負(fù)載電容
發(fā)布時(shí)間:2013/3/22 20:39:39 訪問次數(shù):1877
>負(fù)載電容 晶振相當(dāng)于電感，組成LF60A振蕩電路時(shí)需配接外部電容即負(fù)載電容。負(fù)載電容是與晶體一起決定負(fù)載諧振頻率fL的有效外界電容，通常用CL表示。
在應(yīng)用晶體時(shí)，負(fù)載電容(CL)的值必須按產(chǎn)品手冊(cè)中規(guī)定的CL值，才能使振蕩頻率符合晶振的要求。 常見的負(fù)載電容為8pF、12pF、15pF、20pF、30pF．50pF、lOOpF。 推薦負(fù)載電容為lOpF、20pF、30pF、50pF、lOOpF。
>負(fù)載諧振頻率f 是指在規(guī)定條件下，晶體與一負(fù)載電容串聯(lián)或并聯(lián)，其組合阻抗呈現(xiàn)為阻性時(shí)的兩個(gè)頻率中的一個(gè)頻率。
在串聯(lián)負(fù)載電容時(shí)，fL是兩個(gè)頻率中較低的一個(gè)；在并聯(lián)負(fù)載電容時(shí)，fL則是兩個(gè)頻率中較高的一個(gè)。
>動(dòng)態(tài)電阻Ri 是指串聯(lián)諧振頻率下的等效電阻，用R，表示。
>負(fù)載諧振電阻是指在負(fù)載諧振頻率時(shí)呈現(xiàn)的等效電阻。用RL表示。
通常情況下，RL= Ri(l+ CO／CL)／2。
>激勵(lì)電平是指晶振工作時(shí)消耗的有效功率。在振蕩回路中，激勵(lì)電平應(yīng)大小適中，既不能過激勵(lì)，也不能欠激勵(lì)。
常見的激勵(lì)電平有2mW、ImW、Q 5mW、o．2mW、Q ImW、50W、20W、10W、1W、0.1W等。
在應(yīng)用晶體時(shí)，負(fù)載電容(CL)的值必須按產(chǎn)品手冊(cè)中規(guī)定的CL值，才能使振蕩頻率符合晶振的要求。 常見的負(fù)載電容為8pF、12pF、15pF、20pF、30pF．50pF、lOOpF。 推薦負(fù)載電容為lOpF、20pF、30pF、50pF、lOOpF。
>負(fù)載諧振頻率f 是指在規(guī)定條件下，晶體與一負(fù)載電容串聯(lián)或并聯(lián)，其組合阻抗呈現(xiàn)為阻性時(shí)的兩個(gè)頻率中的一個(gè)頻率。
在串聯(lián)負(fù)載電容時(shí)，fL是兩個(gè)頻率中較低的一個(gè)；在并聯(lián)負(fù)載電容時(shí)，fL則是兩個(gè)頻率中較高的一個(gè)。
>動(dòng)態(tài)電阻Ri 是指串聯(lián)諧振頻率下的等效電阻，用R，表示。
>負(fù)載諧振電阻是指在負(fù)載諧振頻率時(shí)呈現(xiàn)的等效電阻。用RL表示。
通常情況下，RL= Ri(l+ CO／CL)／2。
>激勵(lì)電平是指晶振工作時(shí)消耗的有效功率。在振蕩回路中，激勵(lì)電平應(yīng)大小適中，既不能過激勵(lì)，也不能欠激勵(lì)。
常見的激勵(lì)電平有2mW、ImW、Q 5mW、o．2mW、Q ImW、50W、20W、10W、1W、0.1W等。
>負(fù)載電容 晶振相當(dāng)于電感，組成LF60A振蕩電路時(shí)需配接外部電容即負(fù)載電容。負(fù)載電容是與晶體一起決定負(fù)載諧振頻率fL的有效外界電容，通常用CL表示。
在應(yīng)用晶體時(shí)，負(fù)載電容(CL)的值必須按產(chǎn)品手冊(cè)中規(guī)定的CL值，才能使振蕩頻率符合晶振的要求。 常見的負(fù)載電容為8pF、12pF、15pF、20pF、30pF．50pF、lOOpF。 推薦負(fù)載電容為lOpF、20pF、30pF、50pF、lOOpF。
>負(fù)載諧振頻率f 是指在規(guī)定條件下，晶體與一負(fù)載電容串聯(lián)或并聯(lián)，其組合阻抗呈現(xiàn)為阻性時(shí)的兩個(gè)頻率中的一個(gè)頻率。
在串聯(lián)負(fù)載電容時(shí)，fL是兩個(gè)頻率中較低的一個(gè)；在并聯(lián)負(fù)載電容時(shí)，fL則是兩個(gè)頻率中較高的一個(gè)。
>動(dòng)態(tài)電阻Ri 是指串聯(lián)諧振頻率下的等效電阻，用R，表示。
>負(fù)載諧振電阻是指在負(fù)載諧振頻率時(shí)呈現(xiàn)的等效電阻。用RL表示。
通常情況下，RL= Ri(l+ CO／CL)／2。
>激勵(lì)電平是指晶振工作時(shí)消耗的有效功率。在振蕩回路中，激勵(lì)電平應(yīng)大小適中，既不能過激勵(lì)，也不能欠激勵(lì)。
常見的激勵(lì)電平有2mW、ImW、Q 5mW、o．2mW、Q ImW、50W、20W、10W、1W、0.1W等。
在應(yīng)用晶體時(shí)，負(fù)載電容(CL)的值必須按產(chǎn)品手冊(cè)中規(guī)定的CL值，才能使振蕩頻率符合晶振的要求。 常見的負(fù)載電容為8pF、12pF、15pF、20pF、30pF．50pF、lOOpF。 推薦負(fù)載電容為lOpF、20pF、30pF、50pF、lOOpF。
>負(fù)載諧振頻率f 是指在規(guī)定條件下，晶體與一負(fù)載電容串聯(lián)或并聯(lián)，其組合阻抗呈現(xiàn)為阻性時(shí)的兩個(gè)頻率中的一個(gè)頻率。
在串聯(lián)負(fù)載電容時(shí)，fL是兩個(gè)頻率中較低的一個(gè)；在并聯(lián)負(fù)載電容時(shí)，fL則是兩個(gè)頻率中較高的一個(gè)。
>動(dòng)態(tài)電阻Ri 是指串聯(lián)諧振頻率下的等效電阻，用R，表示。
>負(fù)載諧振電阻是指在負(fù)載諧振頻率時(shí)呈現(xiàn)的等效電阻。用RL表示。
通常情況下，RL= Ri(l+ CO／CL)／2。
>激勵(lì)電平是指晶振工作時(shí)消耗的有效功率。在振蕩回路中，激勵(lì)電平應(yīng)大小適中，既不能過激勵(lì)，也不能欠激勵(lì)。
常見的激勵(lì)電平有2mW、ImW、Q 5mW、o．2mW、Q ImW、50W、20W、10W、1W、0.1W等。
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