當(dāng)把上述兩種場效應(yīng)管的基片（襯底）換成N型半導(dǎo)體，XC2C64A-7VQ44C源區(qū)、漏區(qū)和導(dǎo)電溝道改成P型，就分別得到增強(qiáng)型PMOS場效應(yīng)管和耗盡型PMOS場效應(yīng)管。為了便于比較和使用，現(xiàn)將4種類型MOS管的符號，特性曲線歸納列于表1.4.1中。（圖中假定iD的正向?yàn)榱鬟M(jìn)漏極）
    表1.4.1 4種類型MOS管的符號及特性曲線

         
    (1)為了表明是NMOS管還是PMOS管，管子符號中以襯底引線B的箭頭方向來區(qū)分。
    箭頭指向管內(nèi)為NMOS管，指向管外為PMOS管。
    (2)為了表明是增強(qiáng)型管還是耗盡型管，在管子符號中，以漏源極之間的連線來區(qū)分。斷續(xù)線表明Vcs =0時，管子D、s極間無導(dǎo)電溝道，為增強(qiáng)型；連續(xù)線表明VG。-0時，管子有導(dǎo)電溝道，為耗盡型。
    (3)從輸出特性曲線和轉(zhuǎn)移特性曲線可以看出，NMOS管和PMOS管外加電源電壓極性是相反的，例如增強(qiáng)型NMOS管的柵源電壓VGS應(yīng)加正電壓，而增強(qiáng)型PMOS管的柵源電壓V(;S應(yīng)加負(fù)電壓。
    場效應(yīng)管的主要參數(shù)如下：
    (1)跨導(dǎo)(9m)：指‰為某一固定值時，柵源電壓對漏極電流的控制能力，定義為從轉(zhuǎn)移特性曲線上看，跨導(dǎo)就是工作點(diǎn)處切線的斜率。
    (2)直流輸入電阻(Rcs)：柵源電壓與柵極電流的比值，其值一般大于10。Q。
    (3)漏極飽和電流IDSS：定義為當(dāng)VcS =0時，在規(guī)定的VDS下所產(chǎn)生的漏極電流。此參數(shù)只對耗盡型管子有意義。
    (4)開啟電壓(VT)：增強(qiáng)型FET的參數(shù)。當(dāng)VDS -定時，使管子導(dǎo)通的最小柵源電壓。
    (5)夾斷電壓VP：耗盡型FET昀參數(shù)。當(dāng)口·粥一定時，使管子截止的最小柵源電壓。
    由于MOS場效應(yīng)管的柵極與其他電極之間處于絕緣狀態(tài)，所以它的輸入電阻很高，可達(dá)109Q以上。因此，周圍電磁場的變化很容易在柵極與其他電極之間感應(yīng)產(chǎn)生較高的電壓，將其絕緣擊穿。為了防止損壞，保存MOS場效應(yīng)管時，應(yīng)把各電極短接，焊接時應(yīng)把燒熱的電烙鐵斷電或外殼接地。近年，生產(chǎn)出內(nèi)附保護(hù)二極管的MOS場效應(yīng)管，使用時就方便多了。