放大用較小的輸入信號(hào)為原型
發(fā)布時(shí)間:2013/11/4 20:28:51 訪問(wèn)次數(shù):706
放大用較小的輸入信號(hào)為原型，U4439BG產(chǎn)生一個(gè)較大的電壓、電流或功率的過(guò)程。
基區(qū) 雙極結(jié)型晶體管中的一個(gè)半導(dǎo)體區(qū)。
雙極型用兩個(gè)pn結(jié)來(lái)表征。
雙極結(jié)型晶體管( HJT) 由被兩個(gè)pn結(jié)分開的三個(gè)摻雜半導(dǎo)體區(qū)構(gòu)成的晶體管。
A類放大器一種放大器電路，輸入信號(hào)的整個(gè)周期都導(dǎo)通，從波形看，所產(chǎn)生的輸出信號(hào)為輸入信號(hào)的拷貝。
B類放大器 在輸入信號(hào)的半個(gè)周期內(nèi)導(dǎo)通的放大器電路。
集電區(qū) 雙極結(jié)型晶體管中的一個(gè)半導(dǎo)體區(qū)。
共集電極(CC，Common-Collector) BJT故大器的一種結(jié)構(gòu)，其中集電極是公共（接地）端。
共漏(CD，Common-Drain) FET放大器的一種結(jié)構(gòu)，其中漏極是公共（接地）端。
共發(fā)射極(CE，Common-Emitter) BJT放大器的一種結(jié)構(gòu)，其中發(fā)射極是公共（接地）端。
共源極(CS，Common Source) FET放大器的一種結(jié)構(gòu)，其中源極是公共端。
電流增益 輸出電流與輸入電流的比值。
截止 晶體管不導(dǎo)通的狀態(tài)。
耗盡型 當(dāng)FET溝道中的多數(shù)載流子被耗盡的情況。
漏極FET的三個(gè)電極中的一個(gè)。
發(fā)射區(qū) BJT的三個(gè)半導(dǎo)體區(qū)中的一個(gè)。
增強(qiáng)型 當(dāng)MOSFET溝道中具有大量多數(shù)載流子的情況。
反饋將電路輸出信號(hào)中的一部分以某種方式反饋到輸入端、產(chǎn)生某個(gè)指定的工作狀態(tài)的過(guò)程。
柵極FET的乏個(gè)電極中的一個(gè)。
JFET結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管，F(xiàn)ET的一種，它利用反向偏置的pn結(jié)去控制溝道中的電流。
MOSFET金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管。
振蕩器一種電路，它僅利用直流電源作為輸入在其輸出端產(chǎn)生一個(gè)重復(fù)的波形。
功率增益輸出功率與輸入功率的比值；電壓增益和電流增益的乘積。
靜態(tài)工作點(diǎn)（Q點(diǎn)） 放大器的直流工作點(diǎn)。
飽和 晶體管的輸出電流最大的一個(gè)狀態(tài)，進(jìn)一步增大輸入信號(hào)對(duì)榆出沒(méi)有影響。
源極FET的i個(gè)電極中的一個(gè)。
晶體管一種半導(dǎo)體器件。它利用第三個(gè)引腳上的電流和電壓控制另外兩個(gè)引腳之間的電流，用于對(duì)電信號(hào)的放大或開關(guān)。
電壓增益 輸出電壓與輸入電壓的比值。
基區(qū) 雙極結(jié)型晶體管中的一個(gè)半導(dǎo)體區(qū)。
雙極型用兩個(gè)pn結(jié)來(lái)表征。
雙極結(jié)型晶體管( HJT) 由被兩個(gè)pn結(jié)分開的三個(gè)摻雜半導(dǎo)體區(qū)構(gòu)成的晶體管。
A類放大器一種放大器電路，輸入信號(hào)的整個(gè)周期都導(dǎo)通，從波形看，所產(chǎn)生的輸出信號(hào)為輸入信號(hào)的拷貝。
B類放大器 在輸入信號(hào)的半個(gè)周期內(nèi)導(dǎo)通的放大器電路。
集電區(qū) 雙極結(jié)型晶體管中的一個(gè)半導(dǎo)體區(qū)。
共集電極(CC，Common-Collector) BJT故大器的一種結(jié)構(gòu)，其中集電極是公共（接地）端。
