增強(qiáng)型絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)、原理與特性

   MOSFET控制通道的方式和JFET（結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管）不間，UC3843BVD1R2G但組件特性有許多相同之處。這里以N溝道MOSFET（簡(jiǎn)稱NMOS）為例來介紹它的構(gòu)造與原理。

    N溝道增強(qiáng)型絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu)

   圖8-7為一個(gè)典型的NMOS結(jié)構(gòu)示意圖。柵極由金屬一氧化層和半導(dǎo)體依序疊在一起形成類似電容的結(jié)構(gòu)（氧化層當(dāng)做介電質(zhì)），故命名為金屬一氧化物一半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管。柵極只要加上足夠的正電壓，即可在半導(dǎo)體內(nèi)靠近氧化層的接口上，吸引足夠多的導(dǎo)電電子形成溝道，使源極與漏極的N+區(qū)導(dǎo)通。故控制柵極的電壓，等效上就是控制氧化層內(nèi)的電場(chǎng)，可以控制源極與漏極之間的導(dǎo)電特性。

    基極有時(shí)也會(huì)接出一只引腳，使MOSFET變成四只引腳的組件，在大部分的應(yīng)用中，基極本體會(huì)與源極接在一起，使源極一漏極和基極本體間的PN結(jié)接面永遠(yuǎn)是不導(dǎo)通的，如此MOSFET就變成與JFET（結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管）類似的三引腳組件。

   圖8-8是N溝道增強(qiáng)型MOS管的工作原理示意圖。N溝道增強(qiáng)型MOS管工作時(shí)，柵一源之間加正向電源電壓Uas，漏一源之間加正向電源電壓UDS.并且源極與襯底連接，襯底是電路中電位最低的點(diǎn)。