動態(tài)特性與參數(shù)
發(fā)布時間:2013/5/27 20:09:43 訪問次數(shù):1253
動態(tài)特性描述GTR開關(guān)過E6B2-CWZ6C 500P/R程的瞬態(tài)特性，又稱開關(guān)特性。PN結(jié)承受正向偏置時表現(xiàn)為兩個電容：勢壘電容和擴(kuò)散電容。在穩(wěn)態(tài)時這些電容對GTR的工作特性沒有影響；而在瞬態(tài)時，則由于電容的充放電作用影響GTR的開關(guān)特性。此外，為了降低導(dǎo)通時的功率損耗，常采用過驅(qū)動的方法，使得基區(qū)積累了大量的過剩載流子，在關(guān)斷時這些過剩載流子的消散嚴(yán)重影響關(guān)斷時間。GTR是用基極電流來控制集電極電流的，圖7-6所示為某型號GTR開通和關(guān)斷過程中屯流波形。
GTR的整個過程可分為開通過程、導(dǎo)通狀態(tài)、關(guān)斷過程、阻斷狀態(tài)4個不同階段。
開通時間to。包括延遲時間td和上升時間f，；關(guān)斷時間toff包括存儲時間ts和下降時間tf。對這些開關(guān)時間的定義如下。
(1)延遲時間td。從輸入基極電流正跳變瞬時開始，到集電極電流t上升到最大（穩(wěn)態(tài)）值k的10%所需時間稱為延遲時間。它相當(dāng)于基極電流向發(fā)射結(jié)電容充電的過程，因而延遲時間td的大小取決于發(fā)射結(jié)勢壘電容的大小、初始正向驅(qū)動電流和上升率以及跳變前反向偏置電壓的大小。
(2)上升時間f，。集電極電流‘由穩(wěn)態(tài)值厶的10%上升到90%所需的時間叫做上升時間稱為上升時間。它與過驅(qū)動系數(shù)及穩(wěn)態(tài)電流值有關(guān)，過驅(qū)動系數(shù)越大，則上升時間f，越短；穩(wěn)態(tài)值越小，則上升時間越短。
(3)存儲時間ts。從撤銷正向驅(qū)動信號到集電極電流fc下降到其最大（穩(wěn)態(tài)）值t的90%所需時間稱為存儲時間。存儲時間ts隨過驅(qū)動系數(shù)的增加而增加，隨反向驅(qū)動電流的增加而減小。存儲時間對應(yīng)著過剩載流子從體內(nèi)抽走的過程，要想降低存儲時間ts，就應(yīng)該使GTR工作于準(zhǔn)飽和區(qū)。
(4)下降時間tf。集電極電流‘由其最大值L的90%下降到10%所需的時間稱為下降時間，它主要取決于結(jié)電容和正向集電極電流。
一般開通時間均為納秒數(shù)量級，比關(guān)斷時間小得多，為了縮短關(guān)斷時間可采取以下措施：選擇電流增益小的器件、防止深飽和、增加反向驅(qū)動電流等。
集電極電壓上升率du/dt足動態(tài)過程中的一個重要參數(shù)，du/dt產(chǎn)生的過損耗現(xiàn)象嚴(yán)重地威脅著器件和電路的安全。當(dāng)基極開路時，集射極間承受過高的電壓上升率du/dt，便會通過集電結(jié)的寄生電容流過容性位移電流。由于基極是開路的，該容性位移電流便注入發(fā)射結(jié)形成基極電流并且被放大別音，形成集電極電流，若電力晶體管GTR的歷直很大，將會迫使GTR進(jìn)入放大區(qū)運(yùn)行，有可能因瞬時電流過大而產(chǎn)生二次擊穿導(dǎo)致?lián)p壞。另外在GTR換流期間，集電結(jié)中儲存的少數(shù)載流子被全部抽走之前，有可能使正在關(guān)斷的GTR重新誤導(dǎo)通。在橋式電路中將會出現(xiàn)橋臂直通故障。為了抑制過高的du/dt對GTR的危害，一般在集射極間并聯(lián)一個RCD緩沖網(wǎng)絡(luò)。
GTR的整個過程可分為開通過程、導(dǎo)通狀態(tài)、關(guān)斷過程、阻斷狀態(tài)4個不同階段。
開通時間to。包括延遲時間td和上升時間f，；關(guān)斷時間toff包括存儲時間ts和下降時間tf。對這些開關(guān)時間的定義如下。
(1)延遲時間td。從輸入基極電流正跳變瞬時開始，到集電極電流t上升到最大（穩(wěn)態(tài)）值k的10%所需時間稱為延遲時間。它相當(dāng)于基極電流向發(fā)射結(jié)電容充電的過程，因而延遲時間td的大小取決于發(fā)射結(jié)勢壘電容的大小、初始正向驅(qū)動電流和上升率以及跳變前反向偏置電壓的大小。
