與雙極型晶體管不同的是，金屬一氧化物一半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)電流的形成主要是電場作用的結(jié)果，而不是擴(kuò)散作用的結(jié)果。它們是帶有控制端的電阻，該控制端稱為柵(gate)。電壓直接施加在金屬一氧化物一半導(dǎo)體(M()S)平行板電容（柵極）上，即電阻上的電壓調(diào)制電阻兩端溝道中的電荷分布情況（即阻值）�，F(xiàn)代先進(jìn)的MOSFET器件，即使利用多晶硅材料代替金屬柵（圖2.17），也命名為MOSFET。
    將負(fù)電壓施加在一個N溝道MOSFET（即NMOS晶體管）的柵極上，如圖2.17(a)所示，襯底中的多數(shù)載流子被吸引到柵極附近，使得載流子有效積累在該柵極表面附近，增加多數(shù)載流子的濃度。由于所有PN結(jié)都反向偏置，沒有電流流過，也就認(rèn)為該器件處于關(guān)哳狀態(tài)。如圖2. 17(b)所示，在柵極上施加一個小的正電壓，將多數(shù)載流子P+推離表面，將電荷載流子表面下的區(qū)域耗盡，但是，仍然沒有電流形成。在柵極上施加足夠大的正電壓，當(dāng)大于器件的閾值電壓時(如u>VT)，電荷載流子被從N+接觸孔的位置吸引到柵極下面區(qū)域，將柵極下面區(qū)域充分反型，將N+端和N型溝道連通[圖2.17(c)]，這也是該器件稱為“N溝道”MOSFET的原因。進(jìn)一步增大柵極電壓，就會增加溝道中電荷載流子的濃度，也就相當(dāng)于增加了器件的有效電導(dǎo)，即得到了所希望的晶體管動態(tài)工作特性。

          
    與電阻相同，溝道電阻是少數(shù)載流子遷移率的函數(shù)，隨著溝道長度L的增加而增加，隨著溝道寬度w的減小而增加。如前文所述，溝道電阻也隨著柵極電壓，（或者柵源電壓）和柵氧化層電容的增加而減小。最后，流經(jīng)器件的電流與溝道電阻R溝道（其關(guān)系如前文所述）成反比，與兩端口上電壓成正比(即漏源電壓VI)S）.