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88mA負(fù)載電流時儲能電容的電壓電流實測波形

發(fā)布時間:2013/7/17 19:52:57 訪問次數(shù):1611

    可以這樣做快速的復(fù)核:充電量的多少,等于時間與電流的相乘,也就是,等于以時間為橫坐標(biāo)的電流波形圖(譯注:比如圖5.9)上的電流波形面積。如果電容的充電時間,只有放電時間的1/10,那么,就可以假設(shè)他的充電電流為放電電流的10倍(因為電荷量Q-It)。按此,就可粗略計得充電電流為1.2A?墒,我們已看到,前面例子中的充電脈動電流波形不是長方形的,這個脈動波形覆蓋的面積要小于高度、寬度相同的長方形面積,因此,粗略估計的結(jié)果與計算結(jié)果有一些差異。
    小結(jié):通過計算得到了出人意料的高值,但這個結(jié)果是可信的。
   我們有必要檢查整流器件和電容,看一看它們的峰值電流規(guī)格是否達(dá)到要求。事實上,由于如下因素,電路出現(xiàn)的脈動電流峰值要小于計算值。
    ·  串聯(lián)電阻。包括二極管的內(nèi)阻、電容的ESR、接線電阻、變壓器繞組電阻(含次級繞組電阻和初級繞組的反射屯阻)。
    ·變壓器鐵芯飽和。
    由于這些因素的作用,通常情況下,脈動電流峰值一般是DC負(fù)載電流的4~6倍。一個實際例子是,由變壓器與硅橋式整流器、濾波電容構(gòu)成的電容輸入式整流濾波電路,接一個電阻負(fù)載,負(fù)載電流為35mADC,負(fù)載時的輸出電壓為108VDC。其脈動電流峰值為,脈動(pk)=160mA,與負(fù)載電流的比率是4:6:1。
    電子管整流器的內(nèi)阻比硅整流器高得多,而且,由于其電流規(guī)格有限,可能還需要專門串上電阻來提供保護(hù)。比率很可能還要小一些。作者使用50MHz的Tektronix TCP202電流探頭,檢測G234作為整流器件、47 p,F聚丙烯電容作為儲能電容的HT整流濾波電路。在示波器上得到的結(jié)果如圖5.10所示。
    這個脈動電流波形中,含有100Hz的諧波;這些諧波在理論上,可到達(dá)射頻頻率的低頻段。在示波器上選用FFT模式,可以顯示出儲能電容脈動電流的頻譜,如圖5.11所示。

                    

    可以這樣做快速的復(fù)核:充電量的多少,等于時間與電流的相乘,也就是,等于以時間為橫坐標(biāo)的電流波形圖(譯注:比如圖5.9)上的電流波形面積。如果電容的充電時間,只有放電時間的1/10,那么,就可以假設(shè)他的充電電流為放電電流的10倍(因為電荷量Q-It)。按此,就可粗略計得充電電流為1.2A?墒,我們已看到,前面例子中的充電脈動電流波形不是長方形的,這個脈動波形覆蓋的面積要小于高度、寬度相同的長方形面積,因此,粗略估計的結(jié)果與計算結(jié)果有一些差異。
    小結(jié):通過計算得到了出人意料的高值,但這個結(jié)果是可信的。
   我們有必要檢查整流器件和電容,看一看它們的峰值電流規(guī)格是否達(dá)到要求。事實上,由于如下因素,電路出現(xiàn)的脈動電流峰值要小于計算值。
    ·  串聯(lián)電阻。包括二極管的內(nèi)阻、電容的ESR、接線電阻、變壓器繞組電阻(含次級繞組電阻和初級繞組的反射屯阻)。
    ·變壓器鐵芯飽和。
    由于這些因素的作用,通常情況下,脈動電流峰值一般是DC負(fù)載電流的4~6倍。一個實際例子是,由變壓器與硅橋式整流器、濾波電容構(gòu)成的電容輸入式整流濾波電路,接一個電阻負(fù)載,負(fù)載電流為35mADC,負(fù)載時的輸出電壓為108VDC。其脈動電流峰值為,脈動(pk)=160mA,與負(fù)載電流的比率是4:6:1。
    電子管整流器的內(nèi)阻比硅整流器高得多,而且,由于其電流規(guī)格有限,可能還需要專門串上電阻來提供保護(hù)。比率很可能還要小一些。作者使用50MHz的Tektronix TCP202電流探頭,檢測G234作為整流器件、47 p,F聚丙烯電容作為儲能電容的HT整流濾波電路。在示波器上得到的結(jié)果如圖5.10所示。
    這個脈動電流波形中,含有100Hz的諧波;這些諧波在理論上,可到達(dá)射頻頻率的低頻段。在示波器上選用FFT模式,可以顯示出儲能電容脈動電流的頻譜,如圖5.11所示。

                    

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