如果屏蔽層較薄，第二個(gè)LT1008CN8邊界的反射波是從第一個(gè)邊界透射過(guò)來(lái)的，到第二個(gè)邊界再次反射，如圖6 -14所示。對(duì)于較厚的屏蔽層，由于吸收損耗高，這次反射可以忽略。當(dāng)波第二次到達(dá)第二個(gè)邊界時(shí)，幅度可以忽略，因?yàn)椴ㄒ讶未┻^(guò)厚的屏蔽層。

   對(duì)子電場(chǎng)，大部分入射波在第一個(gè)邊界被反射，只有小部分進(jìn)入屏蔽層。這可以從式(6-14)和22《Zl的事實(shí)得到。因此，對(duì)于電場(chǎng)，屏蔽層內(nèi)的多重反射可以忽略不計(jì)。

   對(duì)于磁場(chǎng)，當(dāng)22《Zl時(shí)，大部分入射波在第一個(gè)邊界處進(jìn)入屏蔽層，如式(6-15)所示。透射波的幅基本是入射波的兩倍。屏蔽層內(nèi)有這么大幅度的磁場(chǎng)，屏蔽層內(nèi)多重反射的影響必須考慮。

   圖6 -15是修正因子B隨t/8變化的曲線。注意到，修正因子為負(fù)數(shù)，表明薄屏蔽層因多重反射屏蔽效果降低(小于式(6-30)的預(yù)測(cè)）。