當UoS=O時，如圖8-8 (a)所示。UCC3818ADR漏極與源極之間沒有原始的導電溝道，漏極電流/D=O。這是因為當UCS=O時，漏極和襯底及源極之間形成了兩個反向串聯(lián)的PN結(jié)，當UDS加正向電壓時，漏極與襯底之間PN結(jié)反向偏置的緣故。

     當Ucs>0時，如圖8-8 (b)所示。柵極與襯底之間產(chǎn)生了一個垂直于半導體表面、由柵極G指向襯底的電場。這個電場的作用是排斥P型襯底中的空穴而吸引電子到表面層。當UGS增大到一定程度時，絕緣體和P型襯底的交界面附近積累了較多的電子，形成了N型薄層，稱為N型反型層。反型層使漏極與源極之間成為一條由電子構(gòu)成的導電溝道。當加上漏一源電壓UDS之后，就會有電流fD流過溝遒。通常將剛剛出現(xiàn)漏極電流fD時所對應(yīng)的柵一源電壓稱為開啟電壓，用UCS(th)表示

   當UGS> UC。(th)時，UGS增大，電場增強，溝道變寬，溝道電阻減小，fD增大；反之，UGS減小，溝道變窄，溝道電阻增大，fD減小。所以改變Uos的大小，就可以控制溝道電阻的大小，從而控制電流的大小。

   當N溝道增強型MOS管的UGS< UCS(th)時，反型層（導電溝道）就會消失，如/D=O;因此，只有當Uos≥UaS(th)時，才能形成導電溝道，并產(chǎn)生電流fD。

   這種場效應(yīng)管在零偏置時，D、S極不導電，當UGS> UGS(m)時，UGS增大、溝道電阻減小、導電性能增強的特性稱為增強型特性。