最大額定值
發(fā)布時(shí)間:2013/5/27 20:06:08 訪問次數(shù):1186
最大額定值是指允許E6B2-CWZ6C 400P/R施加于電力晶體管GTR上的電壓、電流、耗散功率以及結(jié)溫等的極限數(shù)值。它們是由GTR的材料性能、結(jié)構(gòu)方式、設(shè)計(jì)水平和制造工藝等因素決定的，在使用中絕對(duì)不能超越這些參數(shù)極限。
(1)最高電壓額定值。
最高集電極電壓額定值是指集電極的擊穿電壓值，它不僅因器件不同而不同，即使是同一器件，又會(huì)由于基極電路條件的不同而不同。
發(fā)射極電壓最大額定值是指在集電極開路條件下，發(fā)射結(jié)允許的最高反向偏置電壓，通常用B Ueb。表示。由于發(fā)射區(qū)摻雜濃度很高，具有很高的注入效率，所以日Ueb。通常只有幾伏，典型值為8V。
(2)最大電流額定值。
集電極電流額定值/cm有兩種規(guī)定方法：①以劇直的下降情況為尺度來確定/cm；②以結(jié)溫和耗散功率為尺度來確定/cm，這主要是考慮GTR在低壓范圍內(nèi)使用時(shí)，飽和壓降對(duì)功率損耗的影響已不可忽視，在這種情況下以允許耗散功率的大小來確定/cm。
脈沖電流額定值的依據(jù)是引起內(nèi)部引線熔斷的集電極電流，或是引起集電結(jié)損壞的集電極電流；或以直流/cm的1.5～3倍定額脈沖/cm。
基極電流額定值/bm，規(guī)定為電力晶體管內(nèi)引線允許流過的最大基極電流，通常取/bmz(1，2~1／6)與/cm相比通常裕量很大。
(3)最高結(jié)溫額定值。
GTR的最高結(jié)溫Tnu是由半導(dǎo)體材料性質(zhì)、器件鈍化工藝、封裝質(zhì)量以及其可靠性要求等因素所決定。一般情況下，塑料封裝的硅管結(jié)溫‰為125～150℃，金屬封裝的硅管Tnu為150～175℃，高可靠平面管的TJM為175～200℃。
(4)最大功耗額定值。
是指GTR在最高允許結(jié)溫時(shí)所對(duì)應(yīng)的耗散功率，它受結(jié)溫的限制，其大小主要由集電結(jié)工作電壓、電流的乘積決定。由于這部分能量將轉(zhuǎn)化為熱能并使GTR發(fā)熱，因此GTR在使用中的散熱條件是十分重要的，如果散熱條件不好，器件會(huì)因溫度過高而損壞。
(1)最高電壓額定值。
最高集電極電壓額定值是指集電極的擊穿電壓值，它不僅因器件不同而不同，即使是同一器件，又會(huì)由于基極電路條件的不同而不同。
發(fā)射極電壓最大額定值是指在集電極開路條件下，發(fā)射結(jié)允許的最高反向偏置電壓，通常用B Ueb。表示。由于發(fā)射區(qū)摻雜濃度很高，具有很高的注入效率，所以日Ueb。通常只有幾伏，典型值為8V。
(2)最大電流額定值。
集電極電流額定值/cm有兩種規(guī)定方法：①以劇直的下降情況為尺度來確定/cm；②以結(jié)溫和耗散功率為尺度來確定/cm，這主要是考慮GTR在低壓范圍內(nèi)使用時(shí)，飽和壓降對(duì)功率損耗的影響已不可忽視，在這種情況下以允許耗散功率的大小來確定/cm。
脈沖電流額定值的依據(jù)是引起內(nèi)部引線熔斷的集電極電流，或是引起集電結(jié)損壞的集電極電流；或以直流/cm的1.5～3倍定額脈沖/cm。
基極電流額定值/bm，規(guī)定為電力晶體管內(nèi)引線允許流過的最大基極電流，通常取/bmz(1，2~1／6)與/cm相比通常裕量很大。
(3)最高結(jié)溫額定值。
GTR的最高結(jié)溫Tnu是由半導(dǎo)體材料性質(zhì)、器件鈍化工藝、封裝質(zhì)量以及其可靠性要求等因素所決定。一般情況下，塑料封裝的硅管結(jié)溫‰為125～150℃，金屬封裝的硅管Tnu為150～175℃，高可靠平面管的TJM為175～200℃。
(4)最大功耗額定值。
是指GTR在最高允許結(jié)溫時(shí)所對(duì)應(yīng)的耗散功率，它受結(jié)溫的限制，其大小主要由集電結(jié)工作電壓、電流的乘積決定。由于這部分能量將轉(zhuǎn)化為熱能并使GTR發(fā)熱，因此GTR在使用中的散熱條件是十分重要的，如果散熱條件不好，器件會(huì)因溫度過高而損壞。
