場(chǎng)效應(yīng)晶體管也是一種三端半導(dǎo)體器件，其外形與普通三極管相似，XC2C64A-7VQ100C但與三極管相比，具有輸入電阻高、噪聲小、功耗低和熱穩(wěn)定性好等特點(diǎn)，因而在集成電路尤其是計(jì)算機(jī)電路的設(shè)計(jì)中應(yīng)用廣泛。
    場(chǎng)效應(yīng)管根據(jù)結(jié)構(gòu)的不同可以分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(Junction Field Effect Transistor，JFET)相絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(Insulated Gate Field Effect Transistor，IGFET)兩種類型，其中IGFET制造工藝簡(jiǎn)單、便于集成、應(yīng)用更廣泛，本書(shū)僅介紹IGFET。

            
    絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管IGFET又稱為金屬一氧化物一半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor，MOSFET)。按照制造工藝和性能的不同又分為增強(qiáng)型(enhancement MOS或EMOS)與耗盡型(Depletion MOS或DMOS)兩大類，每類又有N溝道(channel)和P溝道兩種導(dǎo)電類型，但它們的工作原理相同。
    N溝道增強(qiáng)型MOSFET
    圖1.4.1(a)所示是增強(qiáng)型NMOS管的結(jié)構(gòu)示意圖，它是在一塊P型半導(dǎo)體基片（又稱襯底）上面覆蓋一層二氧化硅絕緣層，在絕緣層上開(kāi)兩個(gè)小窗用擴(kuò)散的方法制成兩個(gè)高摻雜濃度的N+區(qū)，分別引出電極，稱為源極（Source，用S表示）和漏極（Drain，用D表示）。在S、D兩極之間二氧化硅絕緣層上面再噴一層金屬鋁，引出電極稱為柵極G( Gate，用G表示)。在基
片（襯底）下方引出電極B，使用時(shí)通常和源極S桕連（有些管子出廠時(shí)，已在內(nèi)部連接好）。由于此類管子的柵級(jí)(G)與源極(S)、漏極(D)之間都是絕緣的，故又稱絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管，圖1.4.1(b)是它的電路符號(hào)。