(2)上升時間f，。集電極電流‘由穩(wěn)態(tài)值厶的10%上升到90%所需的時間叫做上升時間稱為上升時間。它與過驅(qū)動系數(shù)及穩(wěn)態(tài)電流值有關(guān)，過驅(qū)動系數(shù)越大，則上升時間f，越短；穩(wěn)態(tài)值越小，則上升時間越短。
(3)存儲時間ts。從撤銷正向驅(qū)動信號到集電極電流fc下降到其最大（穩(wěn)態(tài)）值t的90%所需時間稱為存儲時間。存儲時間ts隨過驅(qū)動系數(shù)的增加而增加，隨反向驅(qū)動電流的增加而減小。存儲時間對應(yīng)著過剩載流子從體內(nèi)抽走的過程，要想降低存儲時間ts，就應(yīng)該使GTR工作于準(zhǔn)飽和區(qū)。
(4)下降時間tf。集電極電流‘由其最大值L的90%下降到10%所需的時間稱為下降時間，它主要取決于結(jié)電容和正向集電極電流。
一般開通時間均為納秒數(shù)量級，比關(guān)斷時間小得多，為了縮短關(guān)斷時間可采取以下措施：選擇電流增益小的器件、防止深飽和、增加反向驅(qū)動電流等。
集電極電壓上升率du/dt足動態(tài)過程中的一個重要參數(shù)，du/dt產(chǎn)生的過損耗現(xiàn)象嚴(yán)重地威脅著器件和電路的安全。當(dāng)基極開路時，集射極間承受過高的電壓上升率du/dt，便會通過集電結(jié)的寄生電容流過容性位移電流。由于基極是開路的，該容性位移電流便注入發(fā)射結(jié)形成基極電流并且被放大別音，形成集電極電流，若電力晶體管GTR的歷直很大，將會迫使GTR進(jìn)入放大區(qū)運(yùn)行，有可能因瞬時電流過大而產(chǎn)生二次擊穿導(dǎo)致?lián)p壞。另外在GTR換流期間，集電結(jié)中儲存的少數(shù)載流子被全部抽走之前，有可能使正在關(guān)斷的GTR重新誤導(dǎo)通。在橋式電路中將會出現(xiàn)橋臂直通故障。為了抑制過高的du/dt對GTR的危害，一般在集射極間并聯(lián)一個RCD緩沖網(wǎng)絡(luò)。
動態(tài)特性描述GTR開關(guān)過E6B2-CWZ6C 500P/R程的瞬態(tài)特性，又稱開關(guān)特性。PN結(jié)承受正向偏置時表現(xiàn)為兩個電容：勢壘電容和擴(kuò)散電容。在穩(wěn)態(tài)時這些電容對GTR的工作特性沒有影響；而在瞬態(tài)時，則由于電容的充放電作用影響GTR的開關(guān)特性。此外，為了降低導(dǎo)通時的功率損耗，常采用過驅(qū)動的方法，使得基區(qū)積累了大量的過剩載流子，在關(guān)斷時這些過剩載流子的消散嚴(yán)重影響關(guān)斷時間。GTR是用基極電流來控制集電極電流的，圖7-6所示為某型號GTR開通和關(guān)斷過程中屯流波形。
GTR的整個過程可分為開通過程、導(dǎo)通狀態(tài)、關(guān)斷過程、阻斷狀態(tài)4個不同階段。
開通時間to。包括延遲時間td和上升時間f，；關(guān)斷時間toff包括存儲時間ts和下降時間tf。對這些開關(guān)時間的定義如下。
(1)延遲時間td。從輸入基極電流正跳變瞬時開始，到集電極電流t上升到最大（穩(wěn)態(tài)）值k的10%所需時間稱為延遲時間。它相當(dāng)于基極電流向發(fā)射結(jié)電容充電的過程，因而延遲時間td的大小取決于發(fā)射結(jié)勢壘電容的大小、初始正向驅(qū)動電流和上升率以及跳變前反向偏置電壓的大小。
(2)上升時間f，。集電極電流‘由穩(wěn)態(tài)值厶的10%上升到90%所需的時間叫做上升時間稱為上升時間。它與過驅(qū)動系數(shù)及穩(wěn)態(tài)電流值有關(guān)，過驅(qū)動系數(shù)越大，則上升時間f，越短；穩(wěn)態(tài)值越小，則上升時間越短。
(3)存儲時間ts。從撤銷正向驅(qū)動信號到集電極電流fc下降到其最大（穩(wěn)態(tài)）值t的90%所需時間稱為存儲時間。存儲時間ts隨過驅(qū)動系數(shù)的增加而增加，隨反向驅(qū)動電流的增加而減小。存儲時間對應(yīng)著過剩載流子從體內(nèi)抽走的過程，要想降低存儲時間ts，就應(yīng)該使GTR工作于準(zhǔn)飽和區(qū)。
