晶體管的電路符號
發(fā)布時(shí)間:2013/11/4 20:26:55 訪問次數(shù):6529
雙極結(jié)型晶體管( BJT)由三個(gè)區(qū)組成:發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)。U16NB50端子連接到三個(gè)區(qū)中的每一個(gè)區(qū)中。
BJT的三個(gè)區(qū)被兩個(gè)pn結(jié)分開。
雙極型晶體管的兩種類型分別是pnp型和npn型。
術(shù)語雙極指的是兩種電流:電子電流和空穴電流。
場效應(yīng)管(FET)有三個(gè)管腳:源極、漏極和柵極。
結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)工作于柵一源pn結(jié)反向偏置的情況下。
JFET的漏極和源極之間的電流是穿過一個(gè)溝道,溝道的寬度受加在柵一源結(jié)上的反向偏壓的大小控制。
FET的兩種類型分別是n溝道型和p溝道型。
金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管( MOSFET)與JFET不同之處是MOSFET的柵極與溝道是絕緣的。
D-MOSFET的漏極和源極之間有一個(gè)物理溝道。
E-MOSFET中沒有物理溝道。
晶體管的電路符號如圖17.69所示。
BJT放大器的兩種主要類型是共發(fā)射極(CE)放大器和共集電極(CC)放大器。第三種類型是共基極(CB)放大器。
FET放大器的兩種主要類型是共源極(CS)放大器和共漏極(CD)放大器。第三種類型是共柵極(CG)放大器。
A類放大器在輸入信號一個(gè)周期的360。內(nèi)都導(dǎo)通,一般用于小功率應(yīng)用。
B類放大器在輸入信號一個(gè)周期的180。內(nèi)導(dǎo)通,一般用于大功率應(yīng)用。
正弦波振蕩器工作于正反饋條件下。
正反饋的兩個(gè)條件是環(huán)路相移必須為o。,環(huán)路電壓增益必須至少為l。
為了使反饋型振蕩器起振,環(huán)路電壓增益必須大于1。
考畢茲振蕩器中的反饋信號取自LC電路中的電容分壓器。
哈特萊振蕩器中的反饋信號取自LC電路中的電感分壓器。
晶體振蕩器是最穩(wěn)定的一類振蕩器。
雙極結(jié)型晶體管( BJT)由三個(gè)區(qū)組成:發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)。U16NB50端子連接到三個(gè)區(qū)中的每一個(gè)區(qū)中。
BJT的三個(gè)區(qū)被兩個(gè)pn結(jié)分開。
雙極型晶體管的兩種類型分別是pnp型和npn型。
術(shù)語雙極指的是兩種電流:電子電流和空穴電流。
場效應(yīng)管(FET)有三個(gè)管腳:源極、漏極和柵極。
結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)工作于柵一源pn結(jié)反向偏置的情況下。
JFET的漏極和源極之間的電流是穿過一個(gè)溝道,溝道的寬度受加在柵一源結(jié)上的反向偏壓的大小控制。
FET的兩種類型分別是n溝道型和p溝道型。
金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管( MOSFET)與JFET不同之處是MOSFET的柵極與溝道是絕緣的。
D-MOSFET的漏極和源極之間有一個(gè)物理溝道。
E-MOSFET中沒有物理溝道。
晶體管的電路符號如圖17.69所示。
BJT放大器的兩種主要類型是共發(fā)射極(CE)放大器和共集電極(CC)放大器。第三種類型是共基極(CB)放大器。
FET放大器的兩種主要類型是共源極(CS)放大器和共漏極(CD)放大器。第三種類型是共柵極(CG)放大器。
A類放大器在輸入信號一個(gè)周期的360。內(nèi)都導(dǎo)通,一般用于小功率應(yīng)用。
B類放大器在輸入信號一個(gè)周期的180。內(nèi)導(dǎo)通,一般用于大功率應(yīng)用。
正弦波振蕩器工作于正反饋條件下。
正反饋的兩個(gè)條件是環(huán)路相移必須為o。,環(huán)路電壓增益必須至少為l。
為了使反饋型振蕩器起振,環(huán)路電壓增益必須大于1。
考畢茲振蕩器中的反饋信號取自LC電路中的電容分壓器。
哈特萊振蕩器中的反饋信號取自LC電路中的電感分壓器。
晶體振蕩器是最穩(wěn)定的一類振蕩器。
上一篇:放大用較小的輸入信號為原型
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