由圖1.4.1(a)看出，NMOSFET的兩個(gè)N+區(qū)被P型襯底隔開(kāi)，XC2C64A-7VQ100I成為兩個(gè)背靠背的PN結(jié)。在柵源電壓VGS為零時(shí)，不管漏源電壓VDs為何值，總有一個(gè)PN結(jié)是反向偏置的，因此漏極和源極之間不可能有電流流通。
    當(dāng)把源極S和襯底B接地，并在柵、源極間加正電壓GS，就會(huì)在柵極與襯底之間建立起一個(gè)垂直電場(chǎng)，其方向由柵極指向襯底，在此電場(chǎng)作用下，P型襯底中的少數(shù)載流子自由電子被吸引到柵極下面襯底的表層，形成一層以電子為多數(shù)載流子的N型薄層，這是一種能導(dǎo)電的薄層，它與P型襯底的類型相反，故稱為反型層。反型層把源區(qū)和漏區(qū)連成一個(gè)整體，形成N型導(dǎo)電溝道，如圖1.4.2(a)所示。VGS值越大，形成的導(dǎo)電溝道越寬，溝道電阻越小。這種在vcs一0時(shí)沒(méi)有導(dǎo)電溝道，必須依靠柵源電壓的作用才能形成導(dǎo)電溝道的FET稱為增強(qiáng)型FET。圖1.4.1(b)中所示的電路符號(hào)中，虛線即為溝道線，反映了增強(qiáng)型FET在vcs一0時(shí)溝道是斷開(kāi)的特點(diǎn)。

           
    導(dǎo)電溝遒形成后，在漏極(D)和源極(S)之間加上正電壓VDS，就會(huì)產(chǎn)生漏極電流iD。使D、S極之間開(kāi)始導(dǎo)電的柵源電壓稱為開(kāi)啟電壓，用VT表示。

          
    由上述可見(jiàn)，MOS管的截止和導(dǎo)通是通過(guò)改變柵源電壓VGS而實(shí)現(xiàn)的，所以MOS管是一種電壓控制型導(dǎo)電器件；它在工作過(guò)程中只有一種極性的載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型器件。
    漏源電壓對(duì)導(dǎo)電溝道的影響
    當(dāng)VGS≥VT，外加較小的VDS時(shí)，漏極電流如將隨VDS的上升迅速增大，在輸出特性上如圖1.4.3(a)所示的OA段，曲線斜率較大。但隨著VDS的上升，由于溝道存在電位梯度，所以造成溝道厚度的不均勻，靠近源端厚，靠近漏端薄，即溝道呈楔形。當(dāng)啦增大到一定數(shù)值，使得VGD=VGS- VDS= VT時(shí)，靠近漏端的反型層消失，溝道發(fā)生預(yù)夾斷，如圖1.4.2(b)所示。但耗盡區(qū)中仍有電流通過(guò)。VDS繼續(xù)增加時(shí)，增加的部分主要降落在夾斷區(qū)，溝道上的電壓基本不變，所以VDS上升，iD趨于飽和，這時(shí)輸出特性曲線斜率為0，如圖1.4.3(a)所示的AB段。