共漏(CD，Common-Drain) FET放大器的一種結(jié)構(gòu)，其中漏極是公共（接地）端。
共發(fā)射極(CE，Common-Emitter) BJT放大器的一種結(jié)構(gòu)，其中發(fā)射極是公共（接地）端。
共源極(CS，Common Source) FET放大器的一種結(jié)構(gòu)，其中源極是公共端。
電流增益 輸出電流與輸入電流的比值。
截止 晶體管不導(dǎo)通的狀態(tài)。
耗盡型 當(dāng)FET溝道中的多數(shù)載流子被耗盡的情況。
漏極FET的三個(gè)電極中的一個(gè)。
發(fā)射區(qū) BJT的三個(gè)半導(dǎo)體區(qū)中的一個(gè)。
增強(qiáng)型 當(dāng)MOSFET溝道中具有大量多數(shù)載流子的情況。
反饋將電路輸出信號(hào)中的一部分以某種方式反饋到輸入端、產(chǎn)生某個(gè)指定的工作狀態(tài)的過(guò)程。
柵極FET的乏個(gè)電極中的一個(gè)。
JFET結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管，F(xiàn)ET的一種，它利用反向偏置的pn結(jié)去控制溝道中的電流。
MOSFET金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管。
振蕩器一種電路，它僅利用直流電源作為輸入在其輸出端產(chǎn)生一個(gè)重復(fù)的波形。
功率增益輸出功率與輸入功率的比值；電壓增益和電流增益的乘積。
靜態(tài)工作點(diǎn)（Q點(diǎn)） 放大器的直流工作點(diǎn)。
飽和 晶體管的輸出電流最大的一個(gè)狀態(tài)，進(jìn)一步增大輸入信號(hào)對(duì)榆出沒(méi)有影響。
源極FET的i個(gè)電極中的一個(gè)。
晶體管一種半導(dǎo)體器件。它利用第三個(gè)引腳上的電流和電壓控制另外兩個(gè)引腳之間的電流，用于對(duì)電信號(hào)的放大或開關(guān)。
電壓增益 輸出電壓與輸入電壓的比值。
放大用較小的輸入信號(hào)為原型，U4439BG產(chǎn)生一個(gè)較大的電壓、電流或功率的過(guò)程。
基區(qū) 雙極結(jié)型晶體管中的一個(gè)半導(dǎo)體區(qū)。
雙極型用兩個(gè)pn結(jié)來(lái)表征。
雙極結(jié)型晶體管( HJT) 由被兩個(gè)pn結(jié)分開的三個(gè)摻雜半導(dǎo)體區(qū)構(gòu)成的晶體管。
A類放大器一種放大器電路，輸入信號(hào)的整個(gè)周期都導(dǎo)通，從波形看，所產(chǎn)生的輸出信號(hào)為輸入信號(hào)的拷貝。
B類放大器 在輸入信號(hào)的半個(gè)周期內(nèi)導(dǎo)通的放大器電路。
集電區(qū) 雙極結(jié)型晶體管中的一個(gè)半導(dǎo)體區(qū)。
共集電極(CC，Common-Collector) BJT故大器的一種結(jié)構(gòu)，其中集電極是公共（接地）端。
共漏(CD，Common-Drain) FET放大器的一種結(jié)構(gòu)，其中漏極是公共（接地）端。
共發(fā)射極(CE，Common-Emitter) BJT放大器的一種結(jié)構(gòu)，其中發(fā)射極是公共（接地）端。
共源極(CS，Common Source) FET放大器的一種結(jié)構(gòu)，其中源極是公共端。
電流增益 輸出電流與輸入電流的比值。
截止 晶體管不導(dǎo)通的狀態(tài)。
耗盡型 當(dāng)FET溝道中的多數(shù)載流子被耗盡的情況。
漏極FET的三個(gè)電極中的一個(gè)。
發(fā)射區(qū) BJT的三個(gè)半導(dǎo)體區(qū)中的一個(gè)。
增強(qiáng)型 當(dāng)MOSFET溝道中具有大量多數(shù)載流子的情況。
反饋將電路輸出信號(hào)中的一部分以某種方式反饋到輸入端、產(chǎn)生某個(gè)指定的工作狀態(tài)的過(guò)程。
柵極FET的乏個(gè)電極中的一個(gè)。