(4)下降時間tf。集電極電流‘由其最大值L的90%下降到10%所需的時間稱為下降時間，它主要取決于結(jié)電容和正向集電極電流。
一般開通時間均為納秒數(shù)量級，比關(guān)斷時間小得多，為了縮短關(guān)斷時間可采取以下措施：選擇電流增益小的器件、防止深飽和、增加反向驅(qū)動電流等。
集電極電壓上升率du/dt足動態(tài)過程中的一個重要參數(shù)，du/dt產(chǎn)生的過損耗現(xiàn)象嚴(yán)重地威脅著器件和電路的安全。當(dāng)基極開路時，集射極間承受過高的電壓上升率du/dt，便會通過集電結(jié)的寄生電容流過容性位移電流。由于基極是開路的，該容性位移電流便注入發(fā)射結(jié)形成基極電流并且被放大別音，形成集電極電流，若電力晶體管GTR的歷直很大，將會迫使GTR進(jìn)入放大區(qū)運(yùn)行，有可能因瞬時電流過大而產(chǎn)生二次擊穿導(dǎo)致?lián)p壞。另外在GTR換流期間，集電結(jié)中儲存的少數(shù)載流子被全部抽走之前，有可能使正在關(guān)斷的GTR重新誤導(dǎo)通。在橋式電路中將會出現(xiàn)橋臂直通故障。為了抑制過高的du/dt對GTR的危害，一般在集射極間并聯(lián)一個RCD緩沖網(wǎng)絡(luò)。
GTR的整個過程可分為開通過程、導(dǎo)通狀態(tài)、關(guān)斷過程、阻斷狀態(tài)4個不同階段。
開通時間to。包括延遲時間td和上升時間f，；關(guān)斷時間toff包括存儲時間ts和下降時間tf。對這些開關(guān)時間的定義如下。
(1)延遲時間td。從輸入基極電流正跳變瞬時開始，到集電極電流t上升到最大（穩(wěn)態(tài)）值k的10%所需時間稱為延遲時間。它相當(dāng)于基極電流向發(fā)射結(jié)電容充電的過程，因而延遲時間td的大小取決于發(fā)射結(jié)勢壘電容的大小、初始正向驅(qū)動電流和上升率以及跳變前反向偏置電壓的大小。
(2)上升時間f，。集電極電流‘由穩(wěn)態(tài)值厶的10%上升到90%所需的時間叫做上升時間稱為上升時間。它與過驅(qū)動系數(shù)及穩(wěn)態(tài)電流值有關(guān)，過驅(qū)動系數(shù)越大，則上升時間f，越短；穩(wěn)態(tài)值越小，則上升時間越短。
(3)存儲時間ts。從撤銷正向驅(qū)動信號到集電極電流fc下降到其最大（穩(wěn)態(tài)）值t的90%所需時間稱為存儲時間。存儲時間ts隨過驅(qū)動系數(shù)的增加而增加，隨反向驅(qū)動電流的增加而減小。存儲時間對應(yīng)著過剩載流子從體內(nèi)抽走的過程，要想降低存儲時間ts，就應(yīng)該使GTR工作于準(zhǔn)飽和區(qū)。
(4)下降時間tf。集電極電流‘由其最大值L的90%下降到10%所需的時間稱為下降時間，它主要取決于結(jié)電容和正向集電極電流。
一般開通時間均為納秒數(shù)量級，比關(guān)斷時間小得多，為了縮短關(guān)斷時間可采取以下措施：選擇電流增益小的器件、防止深飽和、增加反向驅(qū)動電流等。
集電極電壓上升率du/dt足動態(tài)過程中的一個重要參數(shù)，du/dt產(chǎn)生的過損耗現(xiàn)象嚴(yán)重地威脅著器件和電路的安全。當(dāng)基極開路時，集射極間承受過高的電壓上升率du/dt，便會通過集電結(jié)的寄生電容流過容性位移電流。由于基極是開路的，該容性位移電流便注入發(fā)射結(jié)形成基極電流并且被放大別音，形成集電極電流，若電力晶體管GTR的歷直很大，將會迫使GTR進(jìn)入放大區(qū)運(yùn)行，有可能因瞬時電流過大而產(chǎn)生二次擊穿導(dǎo)致?lián)p壞。另外在GTR換流期間，集電結(jié)中儲存的少數(shù)載流子被全部抽走之前，有可能使正在關(guān)斷的GTR重新誤導(dǎo)通。在橋式電路中將會出現(xiàn)橋臂直通故障。為了抑制過高的du/dt對GTR的危害，一般在集射極間并聯(lián)一個RCD緩沖網(wǎng)絡(luò)。
相關(guān)技術(shù)資料- 5-27動態(tài)特性與參數(shù)
- 相關(guān)IC型號
- E6B2-CWZ6C 500P/R
- 暫無最新型號
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