二次擊穿特性
發(fā)布時間:2013/5/27 20:11:45 訪問次數(shù):1363
最高集射極間E6B2-CWZ6C 600P/R電壓額定值BUc。又稱為一次擊穿電壓值，發(fā)生一次擊穿時反向電流急劇增加。如果有外接電阻限制電流的增長時，一般不會引起GTR特性變壞；但如果對此不加限制，就會導致破壞性的二次擊穿。所謂二次擊穿是指器件發(fā)生一次擊穿后，集電極電流繼續(xù)增加，在某電壓電流點產(chǎn)生向低阻抗區(qū)高速移動的負阻現(xiàn)象。二次擊穿用符號S/B表示。二次擊穿時間在納秒至微秒數(shù)量級之內(nèi)，即使茌這樣短的時間內(nèi)，它也能使器件內(nèi)出現(xiàn)明顯的電流集中和過熱點。因此，一旦發(fā)生二次擊穿，輕者使GTR耐壓降低、特性變差，重者使集電結(jié)和發(fā)射結(jié)熔通，使GTR受
到永久性損壞。
二次擊穿按GTR的偏置狀態(tài)分為兩類：基極一發(fā)射極正偏，GTR工作于放大區(qū)的二次擊穿稱正偏二次擊穿；基極一發(fā)射極反偏，GTR工作于截止區(qū)的二次擊穿稱為反偏二次擊穿。
(1)正偏二次擊穿。
當電力晶體管GTR正向偏置時，由于存在基區(qū)電阻，基極與發(fā)射極在同一平面上，發(fā)射結(jié)各點的偏置不盡相同，發(fā)射極邊緣大而發(fā)射極中心小，又由于存在集一射電場，二者合成一個橫向電場。此電場將電流集中到發(fā)射極邊緣下很窄的區(qū)域內(nèi)，造成電流局部集中，電流密度加大，溫度升高，嚴重時造成熱點或熱斑。熱點處的電阻率進一步減小，如不加限制就會因熱點的溫度過高并造成惡性循環(huán)導致該局部PN結(jié)失效，這就是正偏二次擊穿。
(2)反偏二次擊穿。
在GTR由導通轉(zhuǎn)入截止狀態(tài)時，發(fā)射結(jié)反向偏置，由于存儲電荷的存在，集電極一發(fā)射極仍流過電流。由于基區(qū)電阻的存在，在發(fā)射極與基極相接的周邊反偏電壓大，而在其中心反偏很弱甚至可能仍為正偏，這就造成了發(fā)射極下基區(qū)橫向電場由中心指向邊緣，形成集電極電流被集中于發(fā)射結(jié)中心很小局部的不均勻現(xiàn)象。在該局部因電流密度很高形成熱點，這樣就可能在比正向偏置時要低得多的能量水平下即發(fā)生二次擊穿。
二次擊穿最終是由于器件芯片局部過熱而引起的，而熱點的形成需要能量的積累，即需要一定的電壓、電流數(shù)值和一定的時間。因此，諸如集電極電壓、電流、負載特性、導通脈寬、基極電路的配置以及材料、工藝等因素都對二次擊穿有一定的影響。
到永久性損壞。
二次擊穿按GTR的偏置狀態(tài)分為兩類：基極一發(fā)射極正偏，GTR工作于放大區(qū)的二次擊穿稱正偏二次擊穿；基極一發(fā)射極反偏，GTR工作于截止區(qū)的二次擊穿稱為反偏二次擊穿。
(1)正偏二次擊穿。
當電力晶體管GTR正向偏置時，由于存在基區(qū)電阻，基極與發(fā)射極在同一平面上，發(fā)射結(jié)各點的偏置不盡相同，發(fā)射極邊緣大而發(fā)射極中心小，又由于存在集一射電場，二者合成一個橫向電場。此電場將電流集中到發(fā)射極邊緣下很窄的區(qū)域內(nèi)，造成電流局部集中，電流密度加大，溫度升高，嚴重時造成熱點或熱斑。熱點處的電阻率進一步減小，如不加限制就會因熱點的溫度過高并造成惡性循環(huán)導致該局部PN結(jié)失效，這就是正偏二次擊穿。
(2)反偏二次擊穿。
在GTR由導通轉(zhuǎn)入截止狀態(tài)時，發(fā)射結(jié)反向偏置，由于存儲電荷的存在，集電極一發(fā)射極仍流過電流。由于基區(qū)電阻的存在，在發(fā)射極與基極相接的周邊反偏電壓大，而在其中心反偏很弱甚至可能仍為正偏，這就造成了發(fā)射極下基區(qū)橫向電場由中心指向邊緣，形成集電極電流被集中于發(fā)射結(jié)中心很小局部的不均勻現(xiàn)象。在該局部因電流密度很高形成熱點，這樣就可能在比正向偏置時要低得多的能量水平下即發(fā)生二次擊穿。
二次擊穿最終是由于器件芯片局部過熱而引起的，而熱點的形成需要能量的積累，即需要一定的電壓、電流數(shù)值和一定的時間。因此，諸如集電極電壓、電流、負載特性、導通脈寬、基極電路的配置以及材料、工藝等因素都對二次擊穿有一定的影響。
