集成電路技術(shù)的本質(zhì)優(yōu)勢(shì)在于可以將大量電子器件（如電阻）集成到同一塊相對(duì)電阻較低的硅襯底上（如P型摻雜的硅）。為了實(shí)現(xiàn)電隔離，P87C52X2FA需要在器件之間和它們共同的襯底上插入或者制造絕緣介質(zhì)，在襯底上，將連接一個(gè)低阻電源，以使得芯片上所有的二極管反向偏置。那么就形成了一個(gè)電阻或者低阻互連線(xiàn)，同時(shí)，整個(gè)器件和襯底之間也形成了一個(gè)平行板電容，如圖2.2所示。其整體電容值隨著表面積增大（也就是增大W和L）而增大，隨著板間間距d的縮小而增大：為每個(gè)單位面積的電容值；e為絕緣介質(zhì)的介電常數(shù)，其值為真空介電常數(shù)。的忌倍。

              
    與電阻的設(shè)計(jì)相似，工藝工程師將優(yōu)化設(shè)置極板間間距，將寬度W和長(zhǎng)度L用做可變的設(shè)計(jì)參數(shù)，而不是集成電路設(shè)計(jì)工程師來(lái)完成這個(gè)工作。但是，針對(duì)擴(kuò)散電阻的情況，絕緣介質(zhì)來(lái)源于電阻與襯底之間的PN結(jié)的耗盡層，耗盡層寬度與PN結(jié)上的偏置電壓密切相關(guān)，這將在下面PN結(jié)二極管的章節(jié)里詳細(xì)討論。那么，對(duì)電阻和互連線(xiàn)來(lái)說(shuō)，這些電容都是寄生電容，它們的存在會(huì)影響電路的性能。另外，如果用導(dǎo)電性能更好的材料，如金屬鋁、金屬化的多晶硅或者高摻雜硅（如N+摻雜硅）等來(lái)代替高阻材料，增加表面積，確保器件只有一個(gè)或者更少方塊電阻來(lái)減少器件的阻性分量，從而增強(qiáng)其容性分量，最后得到的器件就可以認(rèn)為是一個(gè)單片的電容了。
    從電路的角度來(lái)看，隨著極板間距的減小，介電常數(shù)的增加（即具有更高的電容率），頻率的升高，電容的阻抗會(huì)隨之減小，而在直流狀態(tài)下，可以認(rèn)為電容的阻抗無(wú)窮大.
    s為拉普拉斯變挨中與頻率等效的參數(shù)。因此傳輸信號(hào)中的高頻分量會(huì)通過(guò)電容分流，在這個(gè)過(guò)程中將損失一部分能量。對(duì)電阻來(lái)說(shuō)，這些寄生效應(yīng)都是不可避免的。類(lèi)似地，電容中與電阻有關(guān)的歐姆壓降和功率損耗也是由于寄生效應(yīng)的影響。