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觸發(fā)電路

發(fā)布時(shí)間:2013/4/15 20:08:43 訪問次數(shù):720

    單結(jié)晶體管VT等構(gòu)成晶閘CSNS300M管觸發(fā)電路,RP、Rz和Cl構(gòu)成定時(shí)網(wǎng)絡(luò),決定觸發(fā)脈沖產(chǎn)生的時(shí)間。整流橋堆UR全波整流輸出的脈動(dòng)直流電壓,經(jīng)二極管VDi隔離、電阻Ri降壓、穩(wěn)壓二極管VD2穩(wěn)壓后,為單結(jié)晶體管VT提供合適的工作電壓。
    在每個(gè)半周開始時(shí),脈動(dòng)直流電壓經(jīng)RP、Rz向Cl充電。當(dāng)Cl上電壓達(dá)到單結(jié)晶體管VT的峰點(diǎn)電壓時(shí),單結(jié)晶體管VT導(dǎo)通,Cl經(jīng)VT和R4迅速放電,在R4上形成一個(gè)觸發(fā)脈沖,去觸發(fā)晶閘管VS導(dǎo)通。
    Cl的充電時(shí)間受RP和R2制約。當(dāng)RP阻值增大時(shí),Cl充電時(shí)間延長(zhǎng),單結(jié)晶體管VT導(dǎo)通產(chǎn)生觸發(fā)脈沖的時(shí)間延后,使晶閘管VS導(dǎo)通角減小。當(dāng)RP阻值減小時(shí),Cl充電時(shí)間縮短,單結(jié)晶體管VT導(dǎo)通產(chǎn)生觸發(fā)脈沖的時(shí)間提前,使晶閘管VS導(dǎo)通角增大。RP即為充電電流調(diào)節(jié)電位器。
    電感器是儲(chǔ)存電能的元件,通常簡(jiǎn)稱為電感,是常用的基本電子元件之一,可分為固定電感器、可變電感器、微調(diào)電感器三大類,外形如圖5-45所示。

             

    單結(jié)晶體管VT等構(gòu)成晶閘CSNS300M管觸發(fā)電路,RP、Rz和Cl構(gòu)成定時(shí)網(wǎng)絡(luò),決定觸發(fā)脈沖產(chǎn)生的時(shí)間。整流橋堆UR全波整流輸出的脈動(dòng)直流電壓,經(jīng)二極管VDi隔離、電阻Ri降壓、穩(wěn)壓二極管VD2穩(wěn)壓后,為單結(jié)晶體管VT提供合適的工作電壓。
    在每個(gè)半周開始時(shí),脈動(dòng)直流電壓經(jīng)RP、Rz向Cl充電。當(dāng)Cl上電壓達(dá)到單結(jié)晶體管VT的峰點(diǎn)電壓時(shí),單結(jié)晶體管VT導(dǎo)通,Cl經(jīng)VT和R4迅速放電,在R4上形成一個(gè)觸發(fā)脈沖,去觸發(fā)晶閘管VS導(dǎo)通。
    Cl的充電時(shí)間受RP和R2制約。當(dāng)RP阻值增大時(shí),Cl充電時(shí)間延長(zhǎng),單結(jié)晶體管VT導(dǎo)通產(chǎn)生觸發(fā)脈沖的時(shí)間延后,使晶閘管VS導(dǎo)通角減小。當(dāng)RP阻值減小時(shí),Cl充電時(shí)間縮短,單結(jié)晶體管VT導(dǎo)通產(chǎn)生觸發(fā)脈沖的時(shí)間提前,使晶閘管VS導(dǎo)通角增大。RP即為充電電流調(diào)節(jié)電位器。
    電感器是儲(chǔ)存電能的元件,通常簡(jiǎn)稱為電感,是常用的基本電子元件之一,可分為固定電感器、可變電感器、微調(diào)電感器三大類,外形如圖5-45所示。

             

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