BJT A類放大器
發(fā)布時(shí)間:2013/11/3 16:06:00 訪問(wèn)次數(shù):1812
直流偏置允許晶體管作為放大器使用。P87C52EFAA在一個(gè)A類放大器( class A amplifier)中,晶體管在輸入信號(hào)的整個(gè)周期(360。)內(nèi)都導(dǎo)通。因此,可以用一個(gè)較小的交流信號(hào)作為“模型”,利用晶體管產(chǎn)生一個(gè)較大的交流信號(hào)。本節(jié)將要討論晶體管如何起放大器的作用,并考察一個(gè)基本放大器。
在學(xué)完本節(jié)后,應(yīng)該能夠解釋A類BJT放大器的工作原理:
①討論集電極特性曲線。
②給出截止與飽和的定義。
③分析放大器的直流負(fù)載線的工作過(guò)程。
④討論Q點(diǎn)的意義。
⑤解釋放大器的信號(hào)工作。
⑥計(jì)算共發(fā)射極和共集電極放大器的電壓增益、電流增益和功率增益。
⑦說(shuō)明耦合電容器和旁路電容器的使用方法。
下面來(lái)考察一個(gè)晶體管A類放大器的T作中的重要兇素。一般情況下,A類放大器都用于功率小于1W的小功率應(yīng)用中。
集電極特性曲線
利用一個(gè)如17.8(a)所示的電路,可以產(chǎn)生一組集電極特性曲線,表明對(duì)于指定的基極電流值,集電極電流,如何隨集電極一發(fā)射極電壓。的變化而變化。注意在電路圖中,VBB和Vcc都是可變電壓源。
假設(shè)將Vnn設(shè)置為能產(chǎn)生某個(gè)特定IB值,而V為O。對(duì)于這種情況,B-E結(jié)和B.c結(jié)均為正向偏置,因?yàn)榛鶚O電壓近似為o.7 V,而發(fā)射極和集電極均處于oV。大部分基極電流都流過(guò)B-E結(jié),因?yàn)榈降貫榈妥杩孤窂健.?dāng)兩個(gè)結(jié)均為正向偏置時(shí),晶體管處于其工作的飽和(atu,ation)區(qū)。
當(dāng)V增加時(shí),由于集電極電流增加,Ⅵ、s逐漸增加。這可以用圖17.8(b)中的A點(diǎn)和B點(diǎn)之間特性曲線部分表示出來(lái)。當(dāng)VL-C增加時(shí),由于VCE因正向偏置的基極一集電極pn結(jié)而維持在o7v以下。
當(dāng)Ue增加到一個(gè)足夠大的電壓耐,反向偏置的B-C結(jié)被擊穿,如圖17.8(b)中c點(diǎn)右邊的部分曲線所示,集電極電流迅速變大。應(yīng)該永遠(yuǎn)也不要讓晶體管工作在這個(gè)擊穿區(qū)。
直流偏置允許晶體管作為放大器使用。P87C52EFAA在一個(gè)A類放大器( class A amplifier)中,晶體管在輸入信號(hào)的整個(gè)周期(360。)內(nèi)都導(dǎo)通。因此,可以用一個(gè)較小的交流信號(hào)作為“模型”,利用晶體管產(chǎn)生一個(gè)較大的交流信號(hào)。本節(jié)將要討論晶體管如何起放大器的作用,并考察一個(gè)基本放大器。
在學(xué)完本節(jié)后,應(yīng)該能夠解釋A類BJT放大器的工作原理:
①討論集電極特性曲線。
②給出截止與飽和的定義。
③分析放大器的直流負(fù)載線的工作過(guò)程。
④討論Q點(diǎn)的意義。
⑤解釋放大器的信號(hào)工作。
⑥計(jì)算共發(fā)射極和共集電極放大器的電壓增益、電流增益和功率增益。
⑦說(shuō)明耦合電容器和旁路電容器的使用方法。
下面來(lái)考察一個(gè)晶體管A類放大器的T作中的重要兇素。一般情況下,A類放大器都用于功率小于1W的小功率應(yīng)用中。
集電極特性曲線
利用一個(gè)如17.8(a)所示的電路,可以產(chǎn)生一組集電極特性曲線,表明對(duì)于指定的基極電流值,集電極電流,如何隨集電極一發(fā)射極電壓。的變化而變化。注意在電路圖中,VBB和Vcc都是可變電壓源。
假設(shè)將Vnn設(shè)置為能產(chǎn)生某個(gè)特定IB值,而V為O。對(duì)于這種情況,B-E結(jié)和B.c結(jié)均為正向偏置,因?yàn)榛鶚O電壓近似為o.7 V,而發(fā)射極和集電極均處于oV。大部分基極電流都流過(guò)B-E結(jié),因?yàn)榈降貫榈妥杩孤窂。?dāng)兩個(gè)結(jié)均為正向偏置時(shí),晶體管處于其工作的飽和(atu,ation)區(qū)。
當(dāng)V增加時(shí),由于集電極電流增加,Ⅵ、s逐漸增加。這可以用圖17.8(b)中的A點(diǎn)和B點(diǎn)之間特性曲線部分表示出來(lái)。當(dāng)VL-C增加時(shí),由于VCE因正向偏置的基極一集電極pn結(jié)而維持在o7v以下。
當(dāng)Ue增加到一個(gè)足夠大的電壓耐,反向偏置的B-C結(jié)被擊穿,如圖17.8(b)中c點(diǎn)右邊的部分曲線所示,集電極電流迅速變大。應(yīng)該永遠(yuǎn)也不要讓晶體管工作在這個(gè)擊穿區(qū)。
上一篇:晶體管的偏置
熱門點(diǎn)擊
- CMOS或非門電路
- 有源鉗位電路
- 科學(xué)記數(shù)法和工程記數(shù)法
- 可編程邏輯陣列(PLA)
- 介電常數(shù)
- 非平衡的惠斯通電橋
- 助聽(tīng)器(放大電路)
- 常用ADC
- 阻容耦合
- 直流等效電路分析法
推薦技術(shù)資料
- 頻譜儀的解調(diào)功能
- 現(xiàn)代頻譜儀在跟蹤源模式下也可以使用Maker和△Mak... [詳細(xì)]
- Arm Cortex-M33
- 功率MOSFET和電感器降壓模
- BGATE驅(qū)動(dòng)N溝道MOSFE
- 升降壓充電管理芯片
- 新產(chǎn)品MPQ6539-AEC1
- MOSFET (HS-FET)
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究