1．晶閘管結構解說
    如圖10-20所示是晶閘管結構示意圖。從圖中能夠看出，ALD25Y48N-L它是一個有3個PN結的4層半導體器件。由最外面一層的P型材料引出一個電極作為陽極A。由最外面一層的N型材料引出一個電極作為陰極K。中間的P型材料引出一個電極作為控制極G。4層半導體之間分別形成3個PN結，分別是Jl、J2和J3。

           
    2．晶閘管工作原理解說
    如圖10-21所示是4層半導體結構等效成兩只三極管電路的示意圖。給A、K之間加上正向電壓UAK時，即A極為高電位，K極為低電位。然后，再給G、K之間加上正向電壓UGK時，即G極為高電位，K極為低電位。此時，VT2在UGK正向偏置電壓下導通，其集電極電壓下降，使VT1也導通。
    圖10-20  晶閘管結構示意圖
    圖10-21  晶閘管等效電路
    設VT1電流放大倍數(shù)為Pi，VT2電流放大倍數(shù)為P2，在UGK作用下，VT2有基極電流/B2，其集電極電流為/C2，/C2即為VT1的基極電流/Bl，/Bl=/c2=Pix/B2。經(jīng)VT1放大，其集電極電流/ci=PixP2x/B2。/Cl又作為VT2的基極電流流入VT2基極。顯然，此時的/B2已經(jīng)大得多，說明VT1、VT2構成正反饋電路，經(jīng)正反饋很快使VT1和VT2處于飽和導通狀態(tài)。
    晶閘管的工作原理如表10-15所示。