在本征半導(dǎo)體中，由于載流子數(shù)量極少，SER2918H-682KL導(dǎo)電能力很弱，故其實(shí)用價(jià)值不大。如果在其中摻人某些微量雜質(zhì)元素，就可以大大提高其導(dǎo)電能力，這種摻人了雜質(zhì)元素的半導(dǎo)體稱為雜質(zhì)半導(dǎo)體。按摻入的雜質(zhì)不同，雜質(zhì)半導(dǎo)體可分為兩類：N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體。
    在本征半導(dǎo)體硅（或鍺）中摻人微量V價(jià)元素（如磷、砷、銻等），就形成了N型半導(dǎo)體。其結(jié)構(gòu)示意圖如圖1.1.3 (a)所示。雜質(zhì)原子有5個(gè)價(jià)電子，其中4個(gè)將分別與相鄰硅（或鍺）原子的價(jià)電子組成共價(jià)鍵，多余一個(gè)價(jià)電子因只受原子的吸引作用，所以很容易掙脫雜質(zhì)原子而成為自由電子，雜質(zhì)原子則成為帶正電荷的離子，由于這個(gè)多余的價(jià)電子不在共價(jià)鍵中，因此，在成為自由電子時(shí)不會(huì)同時(shí)產(chǎn)生空穴。在室溫下，雜質(zhì)原子都處于這種電離狀態(tài)，每個(gè)雜質(zhì)原子產(chǎn)生一個(gè)自由電子，致使N型半導(dǎo)體中自由電子的數(shù)目顯著增加，例如：在本征硅中摻人百萬分之一的磷原子，在硅晶體中則會(huì)產(chǎn)生5×1022×10-6—5×l016個(gè)/cm一。個(gè)自由電子（硅的原子密度為5×1022個(gè)／CII1一3），而同時(shí)由本征激發(fā)產(chǎn)生的載流子濃庋僅為1.5×10如個(gè)／CITI-s。于是半導(dǎo)體中的自由電子數(shù)目多于空穴的數(shù)目，自由電子成為多數(shù)載流子，簡(jiǎn)稱多子；空穴成為少數(shù)載流子，簡(jiǎn)稱少子。這種主要靠自由電子導(dǎo)電的半導(dǎo)體稱為電子型半導(dǎo)體或N型半導(dǎo)體。

           
    在本征半導(dǎo)體硅（或鍺）中摻入微量Ⅲ價(jià)元素（如硼、鋁、銦），就形成了P型半導(dǎo)體。其結(jié)構(gòu)示意圖如圖1.1.3(b)所示。在組成共價(jià)鍵時(shí)，每個(gè)雜質(zhì)原子產(chǎn)生一個(gè)空穴。在室溫下，空穴能吸引鄰近的價(jià)電子來填補(bǔ)，雜質(zhì)原子獲得電子變成了帶負(fù)電荷的離子。由于每個(gè)雜質(zhì)原子都可向晶體提供一個(gè)空穴，但同時(shí)不會(huì)產(chǎn)生自由電子，于是半導(dǎo)體中的空穴數(shù)目多于自由電子的數(shù)目，空穴成為多數(shù)載流子，自由電子為少子。這種主要靠空穴導(dǎo)電的半導(dǎo)體稱為空穴型半導(dǎo)體或P型半導(dǎo)體。
    應(yīng)該指出，在雜質(zhì)半導(dǎo)體中，本征激發(fā)所產(chǎn)生的載流子濃度遠(yuǎn)小于摻雜所帶來的載流子濃度。但是摻雜并沒有破壞半導(dǎo)體內(nèi)正、負(fù)電荷的平衡狀態(tài)，它既沒有失去電子，也沒有獲得電子，仍呈電中性，對(duì)外是不帶電的。