發(fā)射極接有不同容量旁路電容電路
發(fā)布時間:2013/6/27 19:29:50 訪問次數(shù):664
圖2-69所示電路中接有兩只不NY24W-K同容量的發(fā)射極旁路電容。電路中的VT1構(gòu)成音頻放大器,它有兩只串聯(lián)起來的發(fā)射極電阻R2和R3,另有兩只容量不等的發(fā)射極旁路電容C2和C3。由于C2容量較小,對高音頻信號容抗很小,而對中、低音頻信號的容抗大。
1.高頻旁路電容C2分析
由于它的容量較小,只有1“F,在音頻電中,它只能做高音頻信號的旁路電容,這樣,沒有高音頻信號流過電阻R2,但是低、中音頻信號仍流過R2。
2.旁路電容C3分析
由于它的容量較大,為47pF,這一容量對音頻信號中的所有頻率成分的容抗都非常小,所以它是音頻旁路電容,這樣R3上沒有音頻信號流過。
3.負(fù)反饋電阻R2分析
在R2中流有直流和中、低音頻信號電流,所以存在直流和中、低音頻負(fù)反饋,C2只讓高音頻信號流過。
4.負(fù)反饋電阻R3分析
在R3中流有直流電流,所以只存在直流負(fù)反饋,C3讓音頻信號中的低、中、高音頻信號都通過。
圖2-69所示電路中接有兩只不NY24W-K同容量的發(fā)射極旁路電容。電路中的VT1構(gòu)成音頻放大器,它有兩只串聯(lián)起來的發(fā)射極電阻R2和R3,另有兩只容量不等的發(fā)射極旁路電容C2和C3。由于C2容量較小,對高音頻信號容抗很小,而對中、低音頻信號的容抗大。
1.高頻旁路電容C2分析
由于它的容量較小,只有1“F,在音頻電中,它只能做高音頻信號的旁路電容,這樣,沒有高音頻信號流過電阻R2,但是低、中音頻信號仍流過R2。
2.旁路電容C3分析
由于它的容量較大,為47pF,這一容量對音頻信號中的所有頻率成分的容抗都非常小,所以它是音頻旁路電容,這樣R3上沒有音頻信號流過。
3.負(fù)反饋電阻R2分析
在R2中流有直流和中、低音頻信號電流,所以存在直流和中、低音頻負(fù)反饋,C2只讓高音頻信號流過。
4.負(fù)反饋電阻R3分析
在R3中流有直流電流,所以只存在直流負(fù)反饋,C3讓音頻信號中的低、中、高音頻信號都通過。
熱門點擊
- 直流固態(tài)繼電器的內(nèi)部電路與電路符號
- 共陽極三相半波可控整流電路
- KC04移相集成電路各引腳工作波形
- 陶瓷芯片載體( LCCC/LDCC)
- UC3846/UC3847內(nèi)部原理
- 一字螺絲刀的特點
- 電感器色標(biāo)法命名規(guī)格
- 過電壓比較器OVC
- 正、負(fù)值的輸入輸出
- 靜態(tài)特性與參數(shù)
推薦技術(shù)資料
- FU-19推挽功放制作
- FU-19是國產(chǎn)大功率發(fā)射雙四極功率電二管,EPL20... [詳細(xì)]
- AMOLED顯示驅(qū)動芯片關(guān)鍵技
- CMOS圖像傳感器技術(shù)參數(shù)設(shè)計
- GB300 超級芯片應(yīng)用需求分
- 4NP 工藝NVIDIA Bl
- GB300 芯片、NVL72
- 首個最新高端芯片人工智能服務(wù)器
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究