參數(shù)。
>標稱頻率f 是指在規(guī)定的負載電容下晶振的振蕩頻率即為標稱頻率，通常標識在晶振外殼上。
晶振外殼所標注的頻率，既不是串聯(lián)諧振頻率也不是并聯(lián)諧振頻率，而是在外接負載電容時測定的頻率，數(shù)值界于串聯(lián)諧振頻率與并聯(lián)諧振頻率之間。相同兩個晶振外殼所標注的頻率一樣，在實際工作中頻率也會有偏差。
>調(diào)整頻差 是指在規(guī)定條件下，基準溫度(25±2)℃時工作頻率相對于標稱頻率所允許的偏差。
>溫度頻差 是指溫度頻差是指在規(guī)定條件下，在工作溫度范圍內(nèi)相對于基準溫度(25±2)℃時工作頻率的允許偏差。
>老化率是指在規(guī)定條件下，允許的晶振工作頻率隨時間的相對變化。以年為時間單位，此時稱為年老化率。
>靜電容是指等效電路中與串聯(lián)臂并接的電容，稱為并電容，通常用CO表示。
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