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屏蔽轉(zhuǎn)移阻抗

發(fā)布時間:2014/4/8 21:47:36 訪問次數(shù):2298

   在1943年,Schelkunoff首先提出轉(zhuǎn)移阻抗的概念作為一種測量電纜屏蔽效果的方法。 2SC2921屏蔽轉(zhuǎn)移阻抗是屏蔽層的一個特性,與中心尋體和屏蔽層之間產(chǎn)生的開路電壓(單位長度)與屏蔽層電流之比有關(guān)。屏蔽轉(zhuǎn)移阻抗可以寫,其中ZT是轉(zhuǎn)移阻抗,單位是每單位長度歐姆,IS是屏蔽層電流,V是內(nèi)導(dǎo)線和屏蔽層的感應(yīng)電壓,Z是電纜的長度。轉(zhuǎn)移阻抗越小,屏蔽效果越好。

   在低頻時,轉(zhuǎn)移阻抗等于屏蔽層的直流電阻。這一結(jié)果等于式(2-33)的結(jié)果。在高頻時(對于標(biāo)準(zhǔn)的電纜,高于1MHz),因為趨膚效應(yīng),固體管屏蔽的轉(zhuǎn)移阻抗會減小,電纜的屏蔽效果會增強。趨膚效應(yīng)使得噪聲電流存在于屏蔽層外表面,信號電流在內(nèi)表面,因此,消除了兩種電流之間的公共阻抗耦合。

          

   圖2-30是固體管屏蔽轉(zhuǎn)移阻抗幅度的圖(歸一化到直流電阻R出的值)。如果屏蔽是編織層,超過大約1MHz,轉(zhuǎn)移阻抗將會隨著頻率增加而增加,如圖2-34所示。

   在1943年,Schelkunoff首先提出轉(zhuǎn)移阻抗的概念作為一種測量電纜屏蔽效果的方法。 2SC2921屏蔽轉(zhuǎn)移阻抗是屏蔽層的一個特性,與中心尋體和屏蔽層之間產(chǎn)生的開路電壓(單位長度)與屏蔽層電流之比有關(guān)。屏蔽轉(zhuǎn)移阻抗可以寫,其中ZT是轉(zhuǎn)移阻抗,單位是每單位長度歐姆,IS是屏蔽層電流,V是內(nèi)導(dǎo)線和屏蔽層的感應(yīng)電壓,Z是電纜的長度。轉(zhuǎn)移阻抗越小,屏蔽效果越好。

   在低頻時,轉(zhuǎn)移阻抗等于屏蔽層的直流電阻。這一結(jié)果等于式(2-33)的結(jié)果。在高頻時(對于標(biāo)準(zhǔn)的電纜,高于1MHz),因為趨膚效應(yīng),固體管屏蔽的轉(zhuǎn)移阻抗會減小,電纜的屏蔽效果會增強。趨膚效應(yīng)使得噪聲電流存在于屏蔽層外表面,信號電流在內(nèi)表面,因此,消除了兩種電流之間的公共阻抗耦合。

          

   圖2-30是固體管屏蔽轉(zhuǎn)移阻抗幅度的圖(歸一化到直流電阻R出的值)。如果屏蔽是編織層,超過大約1MHz,轉(zhuǎn)移阻抗將會隨著頻率增加而增加,如圖2-34所示。

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