最大額定值是指允許E6B2-CWZ6C 400P/R施加于電力晶體管GTR上的電壓、電流、耗散功率以及結(jié)溫等的極限數(shù)值。它們是由GTR的材料性能、結(jié)構(gòu)方式、設(shè)計(jì)水平和制造工藝等因素決定的，在使用中絕對(duì)不能超越這些參數(shù)極限。
(1)最高電壓額定值。
最高集電極電壓額定值是指集電極的擊穿電壓值，它不僅因器件不同而不同，即使是同一器件，又會(huì)由于基極電路條件的不同而不同。
發(fā)射極電壓最大額定值是指在集電極開路條件下，發(fā)射結(jié)允許的最高反向偏置電壓，通常用B Ueb。表示。由于發(fā)射區(qū)摻雜濃度很高，具有很高的注入效率，所以日Ueb。通常只有幾伏，典型值為8V。
(2)最大電流額定值。
集電極電流額定值/cm有兩種規(guī)定方法：①以劇直的下降情況為尺度來確定/cm；②以結(jié)溫和耗散功率為尺度來確定/cm，這主要是考慮GTR在低壓范圍內(nèi)使用時(shí)，飽和壓降對(duì)功率損耗的影響已不可忽視，在這種情況下以允許耗散功率的大小來確定/cm。
脈沖電流額定值的依據(jù)是引起內(nèi)部引線熔斷的集電極電流，或是引起集電結(jié)損壞的集電極電流；或以直流/cm的1.5～3倍定額脈沖/cm。
基極電流額定值/bm，規(guī)定為電力晶體管內(nèi)引線允許流過的最大基極電流，通常取/bmz(1，2~1／6)與/cm相比通常裕量很大。
(3)最高結(jié)溫額定值。
GTR的最高結(jié)溫Tnu是由半導(dǎo)體材料性質(zhì)、器件鈍化工藝、封裝質(zhì)量以及其可靠性要求等因素所決定。一般情況下，塑料封裝的硅管結(jié)溫‰為125～150℃，金屬封裝的硅管Tnu為150～175℃，高可靠平面管的TJM為175～200℃。
(4)最大功耗額定值。
是指GTR在最高允許結(jié)溫時(shí)所對(duì)應(yīng)的耗散功率，它受結(jié)溫的限制，其大小主要由集電結(jié)工作電壓、電流的乘積決定。由于這部分能量將轉(zhuǎn)化為熱能并使GTR發(fā)熱，因此GTR在使用中的散熱條件是十分重要的，如果散熱條件不好，器件會(huì)因溫度過高而損壞。
(1)最高電壓額定值。
最高集電極電壓額定值是指集電極的擊穿電壓值，它不僅因器件不同而不同，即使是同一器件，又會(huì)由于基極電路條件的不同而不同。
發(fā)射極電壓最大額定值是指在集電極開路條件下，發(fā)射結(jié)允許的最高反向偏置電壓，通常用B Ueb。表示。由于發(fā)射區(qū)摻雜濃度很高，具有很高的注入效率，所以日Ueb。通常只有幾伏，典型值為8V。
(2)最大電流額定值。
集電極電流額定值/cm有兩種規(guī)定方法：①以劇直的下降情況為尺度來確定/cm；②以結(jié)溫和耗散功率為尺度來確定/cm，這主要是考慮GTR在低壓范圍內(nèi)使用時(shí)，飽和壓降對(duì)功率損耗的影響已不可忽視，在這種情況下以允許耗散功率的大小來確定/cm。
脈沖電流額定值的依據(jù)是引起內(nèi)部引線熔斷的集電極電流，或是引起集電結(jié)損壞的集電極電流；或以直流/cm的1.5～3倍定額脈沖/cm。
基極電流額定值/bm，規(guī)定為電力晶體管內(nèi)引線允許流過的最大基極電流，通常取/bmz(1，2~1／6)與/cm相比通常裕量很大。
(3)最高結(jié)溫額定值。
GTR的最高結(jié)溫Tnu是由半導(dǎo)體材料性質(zhì)、器件鈍化工藝、封裝質(zhì)量以及其可靠性要求等因素所決定。一般情況下，塑料封裝的硅管結(jié)溫‰為125～150℃，金屬封裝的硅管Tnu為150～175℃，高可靠平面管的TJM為175～200℃。
(4)最大功耗額定值。
是指GTR在最高允許結(jié)溫時(shí)所對(duì)應(yīng)的耗散功率，它受結(jié)溫的限制，其大小主要由集電結(jié)工作電壓、電流的乘積決定。由于這部分能量將轉(zhuǎn)化為熱能并使GTR發(fā)熱，因此GTR在使用中的散熱條件是十分重要的，如果散熱條件不好，器件會(huì)因溫度過高而損壞。
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