最高集射極間E6B2-CWZ6C 600P/R電壓額定值BUc。又稱為一次擊穿電壓值，發(fā)生一次擊穿時反向電流急劇增加。如果有外接電阻限制電流的增長時，一般不會引起GTR特性變壞；但如果對此不加限制，就會導致破壞性的二次擊穿。所謂二次擊穿是指器件發(fā)生一次擊穿后，集電極電流繼續(xù)增加，在某電壓電流點產(chǎn)生向低阻抗區(qū)高速移動的負阻現(xiàn)象。二次擊穿用符號S/B表示。二次擊穿時間在納秒至微秒數(shù)量級之內(nèi)，即使茌這樣短的時間內(nèi)，它也能使器件內(nèi)出現(xiàn)明顯的電流集中和過熱點。因此，一旦發(fā)生二次擊穿，輕者使GTR耐壓降低、特性變差，重者使集電結(jié)和發(fā)射結(jié)熔通，使GTR受
到永久性損壞。
二次擊穿按GTR的偏置狀態(tài)分為兩類：基極一發(fā)射極正偏，GTR工作于放大區(qū)的二次擊穿稱正偏二次擊穿；基極一發(fā)射極反偏，GTR工作于截止區(qū)的二次擊穿稱為反偏二次擊穿。
(1)正偏二次擊穿。
當電力晶體管GTR正向偏置時，由于存在基區(qū)電阻，基極與發(fā)射極在同一平面上，發(fā)射結(jié)各點的偏置不盡相同，發(fā)射極邊緣大而發(fā)射極中心小，又由于存在集一射電場，二者合成一個橫向電場。此電場將電流集中到發(fā)射極邊緣下很窄的區(qū)域內(nèi)，造成電流局部集中，電流密度加大，溫度升高，嚴重時造成熱點或熱斑。熱點處的電阻率進一步減小，如不加限制就會因熱點的溫度過高并造成惡性循環(huán)導致該局部PN結(jié)失效，這就是正偏二次擊穿。
(2)反偏二次擊穿。
在GTR由導通轉(zhuǎn)入截止狀態(tài)時，發(fā)射結(jié)反向偏置，由于存儲電荷的存在，集電極一發(fā)射極仍流過電流。由于基區(qū)電阻的存在，在發(fā)射極與基極相接的周邊反偏電壓大，而在其中心反偏很弱甚至可能仍為正偏，這就造成了發(fā)射極下基區(qū)橫向電場由中心指向邊緣，形成集電極電流被集中于發(fā)射結(jié)中心很小局部的不均勻現(xiàn)象。在該局部因電流密度很高形成熱點，這樣就可能在比正向偏置時要低得多的能量水平下即發(fā)生二次擊穿。
二次擊穿最終是由于器件芯片局部過熱而引起的，而熱點的形成需要能量的積累，即需要一定的電壓、電流數(shù)值和一定的時間。因此，諸如集電極電壓、電流、負載特性、導通脈寬、基極電路的配置以及材料、工藝等因素都對二次擊穿有一定的影響。
到永久性損壞。
二次擊穿按GTR的偏置狀態(tài)分為兩類：基極一發(fā)射極正偏，GTR工作于放大區(qū)的二次擊穿稱正偏二次擊穿；基極一發(fā)射極反偏，GTR工作于截止區(qū)的二次擊穿稱為反偏二次擊穿。
(1)正偏二次擊穿。
當電力晶體管GTR正向偏置時，由于存在基區(qū)電阻，基極與發(fā)射極在同一平面上，發(fā)射結(jié)各點的偏置不盡相同，發(fā)射極邊緣大而發(fā)射極中心小，又由于存在集一射電場，二者合成一個橫向電場。此電場將電流集中到發(fā)射極邊緣下很窄的區(qū)域內(nèi)，造成電流局部集中，電流密度加大，溫度升高，嚴重時造成熱點或熱斑。熱點處的電阻率進一步減小，如不加限制就會因熱點的溫度過高并造成惡性循環(huán)導致該局部PN結(jié)失效，這就是正偏二次擊穿。
(2)反偏二次擊穿。
在GTR由導通轉(zhuǎn)入截止狀態(tài)時，發(fā)射結(jié)反向偏置，由于存儲電荷的存在，集電極一發(fā)射極仍流過電流。由于基區(qū)電阻的存在，在發(fā)射極與基極相接的周邊反偏電壓大，而在其中心反偏很弱甚至可能仍為正偏，這就造成了發(fā)射極下基區(qū)橫向電場由中心指向邊緣，形成集電極電流被集中于發(fā)射結(jié)中心很小局部的不均勻現(xiàn)象。在該局部因電流密度很高形成熱點，這樣就可能在比正向偏置時要低得多的能量水平下即發(fā)生二次擊穿。
二次擊穿最終是由于器件芯片局部過熱而引起的，而熱點的形成需要能量的積累，即需要一定的電壓、電流數(shù)值和一定的時間。因此，諸如集電極電壓、電流、負載特性、導通脈寬、基極電路的配置以及材料、工藝等因素都對二次擊穿有一定的影響。
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