靜電容：等效電路中與串聯(lián)臂并聯(lián)的電容通常用Co表示（如圖9-3所示）。

    負(fù)載諧振頻率魄）：W78M32VP-120BM在規(guī)定條件下，晶體與一個(gè)負(fù)載電容相串聯(lián)或相并聯(lián)，其組合阻抗呈現(xiàn)為電阻性時(shí)的兩個(gè)頻率中的一個(gè)頻率。在串聯(lián)負(fù)載電容時(shí)，負(fù)載諧振頻率是兩個(gè)頻率中較低的一個(gè)；在并聯(lián)負(fù)載電容時(shí)，則是兩個(gè)頻率中較高的一個(gè)。

    動(dòng)態(tài)電阻：串聯(lián)諧振頻率下的等效電阻，用Ri表示。

    負(fù)載詣?wù)耠娮瑁涸谥C振時(shí)呈現(xiàn)的等效電阻，用RL表示。在通常情況下，RL=RI

(1+CO/C/)/2。

    激勵(lì)電平（功率）：晶振工作時(shí)消耗的有赦功率。在振蕩回路中，激勵(lì)電平應(yīng)大小適中，既不能過(guò)激勵(lì)（容易振到高次諧波上），也不能欠激勵(lì)（不容易起振）。常見的激勵(lì)電平有2mW、ImW、0.5mW、0.2mW、O.lmW、50vw、20yW、lOLr,W、1Lr,W、0.1 Lr,W等。

     選擇晶體時(shí)至少應(yīng)考慮負(fù)載諧振頻率、負(fù)載電容、激勵(lì)電平、溫度頻差及長(zhǎng)期穩(wěn)定性等情況。

    頻率精度和頻率穩(wěn)定度：由于普通晶振的性能基本都能達(dá)到一般電器的要求，故對(duì)于高檔設(shè)備還需要有一定的頻率精度和頻率穩(wěn)定度。頻率精度從10-4～10-10量級(jí)不等。穩(wěn)定度從士l～士lOOppm不等。要根據(jù)具體的設(shè)備需要而選擇合適的晶振，如通信網(wǎng)絡(luò)、無(wú)線數(shù)據(jù)傳輸?shù)认到y(tǒng)就需要更高要求的石英晶體振蕩器。因此，晶振的參數(shù)決定了晶振的品質(zhì)和性能。在實(shí)際應(yīng)用中要根據(jù)具體要求選擇適當(dāng)?shù)木д�，因不同性能的晶振，其價(jià)格不同。要求越高，價(jià)格也越貴，一般只要滿足要求即可。

   晶振主要看工作頻率及體積大小上的分類，其他性能差別不太，只要頻率和體積符合要求，其中很多晶振元件是可以互換使用的。