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​美國半導體器件型號命名法

發(fā)布時間:2014/2/12 20:59:17 訪問次數(shù):884

     美國電子工業(yè)協(xié)會( EIA)的半導體分立器件型號命名方法規(guī)定,0603CT-3N0X_LW半導體分立器件型號由五部分組成,第一部分為前綴,第五部分為后綴,中間三部分為型號的基本部分,這五部分的符號及其意義如表A-4。

            

    表A-4美國半導體分立器件型號組成的符號及其意義

    示例7:    JAN  2  N  3553

    示例8:  2  N  3553  C

   美國半導體器件型號命名有如下特點。

    (1)除去前綴之外,凡是型號以1N、2N、3N……開頭的半導體分立器件,大都是美國制造的產(chǎn)品,或?qū)倜绹鴮@善渌麌抑圃斓漠a(chǎn)品。

    (2)根據(jù)美國半導體分立器件型號只能判斷器件是二極管、三極管或多個PN結(jié)的器件,不能判斷出其類型。例如,整流二極管、穩(wěn)壓二極管、檢波二極管、開關(guān)二極管等各種二極管都以1N開頭;而以2N開頭的三極管,既可能是普通三極管,也可能是場效應管,既可能是大功率管,也可能是小功率管。


    (3)型號中間的第四部分的數(shù)字,只表示該器件在美國電子工業(yè)協(xié)會的登記號,而沒有其他意義。特別應當注意,登記號相鄰的兩個器件的特性可能差別很大,如2N3451為硅PNP型小功率三極管,而2N3452則是場效應管。

   (4)不同廠家的性能基本一致的半導體器件都用同一個登記號,所以型號相同的器件可以通用。有時為了區(qū)分同一型號中某些參數(shù)的差異,往往使用不同的后綴字母。






     美國電子工業(yè)協(xié)會( EIA)的半導體分立器件型號命名方法規(guī)定,0603CT-3N0X_LW半導體分立器件型號由五部分組成,第一部分為前綴,第五部分為后綴,中間三部分為型號的基本部分,這五部分的符號及其意義如表A-4。

            

    表A-4美國半導體分立器件型號組成的符號及其意義

    示例7:    JAN  2  N  3553

    示例8:  2  N  3553  C

   美國半導體器件型號命名有如下特點。

    (1)除去前綴之外,凡是型號以1N、2N、3N……開頭的半導體分立器件,大都是美國制造的產(chǎn)品,或?qū)倜绹鴮@善渌麌抑圃斓漠a(chǎn)品。

    (2)根據(jù)美國半導體分立器件型號只能判斷器件是二極管、三極管或多個PN結(jié)的器件,不能判斷出其類型。例如,整流二極管、穩(wěn)壓二極管、檢波二極管、開關(guān)二極管等各種二極管都以1N開頭;而以2N開頭的三極管,既可能是普通三極管,也可能是場效應管,既可能是大功率管,也可能是小功率管。


    (3)型號中間的第四部分的數(shù)字,只表示該器件在美國電子工業(yè)協(xié)會的登記號,而沒有其他意義。特別應當注意,登記號相鄰的兩個器件的特性可能差別很大,如2N3451為硅PNP型小功率三極管,而2N3452則是場效應管。

   (4)不同廠家的性能基本一致的半導體器件都用同一個登記號,所以型號相同的器件可以通用。有時為了區(qū)分同一型號中某些參數(shù)的差異,往往使用不同的后綴字母。






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