雙極結(jié)型晶體管( BJT)由三個(gè)區(qū)組成：發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)。U16NB50端子連接到三個(gè)區(qū)中的每一個(gè)區(qū)中。
    BJT的三個(gè)區(qū)被兩個(gè)pn結(jié)分開(kāi)。
    雙極型晶體管的兩種類型分別是pnp型和npn型。
    術(shù)語(yǔ)雙極指的是兩種電流：電子電流和空穴電流。
    場(chǎng)效應(yīng)管(FET)有三個(gè)管腳：源極、漏極和柵極。
    結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)工作于柵一源pn結(jié)反向偏置的情況下。
    JFET的漏極和源極之間的電流是穿過(guò)一個(gè)溝道，溝道的寬度受加在柵一源結(jié)上的反向偏壓的大小控制。
    FET的兩種類型分別是n溝道型和p溝道型。
    金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管( MOSFET)與JFET不同之處是MOSFET的柵極與溝道是絕緣的。
    D-MOSFET的漏極和源極之間有一個(gè)物理溝道。
    E-MOSFET中沒(méi)有物理溝道。
    晶體管的電路符號(hào)如圖17.69所示。

          
    BJT放大器的兩種主要類型是共發(fā)射極(CE)放大器和共集電極(CC)放大器。第三種類型是共基極(CB)放大器。
    FET放大器的兩種主要類型是共源極(CS)放大器和共漏極(CD)放大器。第三種類型是共柵極(CG)放大器。
    A類放大器在輸入信號(hào)一個(gè)周期的360^。內(nèi)都導(dǎo)通，一般用于小功率應(yīng)用。
    B類放大器在輸入信號(hào)一個(gè)周期的180^。內(nèi)導(dǎo)通，一般用于大功率應(yīng)用。
    正弦波振蕩器工作于正反饋條件下。
    正反饋的兩個(gè)條件是環(huán)路相移必須為o^。，環(huán)路電壓增益必須至少為l。
    為了使反饋型振蕩器起振，環(huán)路電壓增益必須大于1。
    考畢茲振蕩器中的反饋信號(hào)取自LC電路中的電容分壓器。
    哈特萊振蕩器中的反饋信號(hào)取自LC電路中的電感分壓器。
    晶體振蕩器是最穩(wěn)定的一類振蕩器。