JFET結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管，F(xiàn)ET的一種，它利用反向偏置的pn結(jié)去控制溝道中的電流。
MOSFET金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管。
振蕩器一種電路，它僅利用直流電源作為輸入在其輸出端產(chǎn)生一個(gè)重復(fù)的波形。
功率增益輸出功率與輸入功率的比值；電壓增益和電流增益的乘積。
靜態(tài)工作點(diǎn)（Q點(diǎn)） 放大器的直流工作點(diǎn)。
飽和 晶體管的輸出電流最大的一個(gè)狀態(tài)，進(jìn)一步增大輸入信號(hào)對(duì)榆出沒(méi)有影響。
源極FET的i個(gè)電極中的一個(gè)。
晶體管一種半導(dǎo)體器件。它利用第三個(gè)引腳上的電流和電壓控制另外兩個(gè)引腳之間的電流，用于對(duì)電信號(hào)的放大或開關(guān)。
電壓增益 輸出電壓與輸入電壓的比值。
基區(qū) 雙極結(jié)型晶體管中的一個(gè)半導(dǎo)體區(qū)。
雙極型用兩個(gè)pn結(jié)來(lái)表征。
雙極結(jié)型晶體管( HJT) 由被兩個(gè)pn結(jié)分開的三個(gè)摻雜半導(dǎo)體區(qū)構(gòu)成的晶體管。
A類放大器一種放大器電路，輸入信號(hào)的整個(gè)周期都導(dǎo)通，從波形看，所產(chǎn)生的輸出信號(hào)為輸入信號(hào)的拷貝。
B類放大器 在輸入信號(hào)的半個(gè)周期內(nèi)導(dǎo)通的放大器電路。
集電區(qū) 雙極結(jié)型晶體管中的一個(gè)半導(dǎo)體區(qū)。
共集電極(CC，Common-Collector) BJT故大器的一種結(jié)構(gòu)，其中集電極是公共（接地）端。
共漏(CD，Common-Drain) FET放大器的一種結(jié)構(gòu)，其中漏極是公共（接地）端。
共發(fā)射極(CE，Common-Emitter) BJT放大器的一種結(jié)構(gòu)，其中發(fā)射極是公共（接地）端。
共源極(CS，Common Source) FET放大器的一種結(jié)構(gòu)，其中源極是公共端。
電流增益 輸出電流與輸入電流的比值。
截止 晶體管不導(dǎo)通的狀態(tài)。
耗盡型 當(dāng)FET溝道中的多數(shù)載流子被耗盡的情況。
漏極FET的三個(gè)電極中的一個(gè)。
發(fā)射區(qū) BJT的三個(gè)半導(dǎo)體區(qū)中的一個(gè)。
增強(qiáng)型 當(dāng)MOSFET溝道中具有大量多數(shù)載流子的情況。
反饋將電路輸出信號(hào)中的一部分以某種方式反饋到輸入端、產(chǎn)生某個(gè)指定的工作狀態(tài)的過(guò)程。
柵極FET的乏個(gè)電極中的一個(gè)。
JFET結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管，F(xiàn)ET的一種，它利用反向偏置的pn結(jié)去控制溝道中的電流。
MOSFET金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管。
振蕩器一種電路，它僅利用直流電源作為輸入在其輸出端產(chǎn)生一個(gè)重復(fù)的波形。
功率增益輸出功率與輸入功率的比值；電壓增益和電流增益的乘積。
靜態(tài)工作點(diǎn)（Q點(diǎn)） 放大器的直流工作點(diǎn)。
飽和 晶體管的輸出電流最大的一個(gè)狀態(tài)，進(jìn)一步增大輸入信號(hào)對(duì)榆出沒(méi)有影響。
源極FET的i個(gè)電極中的一個(gè)。
晶體管一種半導(dǎo)體器件。它利用第三個(gè)引腳上的電流和電壓控制另外兩個(gè)引腳之間的電流，用于對(duì)電信號(hào)的放大或開關(guān)。
電壓增益 輸出電壓與輸入電壓的比值。
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